【PNP硅达林顿晶体管SMBTA 63SMBTA 64q高集电极电流q高直流电流增益TYPESMBTA】,IC型号Q68000-A2485,Q68000-A2485 PDF资料,Q68000-A2485经销商,ic,电子元器件-51电子网

51电子网联系电话：13751165337

位置：首页 > IC型号导航 > 首字符Q型号页 > 首字符Q的型号第68页 > Q68000-A2485

PNP硅达林顿晶体管

SMBTA 63

SMBTA 64

q

高集电极电流

q

高直流电流增益

TYPE

SMBTA 63

SMBTA 64

记号

s2U

s2V

订购代码

（磁带和卷轴）

Q68000-A2625

Q68000-A2485

引脚配置

1

2

3

B

E

C

包

1)

SOT-23

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

峰值电流基地

总功耗，

T

S

=

81 C

结温

存储温度范围

热阻

结 - 环境

2)

结 - 焊接点

R

日JA

R

日JS

≤

280

≤

210

符号

V

CE0

V

CB0

V

EB0

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

值

SMBTA 63

SMBTA 64

30

30

10

30

30

10

500

800

100

200

360

150

– 65 … + 150

单位

V

mA

mW

C

K / W

1)

2)

有关详细信息，请参阅本章包装纲要。

安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐

×

40 mm

×

1.5毫米/ 6厘米

2

铜。

半导体集团

1

5.91

SMBTA 63

SMBTA 64

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10

A

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10

A

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 10

A

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 30 V

发射Cuto FF电流

V

EB

= 10 V

直流电流增益

1)

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 5 V

SMBTA 63

SMBTA 64

SMBTA 63

SMBTA 64

V

CESAT

V

BESAT

V

(BR)CE0

V

(BR)CB0

V

(BR)EB0

I

CB0

I

EB0

h

FE

5000

10000

10000

20000

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

1.5

2

V

30

30

10

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

100

100

–

nA

V

值

典型值。

马克斯。

单位

集电极 - 发射极饱和电压

1)

I

C

= 100毫安，

I

B

- 0.1毫安

基射极饱和电压

1)

I

C

= 100毫安，

I

B

- 0.1毫安

AC特性

跃迁频率

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 20 MHz的

f

T

125

–

–

兆赫

1)

脉冲测试条件：

t

≤

300

s,

D

=

2 %.

半导体集团

2

SMBTA 63

SMBTA 64

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*;

T

S

)

*包装安装在环氧

集电极 - 基极电容

C

CB0

=

f

(V

CB0

)

发射极 - 基极电容

C

EB0

=

f

(V

EB0

)

f

= 1兆赫

允许的脉冲负载

P

TOT最大

/P

TOT DC

=

f

(t

p

)

跃迁频率

f

T

=

f

(I

C

)

V

CE

= 5 V

半导体集团

3

SMBTA 63

SMBTA 64

基射极饱和电压

I

C

=

f

(V

BE坐

),

h

FE

= 1000

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

=

f

(V

CE坐

),

h

FE

= 1000

收藏家Cuto FF电流

I

CB0

=

f

(T

A

)

V

CB

=

V

CE MAX

直流电流增益

h

FE

=

f

(I

C

)

V

CE

= 5 V

半导体集团

4

查看更多Q68000-A2485PDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881677436 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

Q68000-A2485

-

-

-

-

终端采购配单精选

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2880707522 复制

点击这里给我发消息

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

Q68000-A2485

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：5645336 复制

电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102

Q68000-A2485

√ 欧美㊣品

▲10/11+

10273

贴◆插

【dz37.com】实时报价有图&PDF

查询更多Q68000-A2485供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司

我要啦免费统计

复制成功！