【BSS 297SIPMOS小信号晶体管 N沟道增强型逻辑电平 VGS （ TH）= 0.8...2.】,IC型号Q67000-S118,Q67000-S118 PDF资料,Q67000-S118经销商,ic,电子元器件-51电子网

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BSS 297

SIPMOS

小信号晶体管

N沟道

增强型

逻辑电平

V

GS （ TH）

= 0.8...2.0V

销1

G

TYPE

BSS 297

TYPE

BSS 297

BSS 297

销2

D

记号

SS 297

3脚

S

V

DS

200 V

I

D

0.48 A

R

DS （ ON）

2

包

TO-92

订购代码

Q67000-S118

Q67000-S292

磁带和卷轴信息

E6288

E6325

最大额定值

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

符号

值

200

200

单位

V

V

DS

V

DGR

R

GS

= 20 k

门源电压

栅源电压峰值，非周期性

连续漏电流

V

GS

V

gs

I

D

±

14

±

20

A

0.48

T

A

= 25 °C

直流漏电流，脉冲

I

Dpuls

1.92

T

A

= 25 °C

功耗

P

合计

1

W

T

A

= 25 °C

半导体集团

1

12/05/1997

BSS 297

最大额定值

参数

芯片或工作温度

储存温度

热电阻，芯片到环境空气

1)

DIN湿度类别， DIN 40 040

IEC气候类型， DIN IEC 68-1

符号

值

-55 ... + 150

-55 ... + 150

≤

125

E

55 / 150 / 56

K / W

单位

°C

T

j

T

英镑

R

thJA

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

静态特性

漏源击穿电压

值

典型值。

马克斯。

单位

V

（ BR ） DSS

200

-

1.4

0.1

8

-

10

0.95

1.1

-

2

1

50

100

100

V

V

GS

= 0 V,

I

D

= 0.25毫安，

T

j

= 25 °C

栅极阈值电压

V

GS （ TH）

0.8

V

GS =

V

DS ，

I

D

= 1毫安

零栅极电压漏极电流

I

DSS

-

-

-

A

nA

nA

-

-

-

2

3.3

V

DS

= 200 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 25 °C

V

DS

= 200 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 125 °C

V

DS

= 130 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 25 °C

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

= 20 V,

V

DS

= 0 V

漏源导通电阻

V

GS

= 10 V,

I

D

= 0.45 A

V

GS

= 4.5 V,

I

D

= 0.45 A

半导体集团

2

12/05/1997

BSS 297

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

动态特性

跨

值

典型值。

马克斯。

单位

g

fs

0.5

0.85

300

40

20

-

S

pF

-

400

60

30

ns

-

8

12

V

DS

≥

2

*

I

D *

R

DS （ ON）最大值，

I

D

= 0.45 A

输入电容

C

国际空间站

C

OSS

-

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

输出电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

反向传输电容

C

RSS

-

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

导通延迟时间

t

D（上）

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 0.29 A

R

G

= 50

上升时间

t

r

-

15

25

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 0.29 A

R

G

= 50

打开-O FF延迟时间

t

D（关闭）

-

120

160

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 0.29 A

R

G

= 50

下降时间

t

f

-

50

70

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 0.29 A

R

G

= 50

半导体集团

3

12/05/1997

BSS 297

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

符号

值

参数

分钟。

反向二极管

逆二极管连续正向电流

I

S

T

A

= 25 °C

逆二极管直流，脉冲

典型值。

马克斯。

单位

A

-

-

-

-

0.85

0.48

1.92

V

-

1.1

I

SM

V

SD

T

A

= 25 °C

逆二极管正向电压

V

GS

= 0 V,

I

F

= 0.96 A

半导体集团

4

12/05/1997

BSS 297

功耗

P

合计

=

(T

A

)

漏电流

I

D

=

(T

A

)

参数：

V

GS

≥

10 V

0.50

A

1.2

W

1.0

P

合计

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

I

D

0.40

0.35

0.30

0.25

0.20

0.15

0.10

0.2

0.1

0.0

0

20

40

60

80

100

120

°C

160

0.05

0.00

0

20

40

60

80

100

120

°C

160

T

A

T

A

安全工作区

I

D

= F（V

DS

)

参数：

D

= 0.01,

T

C

=25°C

漏源击穿电压

V

（ BR ） DSS

=

(T

j

)

240

V

230

V

（ BR ） DSS

225

220

215

210

205

200

195

190

185

180

-60

-20

20

60

100

°C

160

T

j

半导体集团

5

12/05/1997

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联系人：刘先生

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