晶闸管模块
非隔离型
PWB80A
PWB80A
是晶闸管模块适合于低电压，3相recifier应用程序。
I
T（ AV ）
80A （每个设备）
高浪涌电流2500 A（ 60赫兹）
施工方便
非隔离。安装底座为共阳极端子
应用
焊接电源
各种直流电源
单位
A
最大额定值
符号
V
RRM
V
RSM
V
DRM
符号
I
T
I
T
AV
RMS
项
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
重复峰值断态电压
项
平均通态电流
均方根通态电流
浪涌通态电流
I
2
t
栅极峰值功耗
平均门功耗
栅极峰值电流
峰值栅极电压（正向）
峰值栅极电压（反向）
通态电流临界上升率
工作结温
储存温度
MOUNTING
力矩
块
M6安装
终端M5
评级
PWB80A30
300
360
300
条件
单相半波， 180导通，TC 116
单相半波， 180导通，TC 116
1
2
周期，
PWB80A40
400
480
400
评级
80
125
2280
/
2500
26000
10
1
3
10
5
单位
V
V
V
单位
A
A
A
A
2
S
W
W
A
V
V
A
/
s
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G
AV
为50Hz / 60Hz的，峰值，非重复性
I
FGM
V
FGM
V
RGM
迪DT
Tj
TSTG
I
G
200毫安TJ 25
V
D
1
2
V
DRM
dI
G
/
DT 1A
/
s
30
30
50
150
125
推荐值2.5 3.9 25 40
推荐值1.5 2.5 15 25
4.7 48
2.7 28
170
N
f
B
g
电气特性
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
I
GT
V
GT
V
GD
TGT
DT的dV
I
H
RTH J-
项
重复峰值断态电流，最大。
重复峰值反向电流，最大。
峰值通态电压，最大
门极触发电流/电压，最大。
非触发门电压。分钟。
开启时间，最大
断态电压，最小的临界上升率。
保持电流，典型值。
热阻抗，最大。
条件
在V
DRM
，单相半波， TJ 150
在V
DRM
，单相半波， TJ 150
通态电流240A ， TJ 25
TJ 25
TJ 150
I
T
1A V
D
6V
V
D
1
2
V
DRM
评级
12
12
1.20
150
/
2
0.25
单位
mA
mA
V
mA
/
V
V
s
V
/
s
mA
/
W
研究所。测量
I
T
我80A
G
200毫安TJ 25
TJ 150 ，V
D
TJ 25
结到外壳
1
dI
G
/
DT 1A
/
s
2
V
DRM
，指数波。
3
V
D
2
V
DRM
3
模块
1
10
50
100
0.35
55
奈纳半导体有限公司
emiconductor
不
-isolated晶闸管模块
特点
低压三相
对2500A @ 60Hz的高浪涌电流
施工方便
非隔离
安装底座为共阳极
80NT3
电压额定值
(T
C
= 25
O
C除非另有说明）
参数
最大重复峰值
反向电压
最大非重复性
峰值反向电压
最大重复峰值
断态电压
符号
V
RRM
V
RSM
V
DRM
值
300
360
300
单位
V
V
V
NT3
电气特性
(T
C
= 25
O
C除非另有说明）
参数
平均通态电流
均方根通态电流
通态浪涌电流
余吨需要融合
栅极峰值功耗
平均门功耗
栅极峰值电流
峰值栅极电压（正向）
峰值栅极电压（反向）
通态电流临界上升率
断态电压临界上升率
保持电流
I
0
=的200mA， V
0
= ½ V
DRM
，二
G
/ DT = 1
A / μs的
0
2/3
T
J
= 150℃ ，V
0
= V
DRM
，指数
WAVE
2
条件
单相半
半波， 180
0
导@ T
C
= 116 C
0
符号
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
It
P
GM
P
GM（ AV ）
I
GM
VFGM
VRGM
的di / dt
dv / dt的
I
H
2
值
80
125
2280
26000
10
1
3
10
5
50
50
100
单位
A
A
A
AS
W
W
A
V
V
A / μs的
V / μs的
mA
2
半周期，50赫兹/ 60赫兹，峰值，
不重复
重复
热&机械规格
(T
C
= 25
O
C除非另有说明）
参数
工作结温范围
存储温度范围
热阻，结到外壳
符号
T
J
T
英镑
R
TH （JC）
值
-30至+150
-30到+125
0.35
单位
0
0
0
C
C
C / W
1
D- 95 ，扇区63 ，诺伊达 - 201301 ，印度电话： 0120-4205450 传真： 0120
4205450
0120-4273653
sales@nainasemi.comwww.nainasemi.com
奈纳半导体有限公司
emiconductor
80NT3
尺寸：mm
二极管配置
2
D- 95 ，扇区63 ，诺伊达 - 201301 ，印度电话： 0120-4205450 传真： 0120
4205450
0120-4273653
sales@nainasemi.comwww.nainasemi.com
晶闸管模块
非隔离型
PWB80A
PWB80A
是晶闸管模块适合于低电压，3相recifier应用程序。
I
T（ AV ）
80A （每个设备）
高浪涌电流2500 A（ 60赫兹）
施工方便
非隔离。安装底座为共阳极端子
应用
焊接电源
各种直流电源
单位
A
最大额定值
符号
V
RRM
V
RSM
V
DRM
符号
I
T
I
T
AV
RMS
项
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
重复峰值断态电压
项
平均通态电流
均方根通态电流
浪涌通态电流
I
2
t
栅极峰值功耗
平均门功耗
栅极峰值电流
峰值栅极电压（正向）
峰值栅极电压（反向）
通态电流临界上升率
工作结温
储存温度
MOUNTING
力矩
块
M6安装
终端M5
评级
PWB80A30
300
360
300
条件
单相半波， 180导通，TC 116
单相半波， 180导通，TC 116
1
2
周期，
PWB80A40
400
480
400
评级
80
125
2280
/
2500
26000
10
1
3
10
5
单位
V
V
V
单位
A
A
A
A
2
S
W
W
A
V
V
A
/
s
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G
AV
为50Hz / 60Hz的，峰值，非重复性
I
FGM
V
FGM
V
RGM
迪DT
Tj
TSTG
I
G
200毫安TJ 25
V
D
1
2
V
DRM
dI
G
/
DT 1A
/
s
30
30
50
150
125
推荐值2.5 3.9 25 40
推荐值1.5 2.5 15 25
4.7 48
2.7 28
170
N
f
B
g
电气特性
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
I
GT
V
GT
V
GD
TGT
DT的dV
I
H
RTH J-
项
重复峰值断态电流，最大。
重复峰值反向电流，最大。
峰值通态电压，最大
门极触发电流/电压，最大。
非触发门电压。分钟。
开启时间，最大
断态电压，最小的临界上升率。
保持电流，典型值。
热阻抗，最大。
条件
在V
DRM
，单相半波， TJ 150
在V
DRM
，单相半波， TJ 150
通态电流240A ， TJ 25
TJ 25
TJ 150
I
T
1A V
D
6V
V
D
1
2
V
DRM
评级
12
12
1.20
150
/
2
0.25
单位
mA
mA
V
mA
/
V
V
s
V
/
s
mA
/
W
研究所。测量
I
T
我80A
G
200毫安TJ 25
TJ 150 ，V
D
TJ 25
结到外壳
1
dI
G
/
DT 1A
/
s
2
V
DRM
，指数波。
3
V
D
2
V
DRM
3
模块
1
10
50
100
0.35
55
QQ：2881677436 复制
