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BF 1009
硅N沟道MOSFET四极管
对于低噪声，高增益控制
输入级高达1GHz
工作电压9 V
综合稳定偏置网络
3
4
2
1
VPS05178
防静电：静电放电
敏感的设备，观察处理防范！
TYPE
BF 1009
订购代码标识引脚配置
JKS
Q62702 - F1613 1 = S
2=D
包
3 = 4 G2 = G1 SOT- 143
最大额定值
参数
漏源电压
连续的漏电流
门1 /门2的峰值电流源
1号门（外部偏置）
总功耗，
T
S
≤
76 °C0
储存温度
通道温度
符号
价值
12
25
10
3
200
-55 ...+150
150
V
mW
°C
单位
V
mA
V
DS
I
D
±
I
G1/2SM
+
V
G1SE
P
合计
T
英镑
T
ch
热阻
道 - 焊接点
R
thChS
≤370
K / W
注意：
我们不建议在主动模式下使用外部直流电压的1号门。
半导体集团
半导体集团
1
1
Sep-09-1998
1998-11-01
BF 1009
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
符号
值
参数
分钟。
DC特性
漏源击穿电压
典型值。
-
-
-
-
-
-
10
0.9
马克斯。
-
12
16
60
50
500
-
-
单位
V
（ BR ） DS
±
V
(BR)G1SS
±
V
(BR)G2SS
+I
G1SS
±
I
G2SS
16
8
9
-
-
-
8
-
V
I
D
= 300 μA ， -V
G1S
= 4 V, -
V
G2S
= 4 V
1号门源击穿电压
±
I
G1S
= 10毫安，
V
G2S
=
V
DS
= 0
2号门源击穿电压
±
I
G2S
= 10毫安，
V
G1S
= 0 V,
V
DS
= 0 V
1号门源电流
A
nA
A
mA
V
V
G1S
= 6 V,
V
G2S
= 0 V
2号门源漏电流
±
V
G2S
= 8 V,
V
G1S
= 0 V,
V
DS
= 0 V
漏电流
I
DSS
I
DSO
V
G2S(p)
V
DS
= 9 V,
V
G1S
= 0 ,
V
G2S
= 6 V
工作电流（ selfbiased ）
V
DS
= 9 V,
V
G2S
= 6 V
2号门源夹断电压
V
DS
= 9 V,
I
D
= 100 A
AC特性
正向跨导（自偏置）
g
fs
C
g1ss
C
DSS
G
ps
F
800
G
ps
-
-
-
-
-
40
24
2.1
0.9
22
1.4
50
-
2.5
-
-
-
-
mS
pF
V
DS
= 9 V,
V
G2S
= 6 V,
f
= 1千赫
门1输入电容（自偏置）
V
DS
= 9 V,
V
G2S
= 6 ,
f
= 1兆赫
输出电容（自偏置）
V
DS
= 9 V,
V
G2S
= 6 ,
f
= 100兆赫
功率增益（自偏置）
dB
V
DS
= 9 V,
V
G2S
= 6 ,
f
= 800兆赫
噪声系数（自偏置）
V
DS
= 9 V,
V
G2S
= 6 ,
f
= 800兆赫
增益控制范围（自偏置）
V
DS
= 9 V,
V
G2S
= 1 V,
f
= 800兆赫
半导体集团
半导体集团
2
2
Sep-09-1998
1998-11-01
BF 1009
总功耗
P
合计
=
f
(T
S
)
漏电流
I
D
=
f
(V
G2S
)
300
11
mA
mW
9
8
P
合计
200
I
D
150
100
50
0
0
120
°C
7
6
5
4
3
2
1
20
40
60
80
100
150
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
6.0
T
S
V
G2S
插入功率增益
|
S
21
|
2
=
f
(V
G2S
)
正向转移导纳
|
Y
21
| =
f
(V
G2S
)
26
mS
10
dB
22
-5
20
| S
21
|
2
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
6
-50
-55
-60
-65
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
|Y
21
|
18
16
14
12
10
8
4
2
6.0
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
6.0
V
G2S
V
G2S
半导体集团
半导体集团
3
3
Sep-09-1998
1998-11-01
BF 1009
1号门的输入电容
C
g1ss
=
f
(V
g2s
)
f
= 200MHz的
输出电容
C
DSS
=
f
(V
G2
)
f
= 200MHz的
3.2
pF
3.2
mA
2.4
2.4
C
g1ss
2.0
C
DSS
V
2.0
1.6
1.6
1.2
1.2
0.8
0.8
0.4
0.4
0.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
6.0
0.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
6.0
V
G2S
V
G2S
半导体集团
半导体集团
4
4
Sep-09-1998
1998-11-01
BF 1009
硅N沟道MOSFET四极管
对于低噪声，高增益控制
输入级高达1GHz
工作电压9 V
综合稳定偏置网络
3
4
2
1
VPS05178
防静电：静电放电
敏感的设备，观察处理防范！
TYPE
BF 1009
订购代码标识引脚配置
JKS
Q62702 - F1613 1 = S
2=D
包
3 = 4 G2 = G1 SOT- 143
最大额定值
参数
漏源电压
连续的漏电流
门1 /门2的峰值电流源
1号门（外部偏置）
总功耗，
T
S
≤
76 °C0
储存温度
通道温度
符号
价值
12
25
10
3
200
-55 ...+150
150
V
mW
°C
单位
V
mA
V
DS
I
D
±
I
G1/2SM
+
V
G1SE
P
合计
T
英镑
T
ch
热阻
道 - 焊接点
R
thChS
≤370
K / W
注意：
我们不建议在主动模式下使用外部直流电压的1号门。
半导体集团
半导体集团
1
1
Sep-09-1998
1998-11-01
BF 1009
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
符号
值
参数
分钟。
DC特性
漏源击穿电压
典型值。
-
-
-
-
-
-
10
0.9
马克斯。
-
12
16
60
50
500
-
-
单位
V
（ BR ） DS
±
V
(BR)G1SS
±
V
(BR)G2SS
+I
G1SS
±
I
G2SS
16
8
9
-
-
-
8
-
V
I
D
= 300 μA ， -V
G1S
= 4 V, -
V
G2S
= 4 V
1号门源击穿电压
±
I
G1S
= 10毫安，
V
G2S
=
V
DS
= 0
2号门源击穿电压
±
I
G2S
= 10毫安，
V
G1S
= 0 V,
V
DS
= 0 V
1号门源电流
A
nA
A
mA
V
V
G1S
= 6 V,
V
G2S
= 0 V
2号门源漏电流
±
V
G2S
= 8 V,
V
G1S
= 0 V,
V
DS
= 0 V
漏电流
I
DSS
I
DSO
V
G2S(p)
V
DS
= 9 V,
V
G1S
= 0 ,
V
G2S
= 6 V
工作电流（ selfbiased ）
V
DS
= 9 V,
V
G2S
= 6 V
2号门源夹断电压
V
DS
= 9 V,
I
D
= 100 A
AC特性
正向跨导（自偏置）
g
fs
C
g1ss
C
DSS
G
ps
F
800
G
ps
-
-
-
-
-
40
24
2.1
0.9
22
1.4
50
-
2.5
-
-
-
-
mS
pF
V
DS
= 9 V,
V
G2S
= 6 V,
f
= 1千赫
门1输入电容（自偏置）
V
DS
= 9 V,
V
G2S
= 6 ,
f
= 1兆赫
输出电容（自偏置）
V
DS
= 9 V,
V
G2S
= 6 ,
f
= 100兆赫
功率增益（自偏置）
dB
V
DS
= 9 V,
V
G2S
= 6 ,
f
= 800兆赫
噪声系数（自偏置）
V
DS
= 9 V,
V
G2S
= 6 ,
f
= 800兆赫
增益控制范围（自偏置）
V
DS
= 9 V,
V
G2S
= 1 V,
f
= 800兆赫
半导体集团
半导体集团
2
2
Sep-09-1998
1998-11-01
BF 1009
总功耗
P
合计
=
f
(T
S
)
漏电流
I
D
=
f
(V
G2S
)
300
11
mA
mW
9
8
P
合计
200
I
D
150
100
50
0
0
120
°C
7
6
5
4
3
2
1
20
40
60
80
100
150
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
6.0
T
S
V
G2S
插入功率增益
|
S
21
|
2
=
f
(V
G2S
)
正向转移导纳
|
Y
21
| =
f
(V
G2S
)
26
mS
10
dB
22
-5
20
| S
21
|
2
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
6
-50
-55
-60
-65
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
|Y
21
|
18
16
14
12
10
8
4
2
6.0
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
6.0
V
G2S
V
G2S
半导体集团
半导体集团
3
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1998-11-01
BF 1009
1号门的输入电容
C
g1ss
=
f
(V
g2s
)
f
= 200MHz的
输出电容
C
DSS
=
f
(V
G2
)
f
= 200MHz的
3.2
pF
3.2
mA
2.4
2.4
C
g1ss
2.0
C
DSS
V
2.0
1.6
1.6
1.2
1.2
0.8
0.8
0.4
0.4
0.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
6.0
0.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
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G2S
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半导体集团
半导体集团
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Sep-09-1998
1998-11-01
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Q62702-B912
Q6025K6
Q67120-C0983
QSA2S3.5NH1G8
QPW025A0F41-H
QSE112
Q62702-P75
QM15DX-2H
QL8X12B-1PL44I
Q67065-S6135
QS74FCT521ATQ
QS3306AS1
QS3383HB
QM10-32PL-CF
Q8006VH4
QS74FCT2244CTQ
QS74FCT841ATQ
QM20-32RL-CFI
Q67000-A5112
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    Q62702-F1613
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    -
    -
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Q62702-F1613
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