GaAIAs -IR- Lumineszenzdiode （ 880nm波长）
GaAIAs红外发射器（ 880纳米）
SFH 487
面积不平坦
0.7
0.4
0.6
0.4
5.2
4.5
2.54 mm
间距
0.8
0.4
4.1
3.9
4.0
3.6
约。重量0.3克
Maβe在毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有规定。
Wesentliche Merkmale
q
Hergestellt IM Schmelzepitaxieverfahren
q
霍厄Zuverlssigkeit
q
霍厄Impulsbelastbarkeit
q
固特spektrale Anpassung的
思Fotoempfnger
q
Gehusegleich MIT SFH 309 ， SFH 409
Anwendungen
q
IR- Fernsteuerung冯Fernseh- ， Rundfunk-
UND Videogerten ， Lichtdimmern
q
Lichtschranken双500千赫
特点
q
制造的液相外延工艺
q
高可靠性
q
高脉冲处理能力
q
良好的光谱匹配的硅
光电探测器
q
同一个包SFH 309 ， SFH 409
应用
q
红外遥控器，高保真和电视机，录像机
录音机，调光器
q
光反射开关（最大为500 kHz ）
典型值
TYPE
SFH 487
SFH 487-2
Bestellnummer
订购代码
Q62703-Q1095
Q62703-Q2174
Gehuse
包
3毫米-LED- Gehuse （T1）， klares violettes环氧
Gieharz ， Anschlüsse IM 2.54 - mm的光栅（
1
/
10
’’),
Anodenkennzeichnung ： kürzerer并吞
3毫米LED封装件（T1），紫色色的透明
环氧树脂，焊片引脚间距2.54毫米（
1
/
10
’’),
阳极标记：短脚
半导体集团
1
1997-11-01
fex06250
1.8
1.2
29
6.3
5.9
27
阴极（ SFH 409 ）
阳极（ SFH 487 ）
3.1
2.9
(3.5)
芯片位置
0.6
0.4
GEX06250
SFH 487
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Sperrschichttemperatur
结温
Sperrspannung
反向电压
Durchlastrom
正向电流
Stostrom ，
τ ≤
10
s
浪涌电流
Verlustleistung
功耗
Wrmewiderstand ，柏林自由Beinchenlnge
最大。 10毫米
热电阻，之间的引线长度
包装底部和PC板最大。 10毫米
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 55 ... + 100
100
5
100
2.5
200
375
统一性
单位
°C
°C
V
mA
A
mW
K / W
T
op
;
T
英镑
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
R
thJA
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
bezeichnung
描述
Wellenlnge明镜Strahlung
峰值波长
I
F
= 100毫安
Spektrale Bandbreite贝50 ％冯
I
最大
,
I
F
= 100毫安
光谱带宽在50％的
I
最大
Abstrahlwinkel
半角
Aktive Chipflche
有源芯片面积
Abmessungen德aktiven Chipflche
有源芯片面积的尺寸
Abstand Chipoberflche双Linsenscheitel
距离芯片前端镜头顶部
符号
符号
λ
PEAK
邂逅相遇，
价值
880
统一性
单位
nm
λ
80
nm
±
20
0.16
0.4
×
0.4
2.6
毕业生
度。
mm
2
mm
mm
A
L
×
B
L
×
W
H
半导体集团
2
1997-11-01
SFH 487
Strahlstrke
I
e
在Achsrichtung
gemessen贝einem Raumwinkel
= 0.01 SR
辐射强度的分组
I
e
在轴向方向上
在一个立体角
= 0.01 SR
bezeichnung
描述
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
符号
邂逅相遇，
价值
SFH 487
SFH 487-2
统一性
单位
I
e
> 12.5
＆ GT ; 20
毫瓦/ SR
I
典型。
270
270
毫瓦/ SR
辐射特性
I
REL
=
f
()
40
30
20
10
0
1.0
OHR01895
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
90
0.2
0
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
半导体集团
4
1997-11-01
QQ：2881677436 复制
