U.
L.
O
1639
EC
#E7
R
Fi
le
I
GN
D
ZE
TO-220
隔离
MT2
MT1
T
内部触发双向可控硅（ 4 A到15 A）
E3
概述
TECCOR的
QuAdRAC
器件是三端双向可控硅，其中包括一个DIAC触发
安装在同一个封装内。该装置中，由开发
的Teccor ，节省了用户购买的费用和装配时间
离散DIAC ，并装配在门控可控硅相结合。
此外，该交变
QuAdRAC
装置（ QxxxxLTH ）消除了
需要一个缓冲网络。
该
QuAdRAC
设备是一个双向交流开关，是栅极CON-
受控于主端电压的任一极性。它的主要陈建
姿势是交流开关和相位控制的应用，例如
速度控制，温度调节控制，照明
其中，抗噪声能力是必需的控制。
双向可控硅的电流容量从4 A到15 A和电压
范围从200 V到600 V
QuAdRAC
器件可在
TO-220封装。
在TO- 220封装的电气隔离，从2500 V RMS
引线到安装表面。可在特殊的4000 V RMS
顺序。这意味着，没有外部的隔离是必需的，因而
省去了单独的绝缘体，绝缘体 - mount-
荷兰国际集团的步骤，节省美元，较“热卡”的设备。
所有的Teccor三端双向可控硅和双向触发二极管芯片有玻璃钝化路口
确保长期的设备的可靠性和稳定性参数。
可自定义的设备在此数据表的变化
设计应用。有关更多信息，请咨询厂家。
特点
玻璃钝化结
电气隔离包
内部触发DIAC
高浪涌能力 - 高达200 A
高电压能力 - 200 V到600 V
2002年的Teccor电子
晶闸管产品目录
E3 - 1
http://www.teccor.com
+1 972-580-7777
QuAdRAC
数据表
产品型号
I
T（ RMS ）
(5)
隔离
触发端交流开关元件规格（ T- MT1 ）
V
DRM
(1)
I
DRM
(1) (10)
V
TM
(1) (3)
DV
BO
(7)
V
BO
(6)
[DV ± ]
(6)
I
BO
C
T
(11)
MT1
T
MT2
毫安
TO-220
请参阅“封装尺寸”部分
的变化。 （12）
伏
民
200
400
600
200
400
600
400
600
200
400
600
400
600
200
400
600
400
600
200
400
600
400
600
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
T
C
=
25 °C
T
C
=
100 °C
最大
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
T
C
=
125 °C
伏
T
C
= 25 °C
最大
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
伏
最大
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
伏
民
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
最大
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
伏
民
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
μAMPS
最大
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
μFarads
最大
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
4A
Q2004LT
Q4004LT
Q6004LT
Q2006LT
Q4006LT
6A
Q6006LT
Q4006LTH
Q6006LTH
Q2008LT
Q4008LT
8A
Q6008LT
Q4008LTH
Q6008LTH
Q2010LT
Q4010LT
10 A
Q6010LT
Q4010LTH
Q6010LTH
Q2015LT
Q4015LT
15 A
Q6015LT
Q4015LTH
Q6015LTH
具体的测试条件
[DV ± ]
- 动态breakback电压（正向和反向）
DV
BO
- 击穿电压对称性
C
T
- 触发器的触发电容
的di / dt
- 最大速率的变化通态电流的
dv / dt的
- 关键断态电压上升率在额定V
DRM
门打开
dv / dt的（C ）
- 关键整流电压的上升率在额定V
DRM
我
T（ RMS ）
整流的di / dt = 0.54额定我
T（ RMS ）
/女士;门
未通电
2
余吨
- RMS浪涌（非重复）通态电流为8.3 ms周期
对于融合
I
BO
- 峰值电流导通
I
DRM
- 峰值断态电流门打开; V
DRM
=最大额定值
I
GTM
- 峰值门极触发电流（ 10
s最大）
I
H
- 保持电流;门敞开着。
I
T（ RMS ）
- 360° RMS通态电流，导通角
I
TSM
- 峰值单周期浪涌
t
gt
- 门控开启时间
V
BO
- 击穿电压（正向和反向）
V
DRM
- 重复峰值阻断电压
V
TM
- 峰值通态电压有效值电流最大额定
一般注意事项
所有的测量是在60赫兹，电阻性负载时的雄心
+25耳鼻喉科温度
°C
除非另有规定ED 。
工作温度范围（T
J
）为-40
°C
+125
°C.
存储温度范围（T
S
）为-40
°C
+125
°C.
无铅焊锡温度最大为230
°C
10秒
最大;
1/16"
（1.59 MM）的情况下。
外壳温度（T
C
）被测量为显示在二维
外形图。看到这个“封装尺寸”部分
目录。
电气规格说明
(1)
(2)
(3)
(4)
对任一极性MT2的参考MT1
参见图E3.1 ，因为我
H
与牛逼
C
.
参见图E3.4和E3.5图的我
T
与V
T
.
参见图E3.9的浪涌额定值与特定的持续时间。
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E3 - 2
2002年的Teccor电子
晶闸管产品目录
数据表
QuAdRAC
I
H
(1) (2)
I
TSM
(4) (8)
dv / dt的（C ）
(1) (5) (8)
dv / dt的
(1)
t
gt
(6) (9)
I
2
t
I
GTM
的di / dt
(9)
伏/微秒
毫安
最大
40
40
40
50
50
50
50
50
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
70
70
70
70
70
安培
60/50Hz
55/46
55/46
55/46
80/65
80/65
80/65
80/65
80/65
100/83
100/83
100/83
100/83
100/83
120/100
120/100
120/100
120/100
120/100
200/167
200/167
200/167
200/167
200/167
伏/微秒
民
3
3
3
4
4
4
25
25
4
4
4
25
25
4
4
4
30
30
4
4
4
30
30
75
75
50
150
150
125
575
425
175
175
150
575
425
200
200
175
925
775
300
300
200
925
775
T
C
=
T
C
=
100 °C 125 °C
民
50
50
50
100
100
85
450
350
120
120
100
450
350
150
150
120
700
600
200
200
150
700
600
微秒
典型值
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
12.5
12.5
12.5
26.5
26.5
26.5
26.5
26.5
41
41
41
41
41
60
60
60
60
60
166
166
166
166
166
1.2
1.2
1.2
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
50
50
50
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
100
100
100
100
100
安培
2
美国证券交易委员会
安培
安/微秒
参见图E3.6 ，图E3.7和E3.8图电流额定值
具体的操作温度。
（ 6 ）参见图E3.2和E3.3图测试电路。
(7)
DV
BO
= [+ V
BO
] - [- V
BO
]
（ 8 ）参见图E3.7和E3.8图的最大允许的情况下
温度在最大额定电流。
（ 9 ）触发器触发电容= 0.1 μF 0.1微秒上升时间
(10) T
C
= T
J
在关机状态下的测试条件
（11 ）最大所需值，以确保有足够的栅电流
（ 12 ）参见包概述了铅的形式配置。订货时
特殊的引线成形，加上型号为后缀的零件编号。
(5)
电气隔离
所有的Teccor隔离
QuAdRAC
套餐承受最小高
从导线2500 V交流有效值的潜力测试了安装卡
在工作温度范围内的装置。下面的异
LATION表显示标准和可选的隔离额定值。
电气隔离
从信息到安装选项卡*
V AC RMS
2500
4000
TYPE
标准
可选**
* UL认证文件＃ E71639
**对于4000 V的隔离，用“V ”后缀的部件号。
热电阻（稳态）
R
QJC
[R
qJA
] ℃/ W（ TYP ）
TYPE
4A
6A
8A
10 A
15 A
隔离TO- 220
3.6 [50]
3.3
2.8
2.6
2.1
2002年的Teccor电子
晶闸管产品目录
E3 - 3
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+1 972-580-7777
QuAdRAC
数据表
20
正或负
瞬时通态电流（I
T
） - 安培
18
2.0
初始通态电流
= 200毫安DC 4 A至10 A
= 400毫安DC 15 A
T
C
= 25 C
16
14
I
H
(T
C
= 25 C)
1.5
6 A， 8 A和10 A
12
10
8
6
4
I
H
1.0
比
.5
4A
2
0
0
-40
-15
+25
+65
+105
+125
外壳温度（T
C
) – C
0
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
正或负
瞬时通态电压（v
T
） - 伏
图E3.1归DC控股电流与外壳温度
图E3.4通态电流与通态电压（典型值）
（ 4 A至10 A）
正或负
瞬时通态电流（I
T
） - 安培
90
80
R
L
T
C
= 25C
70
60
50
D.U.T.
MT2
15 A
40
30
20
10
0
0
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
120 V
60赫兹
T
V
C
C
T
= 0.1 F
MT1
正或负
瞬时通态电压（v
T
） - 伏
图E3.2测试电路
图E3.5通态电流与通态电压（典型值） （ 15 A）
120
V
C
+V
BO
V+
最大允许的环境温度（T
A
) – C
100
4A
80
60
40
V-
-V
BO
25
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] - 安培
图E3.3测试电路波形
图E3.6最大允许环境温度与
通态电流
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2002年的Teccor电子
晶闸管产品目录
数据表
QuAdRAC
120
110
电流波形：正弦
负载：阻性或感性
导通角： 360
外壳温度：测量
如图所示的二维图
通态平均功耗[P
D（ AV ）
] - 沃茨
130
4.0
最大允许外壳温度（T
C
) – C
3.0
4A
100
4A
90
2.0
80
70
1.0
60
0
电流波形：正弦
负载：阻性或感性
导通角： 360
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] - 安培
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] - 安培
图E3.7最大允许外壳温度对比
通态电流（ 4 A）
图E3.10功耗（典型）与通态电流（ 4 A）
18
120
110
电流波形：正弦
负载：阻性或感性
导通角： 360
外壳温度：测量
如图所示的二维图
通态平均功耗[P
D（ AV ）
] - 沃茨
130
最大允许外壳温度（T
C
) – C
16
14
12
100
6A
15 A
10
15 A
6 A至10 A
90
8
80
8A
10 A
6
70
4
60
2
0
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
14.0
16.0
18.0
20.0
电流波形：正弦
负载：阻性或感性
导通角： 360
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] - 安培
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] - 安培
图E3.8最大允许外壳温度对比
通态电流（ 6 A到15 A）
图E3.11功耗（典型）与通态电流
（ 6 A到10 A和15 A）
200
120
100
80
60
50
40
30
20
第五个
BO
CHANGE - ％
峰值浪涌（不重复）
通态电流（I
TSM
） - 安培
注意事项：
1 ）门控制可以在丢失
和紧随其后的浪涌
当前间隔。
2 ）过载不得重复进行，直到
结温度恢复到
稳态额定值。
+4
+2
0
-2
-4
-6
-8
-40
-20
0
+20 +40 +60 +80 +100 +120 +140
15 A
10 A
10
8
6
5
4
3
2
电源频率： 60 Hz正弦波
负载：阻性
RMS通态电流[ IT （ RMS ） ：最大
在指定的外壳温度额定值
8A
6A
4A
1
1
2
3 4 5 6 8 10
20
3040
60 80 100
200
300
600
1000
浪涌电流持续时间 - 完整的周期
结温（T
J
) – C
图E3.12归DIAC V
BO
VERSUS结温
图E3.9峰值浪涌电流与浪涌电流持续时间
2002年的Teccor电子
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U.
L.
C
RE
Fi
O
IZ
GN
16
ED
le
7
#E
39
E3
TO-220
MT2
MT1
T
QuAdRAC
内部触发双向可控硅（ 4 A到15 A）
E3
RoHS指令
概述
TECCOR的
QuAdRAC
器件是三端双向可控硅，其中包括一个DIAC触发
安装在同一个封装内。该装置中，由开发
的Teccor ，节省了用户购买的费用和装配时间
离散DIAC ，并装配在门控可控硅相结合。
此外，该交变
QuAdRAC
装置（ QxxxxLTH ）消除了
需要一个缓冲网络。
该
QuAdRAC
设备是一个双向交流开关，是栅极CON-
受控于主端电压的任一极性。它的主要陈建
姿势是交流开关和相位控制的应用，例如
速度控制，温度调节控制，照明
其中，抗噪声能力是必需的控制。
双向可控硅的电流容量从4 A到15 A和电压
范围从200 V到600 V
QuAdRAC
器件可在
TO-220封装。
在TO- 220封装的电气隔离，从2500 V RMS
引线到安装表面。可在特殊的4000 V RMS
顺序。这意味着，没有外部的隔离是必需的，因而
省去了单独的绝缘体，绝缘体 - mount-
荷兰国际集团的步骤，节省美元，较“热卡”的设备。
所有的Teccor三端双向可控硅和双向触发二极管芯片有玻璃钝化路口
确保长期的设备的可靠性和稳定性参数。
可自定义的设备在此数据表的变化
设计应用。有关更多信息，请咨询厂家。
特点
符合RoHS
玻璃钝化结
电气隔离包
内部触发DIAC
高浪涌能力 - 高达200 A
高电压能力 - 200 V到600 V
2004 Littelfuse公司
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E3 - 1
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QuAdRAC
数据表
产品型号
I
T（ RMS ）
(5)
隔离
触发端交流开关元件规格（ T- MT1 ）
V
DRM
(1)
I
DRM
(1) (10)
V
TM
(1) (3)
V
BO
(7)
V
BO
(6)
[V± ]
(6)
I
BO
C
T
(11)
MT1
T
MT2
毫安
伏
民
200
400
600
200
400
600
400
600
200
400
600
400
600
200
400
600
400
600
200
400
600
400
600
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
T
C
=
25 °C
T
C
=
100 °C
最大
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
T
C
=
125 °C
伏
T
C
= 25 °C
最大
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
伏
最大
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
伏
民
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
最大
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
伏
民
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
μAMPS
最大
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
μFarads
最大
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
TO-220
请参阅“封装尺寸”部分
的变化。 （12）
4A
Q2004LT
Q4004LT
Q6004LT
Q2006LT
Q4006LT
6A
Q6006LT
Q4006LTH
Q6006LTH
Q2008LT
Q4008LT
8A
Q6008LT
Q4008LTH
Q6008LTH
Q2010LT
Q4010LT
10 A
Q6010LT
Q4010LTH
Q6010LTH
Q2015LT
Q4015LT
15 A
Q6015LT
Q4015LTH
Q6015LTH
具体的测试条件
[V±]
- 动态breakback电压（正向和反向）
V
BO
- 击穿电压对称性
C
T
- 触发器的触发电容
的di / dt
- 最大速率的变化通态电流的
dv / dt的
- 关键断态电压上升率在额定V
DRM
门打开
dv / dt的（C ）
- 关键整流电压的上升率在额定V
DRM
我
T（ RMS ）
整流的di / dt = 0.54额定我
T（ RMS ）
/女士;门
未通电
2
t
- RMS浪涌（非重复）通态电流为8.3 ms周期
I
对于融合
I
BO
- 峰值电流导通
I
DRM
- 峰值断态电流门打开; V
DRM
=最大额定值
I
GTM
- 峰值门极触发电流（ 10
s最大）
I
H
- 保持电流;门敞开着。
I
T（ RMS ）
- 360° RMS通态电流，导通角
I
TSM
- 峰值单周期浪涌
t
gt
- 门控开启时间
V
BO
- 击穿电压（正向和反向）
V
DRM
- 重复峰值阻断电压
V
TM
- 峰值通态电压有效值电流最大额定
一般注意事项
所有的测量是在60赫兹，电阻性负载时的雄心
+25耳鼻喉科温度
°C
除非另有规定ED 。
工作温度范围（T
J
）为-40
°C
+125
°C.
存储温度范围（T
S
）为-40
°C
+125
°C.
无铅焊锡温度最大为230
°C
10秒
最大;
≥1/16"
（1.59 MM）的情况下。
外壳温度（T
C
）被测量为显示在二维
外形图。看到这个“封装尺寸”部分
目录。
电气规格说明
(1)
(2)
(3)
(4)
对任一极性MT2的参考MT1
参见图E3.1 ，因为我
H
与牛逼
C
.
参见图E3.4和E3.5图的我
T
与V
T
.
参见图E3.9的浪涌额定值与特定的持续时间。
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2004 Littelfuse公司
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数据表
QuAdRAC
I
H
(1) (2)
I
TSM
(4) (8)
dv / dt的（C ）
(1) (5) (8)
dv / dt的
(1)
t
gt
(6) (9)
I
2
t
I
GTM
的di / dt
(9)
伏/微秒
毫安
最大
40
40
40
50
50
50
50
50
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
70
70
70
70
70
安培
60/50Hz
55/46
55/46
55/46
80/65
80/65
80/65
80/65
80/65
100/83
100/83
100/83
100/83
100/83
120/100
120/100
120/100
120/100
120/100
200/167
200/167
200/167
200/167
200/167
伏/微秒
民
3
3
3
4
4
4
25
25
4
4
4
25
25
4
4
4
30
30
4
4
4
30
30
75
75
50
150
150
125
575
425
175
175
150
575
425
200
200
175
925
775
300
300
200
925
775
T
C
=
T
C
=
100 °C 125 °C
民
50
50
50
100
100
85
450
350
120
120
100
450
350
150
150
120
700
600
200
200
150
700
600
微秒
典型值
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
12.5
12.5
12.5
26.5
26.5
26.5
26.5
26.5
41
41
41
41
41
60
60
60
60
60
166
166
166
166
166
1.2
1.2
1.2
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
50
50
50
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
100
100
100
100
100
安培
2
美国证券交易委员会
安培
安/微秒
参见图E3.6 ，图E3.7和E3.8图电流额定值
具体的操作温度。
（ 6 ）参见图E3.2和E3.3图测试电路。
(7)
V
BO
= [+ V
BO
] - [- V
BO
]
（ 8 ）参见图E3.7和E3.8图的最大允许的情况下
温度在最大额定电流。
（ 9 ）触发器触发电容= 0.1 μF 0.1微秒上升时间
(10) T
C
= T
J
在关机状态下的测试条件
（11 ）最大所需值，以确保有足够的栅电流
（ 12 ）参见包概述了铅的形式配置。订货时
特殊的引线成形，加上型号为后缀的零件编号。
(5)
电气隔离
所有的Teccor隔离
QuAdRAC
套餐承受最小高
从导线2500 V交流有效值的潜力测试了安装卡
在工作温度范围内的装置。下面的异
LATION表显示标准和可选的隔离额定值。
电气隔离
从信息到安装选项卡*
V AC RMS
2500
4000
TYPE
标准
可选**
* UL认证文件＃ E71639
**对于4000 V的隔离，用“V ”后缀的部件号。
热电阻（稳态）
R
θJC
[R
θJA
] ℃/ W（ TYP ）
TYPE
4A
6A
8A
10 A
15 A
隔离TO- 220
3.6 [50]
3.3
2.8
2.6
2.1
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E3 - 3
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QuAdRAC
数据表
20
正或负
瞬时通态电流（I
T
） - 安培
18
2.0
初始通态电流
= 200毫安DC 4 A至10 A
= 400毫安DC 15 A
T
C
= 25 C
16
14
I
H
(T
C
= 25 C)
1.5
6 A， 8 A和10 A
12
10
8
6
4
I
H
1.0
比
.5
4A
2
0
0
-40
-15
+25
+65
+105
+125
外壳温度（T
C
) – C
0
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
正或负
瞬时通态电压（v
T
） - 伏
图E3.1归DC控股电流与外壳温度
图E3.4通态电流与通态电压（典型值）
（ 4 A至10 A）
正或负
瞬时通态电流（I
T
） - 安培
90
80
R
L
T
C
= 25C
70
60
50
D.U.T.
MT2
15 A
40
30
20
10
0
0
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
120 V
60赫兹
T
V
C
C
T
= 0.1 F
MT1
正或负
瞬时通态电压（v
T
） - 伏
图E3.2测试电路
图E3.5通态电流与通态电压（典型值） （ 15 A）
120
V
C
+V
BO
V+
最大允许的环境温度（T
A
) – C
100
4A
80
60
40
V-
-V
BO
25
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] - 安培
图E3.3测试电路波形
图E3.6最大允许环境温度与
通态电流
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2004 Littelfuse公司
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数据表
QuAdRAC
120
110
电流波形：正弦
负载：阻性或感性
导通角： 360
外壳温度：测量
如图所示的二维图
通态平均功耗[P
D（ AV ）
] - 沃茨
130
4.0
最大允许外壳温度（T
C
) – C
3.0
4A
100
4A
90
2.0
80
70
1.0
60
0
电流波形：正弦
负载：阻性或感性
导通角： 360
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] - 安培
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] - 安培
图E3.7最大允许外壳温度对比
通态电流（ 4 A）
图E3.10功耗（典型）与通态电流（ 4 A）
18
120
110
电流波形：正弦
负载：阻性或感性
导通角： 360
外壳温度：测量
如图所示的二维图
通态平均功耗[P
D（ AV ）
] - 沃茨
130
最大允许外壳温度（T
C
) – C
16
14
12
100
6A
15 A
10
15 A
6 A至10 A
90
8
80
8A
10 A
6
70
4
60
2
0
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
14.0
16.0
18.0
20.0
电流波形：正弦
负载：阻性或感性
导通角： 360
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] - 安培
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] - 安培
图E3.8最大允许外壳温度对比
通态电流（ 6 A到15 A）
图E3.11功耗（典型）与通态电流
（ 6 A到10 A和15 A）
200
120
100
80
60
50
40
30
20
第五个
BO
CHANGE - ％
峰值浪涌（不重复）
通态电流（I
TSM
） - 安培
注意事项：
1 ）门控制可以在丢失
和紧随其后的浪涌
当前间隔。
2 ）过载不得重复进行，直到
结温度恢复到
稳态额定值。
+4
+2
0
-2
-4
-6
-8
-40
-20
0
+20 +40 +60 +80 +100 +120 +140
15 A
10 A
10
8
6
5
4
3
2
电源频率： 60 Hz正弦波
负载：阻性
RMS通态电流[ IT （ RMS ） ：最大
在指定的外壳温度额定值
8A
6A
4A
1
1
2
3 4 5 6 8 10
20
3040
60 80 100
200
300
600
1000
浪涌电流持续时间 - 完整的周期
结温（T
J
) – C
图E3.12归DIAC V
BO
VERSUS结温
图E3.9峰值浪涌电流与浪涌电流持续时间
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U.
L.
O
1639
EC
#E7
R
Fi
le
I
GN
D
ZE
TO-220
隔离
MT2
MT1
T
内部触发双向可控硅（ 4 A到15 A）
E3
概述
TECCOR的
QuAdRAC
器件是三端双向可控硅，其中包括一个DIAC触发
安装在同一个封装内。该装置中，由开发
的Teccor ，节省了用户购买的费用和装配时间
离散DIAC ，并装配在门控可控硅相结合。
此外，该交变
QuAdRAC
装置（ QxxxxLTH ）消除了
需要一个缓冲网络。
该
QuAdRAC
设备是一个双向交流开关，是栅极CON-
受控于主端电压的任一极性。它的主要陈建
姿势是交流开关和相位控制的应用，例如
速度控制，温度调节控制，照明
其中，抗噪声能力是必需的控制。
双向可控硅的电流容量从4 A到15 A和电压
范围从200 V到600 V
QuAdRAC
器件可在
TO-220封装。
在TO- 220封装的电气隔离，从2500 V RMS
引线到安装表面。可在特殊的4000 V RMS
顺序。这意味着，没有外部的隔离是必需的，因而
省去了单独的绝缘体，绝缘体 - mount-
荷兰国际集团的步骤，节省美元，较“热卡”的设备。
所有的Teccor三端双向可控硅和双向触发二极管芯片有玻璃钝化路口
确保长期的设备的可靠性和稳定性参数。
可自定义的设备在此数据表的变化
设计应用。有关更多信息，请咨询厂家。
特点
玻璃钝化结
电气隔离包
内部触发DIAC
高浪涌能力 - 高达200 A
高电压能力 - 200 V到600 V
2002年的Teccor电子
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QuAdRAC
数据表
产品型号
I
T（ RMS ）
(5)
隔离
触发端交流开关元件规格（ T- MT1 ）
V
DRM
(1)
I
DRM
(1) (10)
V
TM
(1) (3)
DV
BO
(7)
V
BO
(6)
[DV ± ]
(6)
I
BO
C
T
(11)
MT1
T
MT2
毫安
TO-220
请参阅“封装尺寸”部分
的变化。 （12）
伏
民
200
400
600
200
400
600
400
600
200
400
600
400
600
200
400
600
400
600
200
400
600
400
600
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
T
C
=
25 °C
T
C
=
100 °C
最大
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
T
C
=
125 °C
伏
T
C
= 25 °C
最大
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
伏
最大
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
伏
民
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
最大
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
伏
民
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
μAMPS
最大
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
μFarads
最大
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
4A
Q2004LT
Q4004LT
Q6004LT
Q2006LT
Q4006LT
6A
Q6006LT
Q4006LTH
Q6006LTH
Q2008LT
Q4008LT
8A
Q6008LT
Q4008LTH
Q6008LTH
Q2010LT
Q4010LT
10 A
Q6010LT
Q4010LTH
Q6010LTH
Q2015LT
Q4015LT
15 A
Q6015LT
Q4015LTH
Q6015LTH
具体的测试条件
[DV ± ]
- 动态breakback电压（正向和反向）
DV
BO
- 击穿电压对称性
C
T
- 触发器的触发电容
的di / dt
- 最大速率的变化通态电流的
dv / dt的
- 关键断态电压上升率在额定V
DRM
门打开
dv / dt的（C ）
- 关键整流电压的上升率在额定V
DRM
我
T（ RMS ）
整流的di / dt = 0.54额定我
T（ RMS ）
/女士;门
未通电
2
余吨
- RMS浪涌（非重复）通态电流为8.3 ms周期
对于融合
I
BO
- 峰值电流导通
I
DRM
- 峰值断态电流门打开; V
DRM
=最大额定值
I
GTM
- 峰值门极触发电流（ 10
s最大）
I
H
- 保持电流;门敞开着。
I
T（ RMS ）
- 360° RMS通态电流，导通角
I
TSM
- 峰值单周期浪涌
t
gt
- 门控开启时间
V
BO
- 击穿电压（正向和反向）
V
DRM
- 重复峰值阻断电压
V
TM
- 峰值通态电压有效值电流最大额定
一般注意事项
所有的测量是在60赫兹，电阻性负载时的雄心
+25耳鼻喉科温度
°C
除非另有规定ED 。
工作温度范围（T
J
）为-40
°C
+125
°C.
存储温度范围（T
S
）为-40
°C
+125
°C.
无铅焊锡温度最大为230
°C
10秒
最大;
1/16"
（1.59 MM）的情况下。
外壳温度（T
C
）被测量为显示在二维
外形图。看到这个“封装尺寸”部分
目录。
电气规格说明
(1)
(2)
(3)
(4)
对任一极性MT2的参考MT1
参见图E3.1 ，因为我
H
与牛逼
C
.
参见图E3.4和E3.5图的我
T
与V
T
.
参见图E3.9的浪涌额定值与特定的持续时间。
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E3 - 2
2002年的Teccor电子
晶闸管产品目录
数据表
QuAdRAC
I
H
(1) (2)
I
TSM
(4) (8)
dv / dt的（C ）
(1) (5) (8)
dv / dt的
(1)
t
gt
(6) (9)
I
2
t
I
GTM
的di / dt
(9)
伏/微秒
毫安
最大
40
40
40
50
50
50
50
50
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
70
70
70
70
70
安培
60/50Hz
55/46
55/46
55/46
80/65
80/65
80/65
80/65
80/65
100/83
100/83
100/83
100/83
100/83
120/100
120/100
120/100
120/100
120/100
200/167
200/167
200/167
200/167
200/167
伏/微秒
民
3
3
3
4
4
4
25
25
4
4
4
25
25
4
4
4
30
30
4
4
4
30
30
75
75
50
150
150
125
575
425
175
175
150
575
425
200
200
175
925
775
300
300
200
925
775
T
C
=
T
C
=
100 °C 125 °C
民
50
50
50
100
100
85
450
350
120
120
100
450
350
150
150
120
700
600
200
200
150
700
600
微秒
典型值
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
12.5
12.5
12.5
26.5
26.5
26.5
26.5
26.5
41
41
41
41
41
60
60
60
60
60
166
166
166
166
166
1.2
1.2
1.2
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
50
50
50
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
100
100
100
100
100
安培
2
美国证券交易委员会
安培
安/微秒
参见图E3.6 ，图E3.7和E3.8图电流额定值
具体的操作温度。
（ 6 ）参见图E3.2和E3.3图测试电路。
(7)
DV
BO
= [+ V
BO
] - [- V
BO
]
（ 8 ）参见图E3.7和E3.8图的最大允许的情况下
温度在最大额定电流。
（ 9 ）触发器触发电容= 0.1 μF 0.1微秒上升时间
(10) T
C
= T
J
在关机状态下的测试条件
（11 ）最大所需值，以确保有足够的栅电流
（ 12 ）参见包概述了铅的形式配置。订货时
特殊的引线成形，加上型号为后缀的零件编号。
(5)
电气隔离
所有的Teccor隔离
QuAdRAC
套餐承受最小高
从导线2500 V交流有效值的潜力测试了安装卡
在工作温度范围内的装置。下面的异
LATION表显示标准和可选的隔离额定值。
电气隔离
从信息到安装选项卡*
V AC RMS
2500
4000
TYPE
标准
可选**
* UL认证文件＃ E71639
**对于4000 V的隔离，用“V ”后缀的部件号。
热电阻（稳态）
R
QJC
[R
qJA
] ℃/ W（ TYP ）
TYPE
4A
6A
8A
10 A
15 A
隔离TO- 220
3.6 [50]
3.3
2.8
2.6
2.1
2002年的Teccor电子
晶闸管产品目录
E3 - 3
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QuAdRAC
数据表
20
正或负
瞬时通态电流（I
T
） - 安培
18
2.0
初始通态电流
= 200毫安DC 4 A至10 A
= 400毫安DC 15 A
T
C
= 25 C
16
14
I
H
(T
C
= 25 C)
1.5
6 A， 8 A和10 A
12
10
8
6
4
I
H
1.0
比
.5
4A
2
0
0
-40
-15
+25
+65
+105
+125
外壳温度（T
C
) – C
0
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
正或负
瞬时通态电压（v
T
） - 伏
图E3.1归DC控股电流与外壳温度
图E3.4通态电流与通态电压（典型值）
（ 4 A至10 A）
正或负
瞬时通态电流（I
T
） - 安培
90
80
R
L
T
C
= 25C
70
60
50
D.U.T.
MT2
15 A
40
30
20
10
0
0
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
120 V
60赫兹
T
V
C
C
T
= 0.1 F
MT1
正或负
瞬时通态电压（v
T
） - 伏
图E3.2测试电路
图E3.5通态电流与通态电压（典型值） （ 15 A）
120
V
C
+V
BO
V+
最大允许的环境温度（T
A
) – C
100
4A
80
60
40
V-
-V
BO
25
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] - 安培
图E3.3测试电路波形
图E3.6最大允许环境温度与
通态电流
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E3 - 4
2002年的Teccor电子
晶闸管产品目录
数据表
QuAdRAC
120
110
电流波形：正弦
负载：阻性或感性
导通角： 360
外壳温度：测量
如图所示的二维图
通态平均功耗[P
D（ AV ）
] - 沃茨
130
4.0
最大允许外壳温度（T
C
) – C
3.0
4A
100
4A
90
2.0
80
70
1.0
60
0
电流波形：正弦
负载：阻性或感性
导通角： 360
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] - 安培
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] - 安培
图E3.7最大允许外壳温度对比
通态电流（ 4 A）
图E3.10功耗（典型）与通态电流（ 4 A）
18
120
110
电流波形：正弦
负载：阻性或感性
导通角： 360
外壳温度：测量
如图所示的二维图
通态平均功耗[P
D（ AV ）
] - 沃茨
130
最大允许外壳温度（T
C
) – C
16
14
12
100
6A
15 A
10
15 A
6 A至10 A
90
8
80
8A
10 A
6
70
4
60
2
0
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
14.0
16.0
18.0
20.0
电流波形：正弦
负载：阻性或感性
导通角： 360
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] - 安培
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] - 安培
图E3.8最大允许外壳温度对比
通态电流（ 6 A到15 A）
图E3.11功耗（典型）与通态电流
（ 6 A到10 A和15 A）
200
120
100
80
60
50
40
30
20
第五个
BO
CHANGE - ％
峰值浪涌（不重复）
通态电流（I
TSM
） - 安培
注意事项：
1 ）门控制可以在丢失
和紧随其后的浪涌
当前间隔。
2 ）过载不得重复进行，直到
结温度恢复到
稳态额定值。
+4
+2
0
-2
-4
-6
-8
-40
-20
0
+20 +40 +60 +80 +100 +120 +140
15 A
10 A
10
8
6
5
4
3
2
电源频率： 60 Hz正弦波
负载：阻性
RMS通态电流[ IT （ RMS ） ：最大
在指定的外壳温度额定值
8A
6A
4A
1
1
2
3 4 5 6 8 10
20
3040
60 80 100
200
300
600
1000
浪涌电流持续时间 - 完整的周期
结温（T
J
) – C
图E3.12归DIAC V
BO
VERSUS结温
图E3.9峰值浪涌电流与浪涌电流持续时间
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