【硅N沟道MOS场效应管，三极管初步数据q射频级高达300 MHzBF 543最好是在FM应用qIDS】,IC型号Q62702-F1372,Q62702-F1372 PDF资料,Q62702-F1372经销商,ic,电子元器件-51电子网

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硅N沟道MOS场效应管，三极管

初步数据

q

射频级高达300 MHz

BF 543

最好是在FM应用

q

I

DSS

= 4毫安，

g

fs

- 12毫秒

防静电：静电放电

敏感的设备，观察处理注意事项！

TYPE

BF 543

记号

LDS

订购代码

（磁带和卷轴）

Q62702-F1372

引脚配置

1

2

3

G

D

S

包

1)

SOT-23

最大额定值

参数

漏源电压

漏电流

栅极 - 源极峰值电流

总功耗，

T

A

≤

60 C

存储温度范围

通道温度

环境温度范围

热阻

结 - 环境

2)

R

日JA

≤

450

符号

V

DS

I

D

±

I

GSM

值

20

30

10

200

150

– 55 … + 150

单位

V

mA

mW

P

合计

T

英镑

T

ch

T

A

– 55 … + 150 C

K / W

1)

2)

有关详细信息，请参阅本章包装纲要。

包安装在氧化铝15毫米

×

16.7 mm

×

0.7 mm.

半导体集团

1

07.94

BF 543

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

DC特性

漏源击穿电压

I

D

= 10

A, –

V

GS

= 4 V

栅源击穿电压

±

I

GS

= 10毫安，

V

DS

= 0

门切断电流

±

V

GS

= 6 V,

V

DS

= 0

漏电流

V

DS

= 10 V,

V

GS

= 0

门源夹断电压

V

DS

= 10 V,

I

D

= 20

A

AC特性

正向跨导

V

DS

= 10 V,

I

D

= 4毫安，

f

= 1千赫

门1的输入电容

V

DS

= 10 V,

I

D

= 4毫安，

f

= 1兆赫

反向传输电容

V

DS

= 10 V,

I

D

= 4毫安，

f

= 1兆赫

输出电容

V

DS

= 10 V,

I

D

= 4毫安，

f

= 1兆赫

功率增益（测试电路）

V

DS

= 10 V,

I

D

= 4毫安，

f

= 200兆赫

G

G

= 2毫秒，

G

L

= 0.5毫秒

噪声系数（测试线路）

V

DS

= 10 V,

I

D

= 4毫安，

f

= 200兆赫

G

G

= 2毫秒，

G

L

= 0.5毫秒

g

fs

C

GSS

C

dg

C

DSS

G

p

9.5

–

–

–

–

12

2.7

18

0.9

22

–

–

–

–

–

mS

pF

fF

pF

dB

V

（ BR ） DS

±

V

（ BR ） GSS

±

I

GSS

值

典型值。

马克斯。

单位

20

7

–

2.0

–

–

–

–

4

0.7

–

12

50

6.0

1.5

V

nA

mA

V

I

DSS

–

V

GS （ P）

F

–

1

–

半导体集团

2

BF 543

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

)

典型值。输出特性

I

D

=

f

(V

DS

)

门跨导

g

fs

=

f

(V

GS

)

V

DS

= 10 V,

I

DSS

= 4毫安，

f

= 1千赫

漏电流

I

D

=

f

(V

GS

)

V

DS

= 10 V

半导体集团

3

BF 543

栅极输入电容

C

GSS

=

f

(V

GS

)

V

DS

= 10 V,

I

DSS

= 4毫安，

f

= 1兆赫

输出电容

C

DSS

=

f

(V

DS

)

V

GS

= 0,

I

DSS

= 4毫安，

f

= 1兆赫

反向传输电容

C

dg

=

f

(V

DS

)

V

GS

= 0,

I

DSS

= 4毫安，

f

= 1兆赫

门1输入导纳

y

11s

V

DS

= 10 V,

I

DSS

= 4毫安，

V

GS

= 0

（源电路）

半导体集团

4

BF 543

1号门跨导

y

21s

V

DS

= 10 V,

I

DSS

= 4毫安，

V

GS

= 0

（源电路）

输出导纳

y

22s

V

DS

= 10 V,

I

DSS

= 10毫安，

V

GS

= 0

（源电路）

对于功率增益测试电路

G

p

和噪声系数

F

f=

200兆赫，

G

G

= 2毫秒，

G

L

= 0.5毫秒

半导体集团

5

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电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102

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