【塑料红外光二极管QEE113包装尺寸0.175 (4.44)0.087 (2.22)0.065 (1】,IC型号QEE113,QEE113 PDF资料,QEE113经销商,ic,电子元器件-51电子网

塑料红外

光二极管

QEE113

包装尺寸

0.175 (4.44)

0.087 (2.22)

0.065 (1.65)

0.050 (1.27)

0.200 (5.08)

0.095 (2.41)

0.500 (12.70)

民

阴极

阳极

0.020 （ 0.51 ） SQ 。

(2X)

概要

0.100 (2.54)

0.030 (0.76)

0.100 (2.54)

喃

阳极

阴极

注意事项：

1，外形尺寸为所有的图纸都是以英寸（毫米）。

在所有非标称尺寸，除非2.公差为± 0.010 （ 0.25 ）

另有规定ED 。

描述

该QEE113是一个940纳米砷化镓LED封装在一个介质广角，塑料sidelooker包。

特点

= 940纳米

封装类型= Sidelooker

芯片的材料砷化镓=

匹配感光器： QSE113

中等宽的发射角度， 50 °

包装材料：透明环氧树脂

高输出功率

在顶侧灰色条纹

2002仙童半导体公司

第1页4

4/30/02

塑料红外

光二极管

QEE113

绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

工作温度

储存温度

焊接温度（铁）

(2,3,4)

焊接温度（流动）

(2,3)

连续正向电流

反向电压

功耗

(1)

注意事项：

1.减免功耗线性1.33毫瓦/°C， 25°C以上。

2. RMA通量建议。

3.甲醇或异丙醇的醇被推荐作为清洗剂。

4.烙铁16"分之1 （1.6毫米），最小的住房。

符号

OPR

英镑

SOL -I

SOL -F

等级

-40至+100

240 ，持续5秒

260 ，持续10秒

100

单位

°C

电/光特性

=25°C)

参数

峰值发射波长

发射角

正向电压

反向电流

辐射强度

上升时间

下降时间

测试条件

= 100毫安

= 100毫安， TP = 20毫秒

= 5 V

= 100毫安， TP = 20毫秒

= 100毫安

符号

1/2

民

—

典型值

940

—

1000

最大

—

1.5

—

单位

度。

毫瓦/ SR

2002仙童半导体公司

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塑料红外

光二极管

QEE113

图1归一化辐射强度与正向电流

- 标准化的辐射强度

标准化为：

= 100毫安脉冲

= 100

占空比= 0.1 ％

= 25C

QEE113而QSE113图2耦合特性

（ON ） - 归一化集电极电流（毫安）

1.0

标准化为：

d=0

脉冲

= 100

占空比= 0.1 ％

= 5 V

= 100

= 25C

0.8

0.6

0.1

0.4

= 100毫安

0.2

0.01

0.001

100

1000

0.0

= 20毫安

- 正向电流（mA ）

镜头TIP分离（英寸）

图3正向电压与环境温度

2.0

= 100毫安

1.0

0.9

= 50毫安

1.5

0.8

图。 4归一化强度与波长

- 正向电压（ V）

归一化强度

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

875

900

925

950

975

1000

1025

1.0

= 20毫安

= 10毫安

0.5

标准化为：

脉冲

= 100

占空比= 0.1 ％

-20

100

0.0

-40

- 环境温度（ ° C）

（纳米）

图。 5辐射图

110

120

130

140

150

160

170

180

100

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

2002仙童半导体公司

第3页4

4/30/02

塑料红外

光二极管

QEE113

放弃

飞兆半导体公司保留随时更改，恕不另行通知的权利

以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担

不承担任何责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;

它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备中的关键部件

或系统未经明确的书面许可， FAIRCHILD SEMICONDUCTOR总统

株式会社。如本文所用：

1.生命支持设备或系统的设备或系统

其中，（ a）打算通过外科手术移植到体内，或

（二）支持或维持生命，和（c），其不履行

如果使用得当按照使用说明

提供的标签，可以合理预期

导致用户的显著伤害。

在生命支持任何组件2.关键部件

设备或系统，其未能履行可

合理预期造成的生命支持故障

装置或系统，或影响其安全性或有效性。

2002仙童半导体公司

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4/30/02

QEE113 - 塑料红外发光二极管

2008年8月

QEE113

塑料红外发光二极管

特点

包装尺寸

■

= 940nm的

■

封装类型= Sidelooker

■

芯片的材料砷化镓=

■

匹配感光器： QSE113

■

中等宽的发射角度， 50 °

■

包装材料：透明环氧树脂

■

高输出功率

■

在顶侧灰色条纹

描述

该QEE113是一个940nm的砷化镓LED封装在一个

中等广角，塑料sidelooker包。

包装尺寸

0.175 (4.44)

0.087 (2.22)

0.065 (1.65)

0.050 (1.27)

0.200 (5.08)

0.095 (2.41)

0.500 (12.70)

民

阴极

阳极

0.020 （ 0.51 ） SQ 。

(2X)

0.100 (2.54)

概要

阳极

阴极

0.100 (2.54)

喃

0.030 (0.76)

注意事项：

1.所有尺寸的图纸为英寸（毫米）。

2.公差为± 0.010 （ 0.25 ）对所有非标称尺寸

除非另有规定ED 。

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QEE113版本1.0.1

www.fairchildsemi.com

QEE113 - 塑料红外发光二极管

绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有规定编）

应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或

操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。

此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。

绝对最大额定值仅为应力额定值。

符号

OPR

英镑

SOL -I

SOL -F

工作温度

储存温度

参数

等级

-40至+100

240 ，持续5秒

260 ，持续10秒

100

单位

°C

焊接温度（铁）

(2,3,4)

焊接温度（流动）

(2,3)

连续正向电流

反向电压

功耗

(1)

注意事项：

1.减免功耗线性1.33mW /°C， 25°C以上。

2. RMA助焊剂，推荐。

3.甲醇或异丙醇的醇被推荐作为清洗剂。

4.烙铁16"分之1 （ 1.6毫米）从最低住房。

电/光特性

= 25°C)

符号参数

2Θ

峰值发射波长

温度COEF网络cient

发射角

正向电压

温度COEF网络cient

反向电流

辐射强度

温度COEF网络cient

上升时间

下降时间

结电容

= 0V

= 100毫安

= 5V

= 100mA时TP = 20ms的

7.5

-0.7

800

= 100毫安

= 100mA时TP = 20ms的

-2

测试条件

= 20mA下

分钟。

典型值。

945

0.3

马克斯。

单位

纳米/ ℃，

1.5

毫伏/°C的

毫瓦/ SR

% / °C

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QEE113 - 塑料红外发光二极管

典型性能曲线

图。 1归一化强度与波长

1.0

0.9

975

图。 2峰值波长与环境温度

峰值发射波长

= 20mA下DC

970

965

960

955

950

945

940

935

归一化强度

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

700

750

800

850

900

950

1,000

1,050

100

（纳米）

- 环境温辐射（ ° C）

图。 3归一化辐射强度与正向电流

图。 4归Radient强度与环境温度

1.4

- 标准化的辐射强度

标准化为：

= 100毫安脉冲

= 20ms的

占空比= 4 ％

= 25°C

- 标准化的辐射强度

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

标准化为：

= 20mA下的脉冲

= 20ms的

占空比= 4 ％

= 25°C

0.1

100

1000

100

- 正向电流（mA ）

- 环境温辐射（ ° C）

图。 5正向电压与正向电流

3.5

脉冲

= 20ms的

占空比= 4 ％

= 25°C

1.55

图。 6正向电压与环境温度

= 20mA下的脉冲

= 20ms的

占空比= 4 ％

- 正向电压（ V）

3.0

- 正向电压（ V）

1.50

1.45

2.5

1.40

2.0

1.35

1.5

1.30

1.0

1.25

100

1000

100

- 正向电流（mA ）

- 环境温辐射（ ° C）

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QEE113 - 塑料红外发光二极管

典型性能曲线

（续）

图。 QEE113而QSE113 8耦合特性

（ON ） - 归一化集电极电流

图。 7辐射图

110°

120°

130°

140°

150°

160°

170°

180°

1.0

100°

90°

80°

70°

60°

50°

40°

30°

20°

10°

0°

1.0

0.8

0.6

标准化为：

D = 0英寸

脉冲

= 100s

占空比= 0.1 ％

= 5V

= 100

= 25°C

0.4

0.2

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

0.0

镜头TIP分离（英寸）

2002仙童半导体公司

QEE113版本1.0.1

www.fairchildsemi.com

QEE113 - 塑料红外发光二极管

商标

以下包括注册和未注册商标和服务标志，由仙童半导体公司和/或其全球子公司拥有，而不是

旨在成为所有此类商标的详尽清单。

构建它现在

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CorePOWER

CROSSVOLT

CTL

电流传输逻辑

EcoSPARK

EfficentMax

EZSWITCH *

飞兆半导体

FACT静音系列

FACT

快

FastvCore

FlashWriter

FPS

F- PFS

FRFET

全球功率资源

绿色FPS

绿色FPS E- Series系列

GTO

的IntelliMAX

等平面

MegaBuck

MICROCOUPLER

的MicroFET

采用MicroPak

MillerDrive

MotionMax

运动-SPM

OPTOLOGIC

OPTOPLANAR

的PowerTrench

可编程有源下垂

QFET

静音系列

RapidConfigure

拯救我们的世界，为1mW / W / kW的同时

SmartMax

SMART START

SPM

隐形

的SuperFET

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

SupreMOS

SyncFET

电源特许经营

TinyBoost

TinyBuck一体化

TinyLogic

TINYOPTO

TinyPower

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TinyWire

SerDes

UHC

超FRFET

的UniFET

VCX

VisualMax

PDP SPM

电源-SPM

* EZSWITCH 和FlashWriter

是系统通用公司的注册商标，由仙童半导体公司授权使用。

放弃

飞兆半导体公司保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，以提高权

可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担因应用或使用任何产品或作出任何赔偿责任

电路本文描述;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。这些

规格不扩大飞兆半导体的全球条款和条件条款，尤其是保修，保修

涵盖这些产品。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或系统的关键组件，而不必的

快车FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION书面批准。

如本文所用：

1.生命支持设备或系统设备或其中，（一）是系统

打算通过外科手术移植到体内或（b ）支持或维持生命，

（三）其不履行时，按照正确使用

与标示中的使用说明，可以合理

预期会导致用户的显著伤害。

在任何组件2.关键部件的生活配套，设备或

系统，其不履行可以合理预期

造成生命支持设备或系统的故障，或影响其

安全性和有效性。

防伪政策

仙童半导体公司的防伪策略。飞兆半导体的防伪策略也表示对我们的外部网站， www.fairchildsemi.com ，

在销售支持。

半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。半导体产品的所有制造商都经历了部分假冒。

谁不慎购买假冒伪劣配件遇到很多问题，如品牌声誉的客户流失，性能不合格，不合格的应用程序，

和增加的生产和制造成本的延迟。飞兆半导体正在采取强有力的措施保护自己和我们的客户从扩散

假冒伪劣配件。飞兆半导体极力鼓励客户直接从飞兆半导体或从授权分销商飞兆半导体谁是购买飞兆半导体件

在我们上面提到的网页列出的国家。产品购买客户无论是从仙童直接或授权分销商飞兆半导体均为正品配件，有

完整的可追溯性，符合飞兆半导体的质量标准，便于操作和存储，并提供访问飞兆半导体全面的先进最新的技术和产品信息。

飞兆半导体与我们的授权分销商将站在所有保证后面会妥善处理可能出现的任何保修问题。飞兆半导体将不提供

任何保修服务或其他援助的部分从未经授权的来源购买。飞兆半导体致力于打击这一全球性问题，并鼓励我们

客户做通过直接购买或从授权分销商停止这种做法的一部分。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

初步

没有Identi网络所需的阳离子

过时的

产品状态

形成性/在设计

一是生产

满负荷生产

不在生产中

德网络nition

数据表包含了设计规范进行产品开发。产品规格可能会改变

恕不另行通知方式。

数据表包含的初步数据;补充资料将在晚些时候公布。飞兆半导体

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在没有任何通知的时间，提高了设计。

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