1M ×4位动态RAM
（超页面模式（ EDO ）版）
HYB 314405BJ / BJL - 50 / -60 / -70
先进的信息
1 048 576字由4位组织
0 70 ° C的工作温度
超页模式 - EDO
性能：
-50
-60
60
15
30
104
25
-70
70
20
35
124
30
ns
ns
ns
ns
ns
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RC
t
HPC
RAS访问时间
CAS访问时间
从地址访问时间
读/写周期时间
超页模式（ EDO ）
周期
50
13
25
89
20
单+ 3.3V（ ± 0.3 V ）电源
低功耗
最大。 252毫瓦活跃（ -50版）
最大。 216毫瓦活跃（ -60版）
最大。 198毫瓦活跃（ -70版）
待机功耗：
7.2毫瓦最大。待机（ LVTTL ）
3.6毫瓦最大。待机（ LVCMOS ）
720
W
最大。待机（ LVCMOS ）的低功耗版本
读，写，读 - 修改 - 写， CAS先于RAS的刷新， RAS只刷新，
隐藏刷新和测试模式能力
所有输入和输出LVTTL兼容
1024刷新周期/ 16毫秒
1024刷新周期/ 128毫秒的低功耗版本
塑料封装： P- SOJ - 26 / 20-5与300万宽
半导体集团
1
4.96
HYB 314405BJ / BJL - 50 / -60 / -70
3.3V 1M ×4 EDO - DRAM
该HYB 314405BJ / BJL是新一代动态RAM组织为1 048 576字了
4位。该HYB 314405BJ / BJL采用CMOS硅栅工艺以及先进的电路
技术提供广阔的操作空间，在内部和系统用户。复
地址输入允许HYB 314405BJ / BJL在一个标准的塑料包装的P- SOJ -二十分之二十六
封装。该封装尺寸提供高系统位密度，并与常用的兼容
使用自动测试和插入设备。体系化的特征包括单+ 3.3 V
（ ± 0.3 V ）电源，直接连接的高性能逻辑器件系列。
订购信息
TYPE
HYB 314405BJ -50
HYB 314405BJ -60
HYB 314405BJ -70
HYB 314405BJL -50
HYB 314405BJL -60
HYB 314405BJL -70
订购代码
Q67100-Q2122
Q67100-Q2124
Q67100-Q2126
根据要求
根据要求
根据要求
包
P-SOJ-26/20-5
P-SOJ-26/20-5
P-SOJ-26/20-5
P-SOJ-26/20-5
P-SOJ-26/20-5
P-SOJ-26/20-5
说明
3.3 V EDO -DRAM
（存取时间为50ns ）
3.3 V EDO -DRAM
（访问时间60 ns ）
3.3 V EDO -DRAM
（访问时间70 ns ）
3.3 V低功耗EDO -DRAM
（存取时间为50ns ）
3.3 V低功耗EDO -DRAM
（访问时间60 ns ）
3.3 V低功耗EDO -DRAM
（访问时间70 ns ）
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HYB 314405BJ / BJL - 50 / -60 / -70
3.3V 1M ×4 EDO - DRAM
引脚配置
（ TOP VIEW ）
P-SOJ-26/20-5
引脚名称
A0-A9
RAS
CAS
WE
OE
I / O1 - I / O4
地址输入
行地址选通
列地址选通
读/写输入
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
电源（ + 3.3V）
接地（ 0 V ）
无连接
V
CC
V
SS
北卡罗来纳州
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HYB 314405BJ / BJL - 50 / -60 / -70
3.3V 1M ×4 EDO - DRAM
框图
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HYB 314405BJ / BJL - 50 / -60 / -70
3.3V 1M ×4 EDO - DRAM
绝对最大额定值
工作温度范围............................................... ............................................. 0 70℃
存储温度范围............................................... .......................................- 55 + 150℃
输入/输出电压..................................................................................................... - 1到+ 4.6 V
电源电压............................................... .................................................. - 1到+ 4.6 V
数据输出电流（短路） ........................................... .................................................. ... 50毫安
注意：
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性的
该装置的损坏。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响器件的可靠性。
DC特性
T
A
= 0至70℃ ，
V
SS
= 0 V,
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 2纳秒
参数
输入高电压
输入低电压
TTL输出高电压（
I
OUT
= - 2 mA）的
TTL输出低电压（
I
OUT
= 2 mA）的
CMOS输出高电压（
I
OUT
= – 100
A)
CMOS输出低电压（
I
OUT
= 100
A)
输入漏电流，任何输入
（ 0 V＆ LT ;
V
in
＆ LT ;
V
CC
+ 0.3 V ，其他所有输入= 0 V）
输出漏电流，任何输入
（ DO被禁用， 0 V <
V
OUT
＆ LT ;
V
CC
+ 0.3 V)
平均
V
CC
电源电流
-50版
-60版
-70版
待机
V
CC
电源电流
（ RAS CAS = = WE =
V
IH ）
平均
V
CC
在RAS -只有电源电流
刷新周期
-50版
-60版
-70版
平均
V
CC
在超页面电源电流
模式（ EDO ）操作
-50版
-60版
-70版
符号
限值
分钟。
马克斯。
0.8
–
0.4
0.2
10
10
2.0
– 1.0
2.4
–
–
– 10
– 10
单元测试
条件
1)
1)
1)
1)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
I
I（L）
I
I（L）
I
CC1
V
CC
+ 0.5 V
V
V
V
V
V
A
A
mA
V
CC
– 0.2 –
1)
2) 3)4)
–
–
–
70
60
55
2
mA
mA
–
2)4)
I
CC2
I
CC3
–
–
–
–
70
60
55
mA
2) 3)4)
I
CC4
–
–
–
70
60
55
半导体集团
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