NPN硅晶体管自动对焦
q
高电流增益
q
高集电极电流
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
互补类型：公元前636 ，公元前638 ，
公元前635
...公元前639
公元前640 （ PNP ）
1
2
3
TYPE
公元前635
公元前637
公元前639
记号
–
订购代码
Q68000-A3360
Q68000-A2285
Q68000-A3361
引脚配置
1
2
3
E
C
B
包
1)
TO-92
如果需要，选择晶体管，键入公元前63年
5
–10 (h
FE
= 63 ... 160 ） ，或公元前63年
5
–16
(h
FE
= 100 ...... 250）是可用的。订购要求的代码。
1)
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
半导体集团
1
5.91
公元前635
...公元前639
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
1)
结 - 壳
2)
R
日JA
R
日JC
≤
156
≤
75
符号
V
CE0
V
CB0
V
EB0
I
C
I
CM
I
B
I
BM
T
j
T
英镑
值
公元前635
45
45
单位
公元前637
60
60
5
1
1.5
100
200
0.8 (1)
150
– 65 … + 150
W
C
mA
A
公元前639
80
100
V
总功耗，
T
C
= 90 C
1)
P
合计
K / W
1)
2)
如果用最大的晶体管。 4毫米引线长度是固定在PCB上用分钟。 10毫米
×
10毫米大面积铜
为集电极端，
R
日JA
= 125 K / W ，因此
P
TOT最大
= 1为W
T
A
= 25 C.
安装在铝散热片15毫米
×
25 mm
×
0.5 mm.
半导体集团
2
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