【NPN硅高压晶体管BFN 16BFN 18q适合于在电视机视频输出级而开关电源q高的击穿电压q低集电】,IC型号Q62702-F885,Q62702-F885 PDF资料,Q62702-F885经销商,ic,电子元器件-51电子网

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NPN硅高压晶体管

BFN 16

BFN 18

q

适合于在电视机视频输出级

而开关电源

q

高的击穿电压

q

低集电极 - 发射极饱和电压

q

互补类型： BFN 17 BFN 19 （ PNP ）

TYPE

BFN 16

BFN 18

记号

DD

DE

订购代码

（磁带和卷轴）

Q62702-F885

Q62702-F1056

引脚配置

1

2

3

B

C

E

包

1)

SOT-89

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

峰值电流基地

总功耗，

T

S

= 130 C

结温

存储温度范围

热阻

结 - 环境

2)

结 - 焊接点

R

日JA

R

日JS

≤

75

≤

20

符号

V

CE0

V

CB0

V

EB0

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

值

BFN 18

BFN 16

250

250

5

200

500

100

200

1

150

– 65 … + 150

300

300

单位

V

mA

W

C

K / W

1)

2)

有关详细信息，请参阅本章包装纲要。

安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐

×

40 mm

×

1.5毫米/ 6厘米

2

铜。

半导体集团

1

5.91

BFN 16

BFN 18

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 1毫安

BFN 16

BFN 18

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 100

A

BFN 16

BFN 18

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 100

A

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 200 V

V

CB

= 250 V

V

CB

= 200 V,

T

A

= 150 C

V

CB

= 250 V,

T

A

= 150 C

发射基截止电流

V

EB

= 3 V

直流电流增益

I

C

= 1毫安，

V

CE

= 10 V

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 10 V

1)

I

C

= 30毫安，

V

CE

= 10 V

1)

BFN 16

BFN 18

BFN 16

BFN 18

I

EB0

h

FE

25

40

40

30

V

CESAT

–

–

V

BESAT

–

–

–

–

0.4

0.5

0.9

–

–

–

–

–

–

–

–

V

V

(BR)CE0

250

300

V

(BR)CB0

250

300

V

(BR)EB0

I

CB0

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

100

100

20

20

100

nA

nA

A

A

nA

–

5

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

V

值

典型值。

马克斯。

单位

BFN 16

BFN 18

集电极 - 发射极饱和电压

1)

I

C

= 20毫安，

I

B

= 2毫安

BFN 16

BFN 18

基射极饱和电压

1)

I

C

= 20毫安，

I

B

= 2毫安

AC特性

跃迁频率

I

C

= 20毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 20 MHz的

输出电容

V

CB

= 30 V,

f

= 1兆赫

f

T

C

敖包

–

–

70

1.5

–

–

兆赫

pF

1)

脉冲测试条件：

t

≤

300

s,

D

= 2 %.

半导体集团

2

BFN 16

BFN 18

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*;

T

S

)

*包装安装在环氧

工作范围

I

C

=

f

(V

CE0

)

T

A

= 25 C,

D

= 0

允许的脉冲负载

P

TOT最大

/P

TOT DC

=

f

(t

p

)

集电极电流

I

C

=

f

(V

BE

)

V

CE

= 10 V

半导体集团

3

BFN 16

BFN 18

跃迁频率

f

T

=

f

(I

C

)

V

CE

= 10 V

收藏家Cuto FF电流

I

CB0

=

f

(T

A

)

V

CB

= 200 V

直流电流增益

h

FE

=

f

(I

C

)

V

CE

= 10 V

半导体集团

4

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联系人：刘先生

地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102

Q62702-F885

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