【IGP03N120H2,IGW03N120H2高速2 -技术设计用于：- SMPS- 灯镇流器- Z】,IC型号Q67040-S4598,Q67040-S4598 PDF资料,Q67040-S4598经销商,ic,电子元器件-51电子网

IGP03N120H2,

IGW03N120H2

高速2 -技术

设计用于：

- SMPS

- 灯镇流器

- ZVS-转换器

- 对于软开关/谐振拓扑优化

2代高速科技

为1200V应用程序提供：

- 在谐振电路损失减少

- 温度稳定的行为

- 并行交换能力

- 严格的参数分布

-

E

关闭

优化

I

C

=3A

nd

IGB03N120H2

C

G

E

P-TO-220-3-1

(TO-220AB)

P- TO- 263-3-2 （ D -PAK ）

(TO-263AB)

P-TO-247-3-1

(TO-247AC)

完整的产品范围和PSpice的模型：

http://www.infineon.com/igbt/

TYPE

IGW03N120H2

IGP03N120H2

IGB03N120H2

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

三角集电极电流

T

C

= 25°C,

f

= 140kHz

T

C

= 100°C,

f

= 140kHz

集电极电流脉冲，

t

p

受

T

JMAX

关闭安全工作区

V

CE

≤

1200V,

T

j

≤

150°C

栅极 - 发射极电压

功耗

T

C

= 25°C

工作结温和存储温度

焊接温度， 1.6毫米（ 0.063英寸）从案例10秒

T

j

,

T

英镑

-

-40...+150

260

225 （用于SMD ）

°C

V

GE

P

合计

±20

62.5

V

W

I

Cpuls

-

符号

V

CE

I

C

9.6

3.9

9.9

价值

1200

单位

V

A

V

CE

1200V

I

C

3A

E

关闭

0.15mJ

T

j

150°C

包

P-TO-247

P-TO-220-3-1

P- TO-263 （四

2

PAK ）

订购代码

Q67040-S4596

Q67040-S4599

Q67040-S4598

功率半导体

1

第2版，三月-04

IGP03N120H2,

IGW03N120H2

热阻

参数

特征

IGBT的热电阻，

结 - 案

热阻，

结 - 环境

SMD版本， PCB上的元件

1)

R

thJA

R

thJA

P-TO-220-3-1

P-TO-247-3-1

P- TO-263 （四

2

PAK ）

R

thJC

符号

条件

IGB03N120H2

马克斯。值

2.0

62

40

单位

K / W

电气特性，

at

T

j

= 25

°C,

除非另有说明

参数

静态特性

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

V

（ B R ）C （E S）

V

摹ê

= 0V,

I

C

= 30 0A

V

CE （ SAT ）

V

摹ê

= 15V,

I

C

= 3A

T

j

= 25° C

T

j

= 15 0° C

V

摹ê

= 10V,

I

C

= 3A ,

T

j

= 25° C

栅极 - 发射极阈值电压

零栅极电压集电极电流

V

GE （日）

I

CES

I

C

= 90μA ，V

权证

=V

摹ê

V

权证

= 1200V,

V

摹ê

= 0V

T

j

= 25° C

T

j

= 15 0° C

栅极 - 发射极漏电流

跨

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电荷

内置发射器电感

（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

门

L

E

V

权证

= 25V,

V

摹ê

= 0V,

f=

1M的赫兹

V

C C

= 9 60V,

I

C

= 3A

V

摹ê

= 1 5V

P -T - 2 20- 3- 1

P-TO-247-3-1

-

7

13

-

nH

-

205

24

7

22

-

nC

pF

I

GES

g

fs

V

权证

= 0V ,V

摹ê

= 2 0V

V

权证

= 20V,

I

C

= 3A

-

2

20

80

100

-

nA

S

-

2.1

2.2

2.5

2.4

3

2.8

-

3.9

A

1200

-

V

符号

条件

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

1)

设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6厘米

2

（ 1层， 70微米厚）的铜区

集电极连接。 PCB是垂直的不吹气。

2

第2版，三月-04

功率半导体

IGP03N120H2,

IGW03N120H2

开关特性，电感负载，

at

T

j

=25

°C

参数

IGBT特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

开启能量

关闭能源

总开关能量

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关闭

E

ts

T

j

= 25° C,

V

C C

= 8 00V,

I

C

= 3A ,

V

摹ê

= 1 5V/ 0 V,

R

G

= 8 2 ,

L

σ

2 )

= 180nH ，

C

σ

2 )

= 4 pF的0

能量损失包括

“尾巴”和二极管

3)

反向恢复。

-

符号

条件

IGB03N120H2

价值

分钟。

典型值。

9.2

5.2

281

29

0.14

0.15

0.29

马克斯。

-

单位

ns

mJ

开关特性，电感负载，

at

T

j

=150

°C

参数

IGBT特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

开启能量

关闭能源

总开关能量

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关闭

E

ts

T

j

= 15 0° C

V

C C

= 8 00V,

I

C

= 3A ,

V

摹ê

= 1 5V/ 0 V,

R

G

= 8 2 ,

L

σ

2 )

= 180nH ，

C

σ

2 )

= 4 pF的0

能量损失包括

“尾巴”和二极管

3)

反向恢复。

-

9.4

6.7

340

63

0.22

0.26

0.48

-

mJ

ns

符号

条件

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

开关能量ZVT ，感性负载

参数

IGBT特性

关闭能源

E

关闭

V

C C

= 8 00V,

I

C

= 3A ,

V

摹ê

= 1 5V/ 0 V,

R

G

= 8 2 ,

C

r 2 )

= 4 nF的

T

j

= 25° C

T

j

= 15 0° C

-

0.05

0.09

-

mJ

符号

条件

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

2)

3)

泄漏电感L

σ

和杂散电容C

σ

由于动态测试电路如图E

从设备IKP03N120H2减刑二极管

3

第2版，三月-04

功率半导体

IGP03N120H2,

IGW03N120H2

IGB03N120H2

12A

I

c

10A

t

p

=1

s

10A

5

s

I

C

,

集电极电流

I

C

,

集电极电流

8A

T

C

=80°C

6A

T

C

=110°C

4A

10

s

1A

50

s

100

s

0,1A

500

s

DC

2A

I

c

100Hz

1kHz

10kHz

100kHz

0A

10Hz

,01A

1V

10V

100V

1000V

f,

开关频率

图1.集电极电流的一个函数

开关频率

(T

j

≤

150°C,

D =

0.5,

V

CE

= 800V,

V

GE

= +15V/0V,

R

G

= 82)

V

CE

,

集热器

-

发射极电压

图2.安全工作区

(D

=

0,

T

C

= 25°C,

T

j

≤

150°C)

12A

60W

10A

50W

I

C

,

集电极电流

50°C

75°C

100°C

125°C

功耗

40W

8A

30W

6A

20W

4A

P

合计

,

10W

2A

0W

25°C

0A

25°C

50°C

75°C

100°C

125°C

150°C

T

C

,

外壳温度

图3.功耗作为一个函数

外壳温度

(T

j

≤

150°C)

T

C

,

外壳温度

图4.集电极电流的一个函数

外壳温度

(V

GE

≤

15V,

T

j

≤

150°C)

功率半导体

4

第2版，三月-04

IGP03N120H2,

IGW03N120H2

10A

9A

8A

V

GE

=15V

6A

12V

10V

8V

6V

IGB03N120H2

I

C

,

集电极电流

I

C

,

集电极电流

7A

6A

5A

4A

3A

2A

1A

V

GE

=15V

12V

10V

8V

6V

4A

2A

0A

0V

1V

2V

3V

4V

5V

0A

0V

1V

2V

3V

4V

5V

V

CE

,

集热器

-

发射极电压

图5.典型的输出特性

(T

j

= 25°C)

V

CE

,

集热器

-

发射极电压

图6.典型的输出特性

(T

j

= 150°C)

V

CE （ SAT ）

,

集热器

-

发射极饱和电压

12A

3V

10A

I

C

=6A

I

C

=3A

I

C

,

集电极电流

8A

T

j

=+150°C

T

j

=+25°C

2V

6A

I

C

=1.5A

4A

1V

2A

0A

3V

5V

7V

9V

0V

-50°C

0°C

50°C

100°C

150°C

V

GE

,

门

-

发射极电压

图7.典型的传输特性

(V

CE

= 20V)

T

j

,

结温

图8.典型的集电极 - 发射极

饱和电压作为接头的功能

温度

(V

GE

= 15V)

功率半导体

5

第2版，三月-04

IGP03N120H2,

IGW03N120H2

高速2 -技术

设计用于：

- SMPS

- 灯镇流器

- ZVS-转换器

- 对于软开关/谐振拓扑优化

2代高速科技

为1200V应用程序提供：

- 在谐振电路损失减少

- 温度稳定的行为

- 并行交换能力

- 严格的参数分布

-

E

关闭

优化

I

C

=3A

nd

IGB03N120H2

C

G

E

P-TO-220-3-1

(TO-220AB)

P- TO- 263-3-2 （ D -PAK ）

(TO-263AB)

P-TO-247-3-1

(TO-247AC)

完整的产品范围和PSpice的模型：

http://www.infineon.com/igbt/

TYPE

IGW03N120H2

IGP03N120H2

IGB03N120H2

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

三角集电极电流

T

C

= 25°C,

f

= 140kHz

T

C

= 100°C,

f

= 140kHz

集电极电流脉冲，

t

p

受

T

JMAX

关闭安全工作区

V

CE

≤

1200V,

T

j

≤

150°C

栅极 - 发射极电压

功耗

T

C

= 25°C

工作结温和存储温度

焊接温度， 1.6毫米（ 0.063英寸）从案例10秒

T

j

,

T

英镑

-

-40...+150

260

225 （用于SMD ）

°C

V

GE

P

合计

±20

62.5

V

W

I

Cpuls

-

符号

V

CE

I

C

9.6

3.9

9.9

价值

1200

单位

V

A

V

CE

1200V

I

C

3A

E

关闭

0.15mJ

T

j

150°C

包

P-TO-247

P-TO-220-3-1

P- TO-263 （四

2

PAK ）

订购代码

Q67040-S4596

Q67040-S4599

Q67040-S4598

功率半导体

1

第2版，三月-04

IGP03N120H2,

IGW03N120H2

热阻

参数

特征

IGBT的热电阻，

结 - 案

热阻，

结 - 环境

SMD版本， PCB上的元件

1)

R

thJA

R

thJA

P-TO-220-3-1

P-TO-247-3-1

P- TO-263 （四

2

PAK ）

R

thJC

符号

条件

IGB03N120H2

马克斯。值

2.0

62

40

单位

K / W

电气特性，

at

T

j

= 25

°C,

除非另有说明

参数

静态特性

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

V

（ B R ）C （E S）

V

摹ê

= 0V,

I

C

= 30 0A

V

CE （ SAT ）

V

摹ê

= 15V,

I

C

= 3A

T

j

= 25° C

T

j

= 15 0° C

V

摹ê

= 10V,

I

C

= 3A ,

T

j

= 25° C

栅极 - 发射极阈值电压

零栅极电压集电极电流

V

GE （日）

I

CES

I

C

= 90μA ，V

权证

=V

摹ê

V

权证

= 1200V,

V

摹ê

= 0V

T

j

= 25° C

T

j

= 15 0° C

栅极 - 发射极漏电流

跨

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电荷

内置发射器电感

（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

门

L

E

V

权证

= 25V,

V

摹ê

= 0V,

f=

1M的赫兹

V

C C

= 9 60V,

I

C

= 3A

V

摹ê

= 1 5V

P -T - 2 20- 3- 1

P-TO-247-3-1

-

7

13

-

nH

-

205

24

7

22

-

nC

pF

I

GES

g

fs

V

权证

= 0V ,V

摹ê

= 2 0V

V

权证

= 20V,

I

C

= 3A

-

2

20

80

100

-

nA

S

-

2.1

2.2

2.5

2.4

3

2.8

-

3.9

A

1200

-

V

符号

条件

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

1)

设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6厘米

2

（ 1层， 70微米厚）的铜区

集电极连接。 PCB是垂直的不吹气。

2

第2版，三月-04

功率半导体

IGP03N120H2,

IGW03N120H2

开关特性，电感负载，

at

T

j

=25

°C

参数

IGBT特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

开启能量

关闭能源

总开关能量

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关闭

E

ts

T

j

= 25° C,

V

C C

= 8 00V,

I

C

= 3A ,

V

摹ê

= 1 5V/ 0 V,

R

G

= 8 2 ,

L

σ

2 )

= 180nH ，

C

σ

2 )

= 4 pF的0

能量损失包括

“尾巴”和二极管

3)

反向恢复。

-

符号

条件

IGB03N120H2

价值

分钟。

典型值。

9.2

5.2

281

29

0.14

0.15

0.29

马克斯。

-

单位

ns

mJ

开关特性，电感负载，

at

T

j

=150

°C

参数

IGBT特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

开启能量

关闭能源

总开关能量

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关闭

E

ts

T

j

= 15 0° C

V

C C

= 8 00V,

I

C

= 3A ,

V

摹ê

= 1 5V/ 0 V,

R

G

= 8 2 ,

L

σ

2 )

= 180nH ，

C

σ

2 )

= 4 pF的0

能量损失包括

“尾巴”和二极管

3)

反向恢复。

-

9.4

6.7

340

63

0.22

0.26

0.48

-

mJ

ns

符号

条件

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

开关能量ZVT ，感性负载

参数

IGBT特性

关闭能源

E

关闭

V

C C

= 8 00V,

I

C

= 3A ,

V

摹ê

= 1 5V/ 0 V,

R

G

= 8 2 ,

C

r 2 )

= 4 nF的

T

j

= 25° C

T

j

= 15 0° C

-

0.05

0.09

-

mJ

符号

条件

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

2)

3)

泄漏电感L

σ

和杂散电容C

σ

由于动态测试电路如图E

从设备IKP03N120H2减刑二极管

3

第2版，三月-04

功率半导体

IGP03N120H2,

IGW03N120H2

IGB03N120H2

12A

I

c

10A

t

p

=1

s

10A

5

s

I

C

,

集电极电流

I

C

,

集电极电流

8A

T

C

=80°C

6A

T

C

=110°C

4A

10

s

1A

50

s

100

s

0,1A

500

s

DC

2A

I

c

100Hz

1kHz

10kHz

100kHz

0A

10Hz

,01A

1V

10V

100V

1000V

f,

开关频率

图1.集电极电流的一个函数

开关频率

(T

j

≤

150°C,

D =

0.5,

V

CE

= 800V,

V

GE

= +15V/0V,

R

G

= 82)

V

CE

,

集热器

-

发射极电压

图2.安全工作区

(D

=

0,

T

C

= 25°C,

T

j

≤

150°C)

12A

60W

10A

50W

I

C

,

集电极电流

50°C

75°C

100°C

125°C

功耗

40W

8A

30W

6A

20W

4A

P

合计

,

10W

2A

0W

25°C

0A

25°C

50°C

75°C

100°C

125°C

150°C

T

C

,

外壳温度

图3.功耗作为一个函数

外壳温度

(T

j

≤

150°C)

T

C

,

外壳温度

图4.集电极电流的一个函数

外壳温度

(V

GE

≤

15V,

T

j

≤

150°C)

功率半导体

4

第2版，三月-04

IGP03N120H2,

IGW03N120H2

10A

9A

8A

V

GE

=15V

6A

12V

10V

8V

6V

IGB03N120H2

I

C

,

集电极电流

I

C

,

集电极电流

7A

6A

5A

4A

3A

2A

1A

V

GE

=15V

12V

10V

8V

6V

4A

2A

0A

0V

1V

2V

3V

4V

5V

0A

0V

1V

2V

3V

4V

5V

V

CE

,

集热器

-

发射极电压

图5.典型的输出特性

(T

j

= 25°C)

V

CE

,

集热器

-

发射极电压

图6.典型的输出特性

(T

j

= 150°C)

V

CE （ SAT ）

,

集热器

-

发射极饱和电压

12A

3V

10A

I

C

=6A

I

C

=3A

I

C

,

集电极电流

8A

T

j

=+150°C

T

j

=+25°C

2V

6A

I

C

=1.5A

4A

1V

2A

0A

3V

5V

7V

9V

0V

-50°C

0°C

50°C

100°C

150°C

V

GE

,

门

-

发射极电压

图7.典型的传输特性

(V

CE

= 20V)

T

j

,

结温

图8.典型的集电极 - 发射极

饱和电压作为接头的功能

温度

(V

GE

= 15V)

功率半导体

5

第2版，三月-04