NPN硅晶体管自动对焦
BCX 54 BCX ... 56
特点
q
用于AF的驱动级和输出级
q
高集电极电流
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
互补类型： BCX 51 BCX ... 53 （ PNP ）
TYPE
BCX 54
BCX 54-10
BCX 54-16
BCX 55
BCX 55-10
BCX 55-16
BCX 56
BCX 56-10
BCX 56-16
记号
BA
BC
BD
BE
BG
BM
BH
BK
BL
订购代码
（磁带和卷轴）
Q62702-C954
Q62702-C1861
Q62702-C1731
Q62702-C1729
Q62702-C1730
Q62702-C1903
Q62702-C1614
Q62702-C1635
Q62702-C1613
引脚配置
1
2
3
B
C
E
包
1)
SOT-89
1)
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
半导体集团
1
04.96
BCX 54 BCX ... 56
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安
BCX 54
BCX 55
BCX 56
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100
A
BCX 54
BCX 55
BCX 56
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10
A
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 V,
T
A
= 150 C
发射Cuto FF电流
V
EB
= 4 V
直流电流增益
1)
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 2 V
I
C
= 150毫安，
V
CE
= 2 V
BCX 54 BCX 55 BCX 56
BCX 54-10 ， BCX 55-10 ， BCX 56-10
BCX 54-16 ， BCX 55-16 ， BCX 56-16
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 2 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 500毫安，
I
B
= 50毫安
基射极电压
1)
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 2 V
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 20 MHz的
f
T
–
100
–
兆赫
V
(BR)CE0
45
60
80
V
(BR)CB0
45
60
100
V
(BR)EB0
I
CB0
–
–
I
EB0
h
FE
25
40
63
100
25
V
CESAT
V
BE
–
–
–
–
100
160
–
–
–
–
250
160
250
–
0.5
1
V
–
–
–
–
100
20
20
nA
A
nA
–
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
值
典型值。
马克斯。
单位
1)
脉冲测试：
t
≤
300
s,
D
= 2 %.
半导体集团
3
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