【IKA03N120H2高速2 -技术具有柔软，快速恢复反并联EMCON何二极管设计用于：- 电视 -】,IC型号Q67040-S4655,Q67040-S4655 PDF资料,Q67040-S4655经销商,ic,电子元器件-51电子网

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IKA03N120H2

高速2 -技术具有柔软，快速恢复反并联EMCON何二极管

设计用于：

- 电视 - 水平偏转线

2

nd

新一代高速科技

为1200V应用程序提供：

- 在谐振电路损失减少

- 温度稳定的行为

- 并行交换能力

- 严格的参数分布

- 集成的反并联二极管

-

E

关闭

优化

I

C

=3A

G

C

E

P-TO220-3-31

（ FULLPAK ）

P-TO220-3-34

（ FULLPAK ）

完整的产品范围和PSpice的模型：

http://www.infineon.com/igbt/

TYPE

IKA03N120H2

IKA03N120H2

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

三角集电极峰值电流（V

GE

= 15V)

T

C

= 100°C,

f

= 32KHz的

集电极电流脉冲，

t

p

受

T

JMAX

关闭安全工作区

V

CE

≤

1200V,

T

j

≤

150°C

二极管的正向电流

T

C

= 25°C

T

C

= 100°C

栅极 - 发射极电压

功耗

T

C

= 25°C

工作结温和存储温度

焊接温度， 1.6毫米（ 0.063英寸）从案例10秒

T

j

,

T

英镑

-

-40...+150

260

°C

V

GE

P

合计

I

F

9.6

3.9

±20

29

V

W

I

Cpuls

-

符号

V

CE

I

C

8.2

9

9

价值

1200

单位

V

A

V

CE

1200V

1200V

I

C

3A

3A

E

关闭

0.15mJ

0.15mJ

T

j

150°C

150°C

记号

包

订购代码

Q67040-S4649

Q67040-S4655

K03H1202 P- TO- 220-3-31

K03H1202 P- TO- 220-3-34

功率半导体

1

MAR- 04 ，第2版

IKA03N120H2

热阻

参数

特征

IGBT的热电阻，

结 - 案

二极管热阻

结 - 壳

热阻，

结 - 环境

R

thJC

R

thJCD

R

thJA

P-TO-220-3-31

P-TO-220-3-34

4.3

5.8

62

K / W

符号

条件

马克斯。值

单位

电气特性，

at

T

j

= 25

°C,

除非另有说明

参数

静态特性

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

V

（ B R ）C （E S）

V

摹ê

= 0V,

I

C

= 30 0A

V

CE （ SAT ）

V

摹ê

= 15V,

I

C

= 3A

T

j

= 25° C

T

j

= 15 0° C

V

摹ê

= 10V,

I

C

= 3A ,

T

j

= 25° C

二极管的正向电压

V

F

V

摹ê

= 0,

I

F

= 3A

T

j

= 25° C

T

j

= 15 0° C

栅极 - 发射极阈值电压

零栅极电压集电极电流

V

GE （日）

I

CES

I

C

= 90μA ，V

权证

=V

摹ê

V

权证

= 1200V,

V

摹ê

= 0V

T

j

= 25° C

T

j

= 15 0° C

栅极 - 发射极漏电流

跨

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电荷

内置发射器电感

（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

门

L

E

V

权证

= 25V,

V

摹ê

= 0V,

f=

1M的赫兹

V

C C

= 9 60V,

I

C

= 3A

V

摹ê

= 1 5V

P -T - 2 20- 3- 1

-

7

-

nH

-

-

-

-

205

24

7

8.6

-

-

-

-

nC

pF

I

GES

g

fs

V

权证

= 0V ,V

摹ê

= 2 0V

V

权证

= 20V,

I

C

= 3A

-

-

-

-

-

-

-

2

20

80

100

-

nA

S

-

-

2.1

1.55

1.6

3

-

-

3.9

A

-

-

-

2.2

2.5

2.4

2.8

-

-

1200

-

-

V

符号

条件

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

功率半导体

2

MAR- 04 ，第2版

IKA03N120H2

开关特性，电感负载，

at

T

j

=25

°C

参数

IGBT特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

开启能量

关闭能源

总开关能量

反并联二极管特性

二极管的反向恢复时间

二极管的反向恢复电荷

二极管的峰值反向恢复电流

二极管电流斜率

t

rr

Q

rr

I

RRM

di

F

/ DT

T

j

= 25° C,

V

R

= 8 00V,

I

F

= 3A,

R

G

= 8 2

-

-

-

-

52

0.23

9.3

723

-

-

-

-

ns

C

A

A / μs的

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关闭

E

ts

T

j

= 25° C,

V

C C

= 8 00V,

I

C

= 3A ,

V

摹ê

= 0V/ 15V,

R

G

= 8 2 ,

2)

L

σ

= 180nH ，

2)

C

σ

= 4 pF的0

能量损失包括

“尾巴”和二极管

2)

反向恢复。

-

-

-

-

-

-

-

9.2

5.2

281

29

0.14

0.15

0.29

-

-

-

-

-

-

-

mJ

ns

符号

条件

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

开关特性，电感负载，

at

T

j

=150

°C

参数

IGBT特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

开启能量

关闭能源

总开关能量

反并联二极管特性

二极管的反向恢复时间

二极管的反向恢复电荷

二极管的峰值反向恢复电流

二极管电流斜率

t

rr

Q

rr

I

RRM

di

F

/ DT

T

j

= 15 0° C

V

R

= 8 00V,

I

F

= 3A,

R

G

= 8 2

-

-

-

-

112

0.52

11

661

-

-

-

-

ns

C

A

A / μs的

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关闭

E

ts

T

j

= 15 0° C

V

C C

= 8 00V,

I

C

= 3A ,

V

摹ê

= 0V/ 15V,

R

G

= 8 2 ,

2)

L

σ

= 180nH ，

C

σ

2 )

= 4 pF的0

能量损失包括

“尾巴”和二极管

3)

反向恢复。

-

-

-

-

-

-

-

9.4

6.7

340

63

0.22

0.26

0.48

-

-

-

-

-

-

-

mJ

ns

符号

条件

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

2)

2)

泄漏电感L

σ

和杂散电容C

σ

由于动态测试电路如图E

从设备IKP03N120H2减刑二极管

3

MAR- 04 ，第2版

功率半导体

IKA03N120H2

开关能量ZVT ，感性负载

参数

IGBT特性

关闭能源

E

关闭

V

C C

= 8 00V,

I

C

= 3A ,

V

摹ê

= 0V/ 15V,

R

G

= 8 2 , C

r 2 )

= 4NF

T

j

= 25° C

T

j

= 15 0° C

-

-

0.05

0.09

-

-

mJ

符号

条件

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

功率半导体

4

MAR- 04 ，第2版

IKA03N120H2

12A

I

c

10A

10A

t

p

=10

s

20

s

I

C

,

集电极电流

I

C

,

集电极电流

8A

T

C

=25°C

T

C

=100°C

50

s

1A

100

s

1米s

0,1A

百米s

DC

0,01A

6A

4A

2A

I

c

0A

10Hz

100Hz

1kHz

10kHz

100kHz

1V

10V

100V

1000V

f,

开关频率

图1.集电极电流的一个函数

开关频率

(T

j

≤

150°C,

D =

0.5,

V

CE

= 800V,

V

GE

= +15V/0V,

R

G

= 82)

V

CE

,

集热器

-

发射极电压

图2.安全工作区

(D

=

0,

T

C

= 25°C,

T

j

≤

150°C)

30W

8A

20W

I

C

,

集电极电流

功耗

6A

4A

10W

P

合计

,

2A

0W

25°C

50°C

75°C

100°C

125°C

150°C

0A

25°C

50°C

75°C

100°C

125°C

150°C

T

C

,

外壳温度

图3.功耗作为一个函数

外壳温度

(T

j

≤

150°C)

T

C

,

外壳温度

图4.集电极电流的一个函数

外壳温度

(V

GE

≤

15V,

T

j

≤

150°C)

功率半导体

5

MAR- 04 ，第2版

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