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> Q62702-S299
BSS 284
SIPMOS
小信号晶体管
P沟道
增强型
逻辑电平
V
GS ( TH)
= -0.8...-1.6 V
销1
G
销2
S
3脚
D
TYPE
BSS 284
TYPE
BSS 284
V
DS
-50 V
I
D
-0.13 A
R
DS ( ON)
10
包
SOT-23
记号
SDS
订购代码
Q62702-S299
磁带和卷轴信息
E6327
最大额定值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
符号
值
-50
-50
单位
V
V
DS
V
DGR
R
GS
= 20 k
门源电压
连续漏电流
V
GS
I
D
±
20
A
-0.13
T
A
= 30 °C
直流漏电流,脉冲
I
Dpuls
-0.52
T
A
= 25 °C
功耗
P
合计
0.36
W
T
A
= 25 °C
半导体集团
1
18/02/1997
BSS 284
最大额定值
参数
芯片或工作温度
储存温度
热电阻,芯片到环境空气
1)
DIN湿度类别, DIN 40 040
IEC气候类型, DIN IEC 68-1
1)包安装在铝
15毫米X 16.7毫米X 0.7毫米
符号
值
-55 ... + 150
-55 ... + 150
≤
350
≤
285
E
55 / 150 / 56
单位
°C
K / W
T
j
T
英镑
R
thJA
Therminal电阻,芯片底物反面
1)
R
thJSR
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
( BR ) DSS
-50
-
-1.2
-0.1
-2
-
-1
5
-
-1.6
V
V
GS
= 0 V,
I
D
= -0.25毫安,
T
j
= 25 °C
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
-0.8
V
GS =
V
DS ,
I
D
= -1毫安
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
-
-1
-60
-0.1
A
V
DS
= -50 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= -50 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
V
DS
= -25 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
-
-10
nA
-
10
V
GS
= -20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
V
GS
= -10 V,
I
D
= -0.13 A
半导体集团
2
18/02/1997
BSS 284
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
跨
值
典型值。
马克斯。
单位
g
fs
0.05
0.08
30
17
8
-
S
pF
-
40
25
12
ns
-
7
10
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS ( ON)最大值,
I
D
= -0.13 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= -25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= -25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= -25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
t
D(上)
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -0.27 A
R
GS
= 50
上升时间
t
r
-
12
18
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -0.27 A
R
GS
= 50
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
-
10
13
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -0.27 A
R
GS
= 50
下降时间
t
f
-
20
27
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -0.27 A
R
GS
= 50
半导体集团
3
18/02/1997
BSS 284
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
逆二极管连续正向电流
I
S
T
A
= 25 °C
逆二极管直流,脉冲
A
-
-
-
-
-0.9
-0.13
-0.52
V
-
-1.2
值
典型值。
马克斯。
单位
I
SM
V
SD
T
A
= 25 °C
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= -0.26 A,
T
j
= 25 °C
半导体集团
4
18/02/1997
BSS 284
功耗
P
合计
=
(T
A
)
漏电流
I
D
=
(T
A
)
参数:
V
GS
≥
-10 V
-0.14
A
-0.12
0.40
W
P
合计
0.32
0.28
0.24
I
D
-0.11
-0.10
-0.09
-0.08
0.20
0.16
0.12
0.08
0.04
0.00
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
-0.07
-0.06
-0.05
-0.04
-0.03
-0.02
-0.01
0.00
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
A
T
A
安全工作区
I
D
= F(V
DS
)
参数:
D
= 0.01,
T
C
=25°C
漏源击穿电压
V
( BR ) DSS
=
(T
j
)
-60
V
-58
V
( BR ) DSS
-57
-56
-55
-54
-53
-52
-51
-50
-49
-48
-47
-46
-45
-60
-20
20
60
100
°C
160
T
j
半导体集团
5
18/02/1997
查看更多
Q62702-S299
PDF信息
推荐型号
Q62703-Q2645
QLB-073-11B3N-3BA
Q62702-D107-P
Q8035P5
QEHC49H3530LT5016
QM100
QS74FCT540ATP
QD320-4T
QEUM5730LO1016
QS7202-80JR
QS74FCT162646CTPV
QAP2J154KRP
QBDW033A0B41-PHZ
QM40-8PAL-CS
QEHC49H3350DO5016
QEUM5550FO1016
Q62703-Q3329
Q67040-S4598
Q48SB9R650PRFC
QEHC49H3310FO3016
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
深圳市壹芯创科技有限公司
QQ:
QQ:2880707522
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QQ:2369405325
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电话:0755-82780082
联系人:杨小姐
地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
Q62702-S299
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-
-
终端采购配单精选
聚芯优品(深圳)控股集团有限公司
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QQ:2881952908
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电话:0755-28458422
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-
-
终端采购配单精选
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QQ:800888908
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Q62702-S299
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