【PNP硅晶体管SMBT 5086SMBT 5087q对于AF输入级和驱动器应用q高电流增益q低集电极】,IC型号Q62702-M0002,Q62702-M0002 PDF资料,Q62702-M0002经销商,ic,电子元器件-51电子网

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PNP硅晶体管

SMBT 5086

SMBT 5087

q

对于AF输入级和驱动器应用

q

高电流增益

q

低集电极 - 发射极饱和电压

q

30 Hz至15 kHz的低噪音

TYPE

SMBT 5086

SMBT 5087

记号

s2P

s2Q

订购代码

（磁带和卷轴）

Q62702-M0002

Q68000-A8319

引脚配置

1

2

3

B

E

C

包

1)

SOT-23

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功耗，

T

S

= 71 C

结温

存储温度范围

热阻

结 - 环境

2)

结 - 焊接点

R

日JA

R

日JS

≤

310

≤

240

符号

V

CE0

V

CB0

V

EB0

I

C

P

合计

T

j

T

英镑

值

50

50

3

50

330

150

– 65 … + 150

单位

V

mA

mW

C

K / W

1)

2)

有关详细信息，请参阅本章包装纲要。

安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐

×

40 mm

×

1.5毫米/ 6厘米

2

铜。

半导体集团

1

5.91

SMBT 5086

SMBT 5087

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 1毫安

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 100

A

发射极 - 基极击穿电压，

I

E

= 10

A

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 10 V,

I

E

= 0

V

CB

= 35 V,

I

E

= 0

V

CB

= 35 V,

I

E

= 0,

T

A

= 150 C

直流电流增益

I

C

= 100

A,

V

CE

= 5 V

I

C

= 1毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V

SMBT 5086

SMBT 5087

SMBT 5086

SMBT 5087

SMBT 5086

SMBT 5087

V

CESAT

V

BESAT

V

(BR)CE0

V

(BR)CB0

V

(BR)EB0

I

CB0

–

–

–

h

FE

150

250

150

250

150

250

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

500

800

–

–

–

–

0.3

0.85

V

–

–

–

10

50

20

nA

nA

A

–

50

50

3

–

–

–

–

–

–

V

值

典型值。

马克斯。

单位

集电极 - 发射极饱和电压

1)

I

C

= 10毫安，

I

B

= 1毫安

基射极饱和电压

1)

I

C

= 10毫安，

I

B

= 1毫安

AC特性

跃迁频率

I

C

= 0.5毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

输出电容，

V

CB

= 5 V,

f

= 1兆赫

小信号电流增益

I

C

= 1毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

I

C

= 1毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

噪声系数

I

C

= 100

A,

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫，

R

S

= 3 k

SMBT 5086

SMBT 5087

f

T

C

敖包

h

fe

40

–

150

250

–

–

–

–

–

4

600

900

兆赫

pF

–

NF

–

–

–

–

–

–

–

–

3

2

3

2

dB

dB

dB

dB

SMBT 5086

SMBT 5087

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 10赫兹到15千赫兹，

R

S

= 10 k

SMBT 5086

SMBT 5087

1)

脉冲测试条件：

t

≤

300

s,

D

≤

2 %.

半导体集团

2

SMBT 5086

SMBT 5087

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*;

T

S

)

*包装安装在环氧

集电极 - 基极电容

C

CB0

=

f

(V

CB0

)

发射极 - 基极电容

C

EB0

=

f

(V

EB0

)

允许的脉冲负载

P

TOT最大

/P

TOT DC

=

f

(t

p

)

跃迁频率

f

T

=

f

(I

C

)

V

CE

= 5 V

半导体集团

3

SMBT 5086

SMBT 5087

基射极饱和电压

I

C

=

f

(V

BE坐

),

h

FE

= 40

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

=

f

(V

CE坐

),

h

FE

= 40

集电极电流

I

C

=

f

(V

BE

)

V

CE

= 1 V

直流电流增益

h

FE

=

f

(I

C

)

V

CE

= 1 V

半导体集团

4

SMBT 5086

SMBT 5087

收藏家Cuto FF电流

I

CB0

=

f

(T

A

)

噪声系数

NF

=

f

(V

CE

)

I

C

= 0.2毫安，

R

S

= 2 k,

f

= 1千赫

噪声系数

NF

=

f

(I

C

)

I

C

= 0.2毫安，

R

S

= 2 kΩ的，V

CE

= 5 V

噪声系数

NF

=

f

(I

C

)

V

CE

= 5 V,

f

= 120千赫

半导体集团

5

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电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

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Q62702-M0002

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电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

Q62702-M0002

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电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102

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