【硅NPN开关晶体管q高直流电流增益0.1毫安为100 mAq低集电极 - 发射极饱和电压q互补型：】,IC型号Q62702-Z2029,Q62702-Z2029 PDF资料,Q62702-Z2029经销商,ic,电子元器件-51电子网

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硅NPN开关晶体管

q

高直流电流增益0.1毫安为100 mA

q

低集电极 - 发射极饱和电压

q

互补型： 3906 PZT （ PNP ）

PZT 3904

TYPE

PZT 3904

记号

ZT 3904

订购代码

（磁带和卷轴）

Q62702-Z2029

引脚配置

1

2

3

4

B

C

E

C

包

1)

SOT-223

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功耗，

T

S

= 72 C

结温

存储温度范围

热阻

结 - 环境

2)

结 - 焊接点

R

日JA

R

日JS

≤

122

≤

52

符号

V

CE0

V

CB0

V

EB0

I

C

P

合计

T

j

T

英镑

值

40

60

6

200

1.5

150

– 65 … + 150

单位

V

mA

W

C

K / W

1)

2)

有关详细信息，请参阅本章包装纲要。

安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐

×

40 mm

×

1.5毫米/ 6厘米

2

铜。

半导体集团

1

5.91

PZT 3904

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 1毫安，

I

B

= 0

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10

A,

I

B

= 0

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 10

A,

I

C

= 0

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 30 V,

I

E

= 0

集电极 - 发射极截止电流

V

CE

= 30 V, –

V

BE

= 0.5 V

基极发射极截止电流

V

CE

= 30 V, –

V

BE

= 0.5 V

直流电流增益

1)

I

C

= 0.1毫安，

V

CE

= 1 V

I

C

= 1毫安，

V

CE

= 1 V

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 1 V

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 1 V

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 1 V

集电极 - 发射极饱和电压

1)

I

C

= 10毫安，

I

B

= 1毫安

I

C

= 50毫安，

I

B

= 5毫安

基射极饱和电压

1)

I

C

= 10毫安，

I

C

= 1毫安

I

C

= 50毫安，

I

C

= 5毫安

V

(BR)CE0

V

(BR)CB0

V

(BR)EB0

I

CB0

I

CEV

I

BEV

h

FE

40

70

100

60

30

V

CESAT

–

–

V

BESAT

–

–

–

–

0.85

0.95

–

–

0.2

0.3

–

–

–

–

–

–

–

300

–

–

V

40

60

6

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

50

50

50

–

nA

V

值

典型值。

马克斯。

单位

1)

脉冲测试条件：

t

≤

300

s,

D

= 2 %

半导体集团

2

PZT 3904

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

AC特性

跃迁频率

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 20 V,

f

= 100兆赫

集电极 - 基极电容

V

CB

= 5 V,

f

= 1兆赫

输入电容

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

噪声系数

I

C

= 100

A,

V

CE

= 5 V,

R

S

= 1 k,

f

= 10 Hz至15.7千赫

输入阻抗

I

C

= 1毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 1千赫

开路反向电压传输比

I

C

= 1毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 1千赫

短路正向电流传输比

I

C

= 1毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 1千赫

开路输出导纳

I

C

= 1毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 1千赫

V

CC

= 3 V,

I

C

= 10毫安，

I

B1

= 1毫安

V

BE （OFF）的

= 0.5 V

延迟时间

上升时间

V

CC

= 3 V,

I

C

= 10毫安，

I

B1

=

I

B2

= 1毫安

贮存时间

下降时间

（见图表）

f

T

C

敖包

C

IBO

F

300

–

–

–

–

–

–

–

–

4

8

5

dB

兆赫

pF

值

典型值。

马克斯。

单位

h

11e

h

12e

h

21e

h

22e

1

0.5

100

1

–

–

–

–

10

8

400

40

k

10

– 4

–

S

t

d

t

r

t

英镑

t

f

–

–

–

–

–

–

–

–

35

35

200

50

ns

ns

ns

ns

半导体集团

3

PZT 3904

开关时间

开启时间从开机的时候 -

V

BEoff

= 0.5 V至

V

BEON

= 10.6 V,

I

CON

= 10毫安;

I

BON

= 1毫安

输入波形;

t

r

＆ LT ;

1纳秒;

t

p

= 300纳秒;

δ

= 0.02.

打开-O FF时间

I

CON

= 10毫安;

I

BON

= –

I

B关

= 1毫安

延迟和上升时间测试电路;共分流

测试夹具和连接器的电容

C

S

＆ LT ;

4 pF的;范围阻抗= 10 MΩ 。

输入波形;

t

f

＆ LT ;

1纳秒; 10

s

＆ LT ;

t

p

≤

500

s;

δ

= 0.02.

存储和下降时间测试电路;共分流

测试夹具和连接器的电容

C

S

＆ LT ;

4 pF的;范围阻抗= 10 MΩ 。

4

半导体集团

PZT 3904

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*;

T

S

)

*包装安装在环氧

饱和电压

I

C

=

f

(V

BESAT

,

V

CESAT

)

h

FE

= 10

允许的脉冲负载

P

TOT最大

/

P

TOT DC

=

f

(t

p

)

直流电流增益

h

FE

=

f

(I

C

)

V

CE

= 10 V ，归

半导体集团

5

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