【BBY 58-03W硅调谐二极管初步数据卓越的线性度高Q超突变调谐二极管低串联电感设计用于低调谐电压】,IC型号Q62702-B912,Q62702-B912 PDF资料,Q62702-B912经销商,ic,电子元器件-51电子网

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BBY 58-03W

硅调谐二极管

初步数据

卓越的线性度

高Q超突变调谐二极管

低串联电感

设计用于低调谐电压操作

对VCO的移动通信设备

对于低频率控制元件

如温度补偿晶体振荡器和压控石英振荡器

非常低的电容蔓延

2

1

VPS05176

TYPE

BBY 58-03W

记号

8 cathd.yellow

订购代码

Q62702-B912

引脚配置

1=C

2=A

包

SOD-323

最大额定值

参数

二极管的反向电压

正向电流

工作温度范围

储存温度

符号

价值

10

20

-55 ...+150

-55 ...+150

单位

V

mA

°C

V

R

I

F

T

op

T

英镑

半导体集团

半导体集团

1

1

Au

1998-11-01

-03-1998

BBY 58-03W

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

符号

值

分钟。

DC特性

反向电流

典型值。

-

-

马克斯。

1

100

单位

I

R

I

R

-

-

nA

V

R

= 8 V

反向电流

V

R

= 8 V,

T

A

= 65 °C

AC特性

二极管电容

C

T

17.5

-

-

5.5

18.3

12.35

8.6

6

2.15

3.05

0.25

0.09

0.6

19.3

-

-

6.6

-

3.3

-

-

-

pF

V

R

= 1 V,

f

= 1兆赫

V

R

= 2 V,

f

= 1兆赫

V

R

= 3 V,

f

= 1兆赫

V

R

= 4 V,

f

= 1兆赫

电容比

C

T1

/C

T3

C

T1

/C

T4

r

s

C

C

L

s

-

2.8

-

-

-

-

V

R

= 1 V,

V

R

= 3 V,

f

= 1兆赫

电容比

V

R

= 1 V,

V

R

= 4 V,

f

= 1兆赫

串联电阻

pF

nH

V

R

= 1 V,

f

= 470兆赫

案例电容

f

= 1兆赫

串联电感芯片到地

半导体集团

半导体集团

2

2

Au

1998-11-01

-03-1998

BBY 58-03W

二极管电容

C

T

= f

(V

R

)

f

= 1MHz的

二极管的温度系数

电容

T

Cc

=

f

(V

R

)

10

-2

32

pF

1/°C

C

T

24

T

Cc

20

10

-3

16

12

8

4

10

-4

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

0

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

V

5.0

V

5.0

V

R

V

R

归一化二极管电容

C

（TA）

/

C

(25°C)

=

f

(T

A

)

f

= 1MHz时，

V

R

=参数

1.04

-

C

TA

1.02

/C

25°C

1.01

1.00

0.99

0.98

0.97

0.96

0.95

-30

1V

4V

-10

10

30

50

70

°C

100

T

A

半导体集团

半导体集团

3

3

Au

1998-11-01

-03-1998

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