QID0640020
Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272
www.pwrx.com
双IGBTMOD
NX系列模块
400安培/ 600伏
A
D
E
J
F
G
H
46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25
J
Y
（4处）
AD
AE
AF
Q
ST
R
S T
Q
U
48
23
U
47
24
Z
AA B
AB
详细信息"B"
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
AG
AC （4处）
AL
AM
C
AJ
AH
W
V
X
M
L
K
N
详细信息"A"
K
P
L
AK
AT
AU
AW
G2(38)
E2(39)
E1C2 （ 24 ） E1C2 （ 23 ）
AV
Tr2
Di2
Di1
Tr1
C1(22)
E1(16)
G1(15)
Th
NTC
TH1
(1)
TH2
(2)
AP
AN
AR
AS
AQ
详细信息"A"
AX
详细信息"B"
E2
(47)
C1
(48)
* ALL PIN尺寸范围内
的公差
±0.5
描述：
POWEREX IGBTMOD 模块
用于开关的设计
应用程序。每个模块
由两个IGBT晶体管
在同一个半桥式配置
具有反接每个晶体管
连超快速恢复
续流二极管。所有组件
和互连从隔离
该散热底座，提供
简化的系统组装及
热管理。
产品特点：
铝碳化硅基板
低驱动电源
低V
CE （ SAT ）
离散超快速恢复
续流二极管
隔离式底座，方便
散热
应用范围：
交流电动机的控制
运动/伺服控制
太阳能/燃料电池
外形图和电路图
尺寸
英寸
MILLIMETERS
尺寸
英寸
MILLIMETERS
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
5.98
2.44
0.67
5.39
4.79
4.33±0.02
3.89
3.72
0.53
0.15
0.28
0.30
1.95
0.9
0.55
0.87
0.67
0.48
0.24
0.16
0.37
0.83
M6
152.0
62.0
17.0
137.0
121.7
110.0±0.5
99.0
94.5
13.5
3.8
7.25
7.75
49.54
22.86
14.0
22.0
17.0
12.0
6.0
4.2
6.5
21.14
M6
Z
AA
AB
AC
AD
AE
AF
AG
AH
AJ
AK
AL
AM
AN
AP
AQ
AR
AS
AT
AU
AV
AW
AX
1.53
39.0
1.97±0.02
50.0±0.5
2.26
57.5
0.22直径。
5.5直径。
0.67+0.04/-0.02 17.0+1.0/-0.5
0.51
13.0
0.27
7.0
0.03
0.8
0.81
20.5
0.12
3.0
0.14
3.5
0.21
5.4
0.49
12.5
0.15
3.81
0.05
1.15
0.025
0.65
0.29
7.4
0.24
6.2
0.17直径。
4.3直径。
0.10 DIA 。
2.5直径。
0.08直径。
2.1直径。
0.06
1.5
0.49
12.5
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1
Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272 www.pwrx.com
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双IGBTMOD NX系列模块
400安培/ 600伏
绝对最大额定值，
T
j
= 25 ° C除非另有说明
特征
功率器件结温
储存温度
安装扭矩， M5螺丝安装
安装扭矩， M6主要终端螺丝
模块重量（典型）
底板平整度，在中线X，Y （见下文）
隔离电压， AC 1分钟， 60Hz的正弦
符号
T
j
T
英镑
—
—
—
—
V
ISO
QID0640020
-40至150
-55 130
31
40
220
±0 ~ +100
2500
单位
°C
°C
在磅
在磅
克
m
伏
变频器行业
集电极 - 发射极电压（G -E SHORT ）
栅极 - 发射极电压（C -E SHORT ）
集电极电流（T
C
= 60°C)
*1
峰值集电极电流（脉冲）
*3
发射极电流（T
C
= 25°C)
*1*4
峰值发射极电流（脉冲）
*3
最大集电极耗散（T
C
= 25°C)
*1*4
*1
*2
*3
*4
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E
*2
I
EM
*2
P
C
600
±20
400
800
400
800
1115
伏
伏
安培
安培
安培
安培
瓦
外壳温度（T
C
）和散热片温度（T
f
）是在刚刚在芯片下底板和散热片的表面上所定义。
I
E
, I
EM
, V
EC
, t
rr
和Q
rr
代表的评分和反并联的特点，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ） 。
脉冲宽度和重复速率应使得器件的结温度（T
j
）不超过牛逼
J（下最大）
投资评级。
结温（T
j
）不应该增加超过牛逼
J（下MAX
）的评级。
底板平坦度
测量点
散热器侧面
- ：凹
+ ：凸
芯片位置（顶视图）
芯片位置（顶视图）
IGBT
FWDI
NTC热敏电阻
43.2
Y
X
0
46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25
0
0
- ：凹
21.5
32.0
47
24
21.5
30.0
Th
+ ：凸
散热器侧面
48
23
43.6
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
29.6
36.3
尺寸（mm） （公差：
±1mm)
2
78.6
0
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Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272 www.pwrx.com
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双IGBTMOD NX系列模块
400安培/ 600伏
电气和机械特性，
T
j
= 25 ° C除非另有说明
变频器行业
特征
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
V
CE （ SAT ）
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 40毫安，V
CE
= 10V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 400A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 25°C
*5
I
C
= 400A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 125°C
*5
I
C
= 400A ，V
GE
= 15V ，芯片
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
电感
负载
开关
时间
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
*2
QRR
*2
V
EC
*2
I
E
= 400A ，V
GE
= 0V
*5
I
E
= 400A ，V
GE
= 0V
*5
V
CC
= 300V ，我
C
= 400A,
V
GE
=
±15V,
R
G
= 3.6Ω, I
E
= 400A,
感应负载开关操作
V
CC
= 300V ，我
C
= 400A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V
分钟。
—
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
6
—
1.7
1.9
1.6
—
—
—
1100
—
—
—
—
—
11
2.0
1.9
马克斯。
1.0
7
0.5
2.1
—
—
50.0
5.3
1.6
—
200
200
400
600
200
—
2.8
—
单位
mA
伏
A
伏
伏
伏
nF
nF
nF
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
伏
伏
反向恢复时间
反向恢复电荷
发射极 - 集电极电压
热性能和机械性能，
T
j
= 25 ° C除非另有说明
特征
模块引线电阻
热阻，结到外壳**
热阻，结到外壳**
接触热阻**
内部栅极电阻
外部栅极电阻
符号
R
领导
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
D
R
TH（ C-F ）
R
GINT
R
G
测试条件
主要Termnals片（每开关）
每个IGBT
*1
每FWDI
*1
案件散热器（每1模块）
导热硅脂应用
*1*7
T
C
= 25°C
—
1.6
0
—
—
16
Ω
Ω
分钟。
—
—
—
—
典型值。
1.1
—
—
0.015
马克斯。
—
0.112
0.192
—
单位
mΩ
° C / W
° C / W
° C / W
NTC热敏电阻行业，
T
j
= 25 ° C除非另有说明
特征
零功率电阻
电阻偏差
B常数
功耗
符号
R
R/R
B
(25/50)
P
25
测试条件
T
C
= 25°C
*1
T
C
= 100℃ ，R
100
= 493Ω
*1
B = （ INR
1
- INR
2
) / (1/T
1
– 1/T
2
)
*6
T
C
= 25°C
*1
分钟。
4.85
–7.3
—
—
典型值。
5.00
—
3375
—
马克斯。
5.15
+7.8
—
10
单位
kΩ
%
K
mW
**热电阻值是每1个元素。
* 1外壳温度（T
C
）和散热片温度（T
f
）是在刚刚在芯片下底板和散热片的表面上所定义。
*2 I
E
, I
EM
, V
EC
, t
rr
和Q
rr
代表的评分和反并联的特点，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ） 。
* 5脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
*6 R
1
：在绝对温度T阻力
1
（K ）中，R
2
：在绝对温度T阻力
2
（ K） ， T（ K） = T （ ℃） + 273.15
* 7典型值是通过使用的热传导性润滑脂测
λ
= 0.9 [W / （米 K） ] 。
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3
Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272 www.pwrx.com
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双IGBTMOD NX系列模块
400安培/ 600伏
输出特性
（逆变部分 - 典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压特性
（逆变部分 - 典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压特性
（逆变部分 - 典型值）
800
集电极电流，I
C
（安培）
13
12
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
集电极 - 发射极
饱和电压VCE （SAT） ， （伏）
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （ SAT ）
（伏）
V
GE
=
20V
15
T
j
= 25°C
3.5
600
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
10
8
6
4
2
0
T
j
= 25°C
I
C
= 800A
I
C
= 400A
I
C
= 160A
400
11
200
10
9
8
0
0
2
4
6
8
10
200
400
600
800
6
8
10
12
14
16
18
20
集电极 - 发射极电压，V
CE
（伏）
集电极电流，I
C
（安培）
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
续流二极管
正向特性
（逆变部分 - 典型值）
电容与VCE
（逆变部分 - 典型值）
半桥
开关特性
（逆变部分 - 典型值）
10
3
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
（ NF）
发射极电流，I
E
（安培）
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
10
2
V
GE
= 0V
10
4
C
IES
切换时间（纳秒）
10
1
C
OES
10
3
t
f
t
D（关闭）
V
CC
= 300V
V
GE
= ±15V
R
G
= 3.6
T
j
= 125°C
感性负载
10
2
10
0
C
水库
10
2
t
D（上）
10
1
0
1
2
3
4
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
1
10
1
t
r
10
2
集电极电流，I
C
（安培）
10
3
发射极 - 集电极电压V
EC
（伏）
集电极 - 发射极电压，V
CE
（伏）
切换时间与
栅极电阻
（逆变部分 - 典型值）
反向恢复特性
（逆变部分 - 典型值）
栅电荷VS. VGE
（逆变部分）
10
3
反向恢复我
rr
（A ） ，T
rr
（纳秒）
10
3
t
D（关闭）
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
切换时间（纳秒）
t
f
t
D（上）
V
CC
= 300V
V
GE
= ±15V
R
G
= 3.6
T
j
= 25°C
感性负载
20
16
12
8
4
0
I
C
= 400A
V
CC
= 200V
V
CC
= 300V
10
2
t
r
V
CC
= 300V
V
GE
= ±15V
I
C
= 400A
T
j
= 125°C
感性负载
10
2
10
1
10
0
10
1
栅极电阻，R
G
, ()
10
2
10
1
10
1
I
rr
t
rr
10
2
发射极电流，I
E
（安培）
10
3
0
400
800
1200
1600
栅极电荷，Q
G
（ NC ）
4
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400安培/ 600伏
开关损耗与
集电极电流
（逆变部分 - 典型值）
开关损耗与
栅极电阻
（逆变部分 - 典型值）
反向恢复开关损耗VS.
发射极电流
（逆变部分 - 典型值）
10
2
开关损耗， ê
on
, E
关闭
（兆焦耳/脉冲）
开关损耗， ê
on
, E
关闭
（兆焦耳/脉冲）
10
1
10
1
反向恢复
开关损耗， ê
rr
（兆焦耳/脉冲）
V
CC
= 300V
V
GE
= ±15V
R
G
= 3.6
T
j
= 125°C
感性负载
E
on
E
关闭
10
2
10
2
V
CC
= 300V
V
GE
= ±15V
R
G
= 3.6
T
j
= 125°C
感性负载
V
CC
= 300V
V
GE
= ±15V
I
C
= 400A
T
j
= 125°C
感性负载
E
on
E
关闭
10
1
E
rr
10
0
10
1
10
2
集电极电流，I
C
（安培）
10
3
10
0
10
0
10
1
栅极电阻，R
G
, ()
10
2
10
0
10
1
10
2
发射极电流，I
E
（安培）
10
3
归一化瞬态热阻抗，Z
日（ J- C' ）
Z
th
= R
th
（标准值）
反向恢复开关损耗VS.
栅极电阻
（逆变部分 - 典型值）
10
2
反向恢复
开关损耗， ê
rr
（兆焦耳/脉冲）
V
CC
= 300V
V
GE
= ±15V
I
E
= 400A
T
j
= 125°C
感性负载
10
0
10
-3
瞬态热
阻抗特性
（逆变部分 - 典型值）
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
1
10
-2
E
rr
单脉冲
T
C
= 25°C
每单位基础=
R
日（J -C ）
=
0.093°C/W
（IGBT）
R
日（J -C ）
=
0.16°C/W
（ FWDI ）
10
-1
10
-2
10
0
10
0
10
1
栅极电阻，R
G
, ()
10
2
10
-3
10
-5
TIME ， （S ）
10
-4
10
-3
10
-3
04/10第0版
5
QQ：2880707522 复制
