【PHK5NQ15T的TrenchMOS 标准水平FETM3D315版本01 - 2003年1月20日】,IC型号PHK5NQ15T,PHK5NQ15T PDF资料,PHK5NQ15T经销商,ic,电子元器件-51电子网

PHK5NQ15T

的TrenchMOS 标准水平FET

M3D315

版本01 - 2003年1月20日

产品数据

1.产品廓

1.1说明

在一个塑料封装，使用N沟道增强型音响场效晶体管

的TrenchMOS 技术。

产品可用性：

PHK5NQ15T在SOT96-1 （ SO8 ）。

1.2产品特点

s

低通态电阻

s

表面贴装封装。

1.3应用

s

的DC-DC初级侧开关

s

通用开关。

1.4快速参考数据

s

V

DS

≤

150 V

s

P

合计

≤

6.25 W

s

I

D

≤

5 A

s

R

DSON

≤

75 m

2.管脚信息

表1：

针

1,2,3

4

5,6,7,8

穿针 - SOT96-1 ，简化的外形和符号

描述

源极（S ）

栅极（G ）

漏极（四）

g

1

顶视图

4

MBK187

简化的轮廓

8

5

符号

d

MBB076

s

SOT96-1

飞利浦半导体

PHK5NQ15T

的TrenchMOS 标准水平FET

3.极限值

表2：

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号参数

V

DS

V

DGR

V

GS

I

D

I

DM

P

合计

T

英镑

T

j

I

S

I

SM

漏极 - 源极电压（直流）

漏极 - 栅极电压（直流）

栅极 - 源极电压（直流）

漏电流（ DC ）

峰值漏极电流

总功耗

储存温度

结温

源（二极管的正向）直流（DC ）笔

sp

= 25

°C

峰源（二极管正向）电流T

sp

= 25

°C;

脉冲;吨

p

≤

10

s

T

sp

= 25

°C;

V

GS

= 10 V;

图2

和

3

T

sp

= 100

°C;

V

GS

= 10 V;

图2

T

sp

= 25

°C;

脉冲;吨

p

≤

10

s;

科幻gure 3

T

sp

= 25

°C;

图1

条件

25

°C ≤

T

j

≤

150

°C

25

°C ≤

T

j

≤

150

°C;

R

GS

= 20 k

民

-

55

-

最大

150

±20

5

3.23

20

6.25

+150

5

20

单位

V

A

W

°C

A

源极 - 漏极二极管

9397 750 10774

产品数据

版本01 - 2003年1月20日

2 12

飞利浦半导体

PHK5NQ15T

的TrenchMOS 标准水平FET

120

PDER

(%)

80

03aa17

120

伊德尔

(%)

80

03aa25

40

0

50

100

150

TSP （ ° C）

200

0

50

100

150

200

TSP （

°

C)

P

合计

P

DER

=

----------------------

×

100%

-

P

°

合计

(

25 C

)

V

GS

≥

10 V

I

D

I

DER

=

-------------------

×

100%

I

°

D

(

25 C

)

看图1，归一化的总功耗为

功能的焊料点的温度。

图2.归连续漏极电流为

功能的焊料点的温度。

102

ID

(A)

10

TP = 10

s

1毫秒

1

10毫秒

DC

100毫秒

10-1

限制导通电阻= VDS / ID

003aaa242

10-2

10-1

1

10

102

VDS （ V）

103

T

sp

= 25

°C;

I

DM

是单一脉冲。

图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。

9397 750 10774

产品数据

版本01 - 2003年1月20日

3 12

飞利浦半导体

PHK5NQ15T

的TrenchMOS 标准水平FET

4.热特性

表3：

R

日（J -SP ）

R

号（j -a）的

热特性

条件

图4

最小典型最大单位

-

70

20

-

K / W

从结热阻到焊点

从结点到环境的热阻

符号参数

最小的足迹;

安装在印刷电路板

4.1瞬态热阻抗

102

第Z （J -SP ）

（K / W）

10

δ

= 0.5

0.2

0.1

0.05

1

0.02

003aaa243

单脉冲

10-1

P

δ

=

tp

T

tp

10-2

10-4

T

10-3

10-2

10-1

1

TP （多个）

t

10

图4.瞬态结点的热阻抗焊接点，作为脉冲持续时间的函数。

9397 750 10774

产品数据

版本01 - 2003年1月20日

4 12

飞利浦半导体

PHK5NQ15T

的TrenchMOS 标准水平FET

5.特点

表4：

特征

T

j

= 25

°

C除非另有规定编

符号参数

静态特性

V

（ BR ） DSS

漏源击穿电压

I

D

= 250

A;

V

GS

= 0 V

T

j

= 25

°C

T

j

=

55 °C

V

GS （ TH）

门源阈值电压

I

D

= 1毫安; V

DS

= V

GS

;

图9

T

j

= 25

°C

T

j

= 150

°C

T

j

=

55 °C

I

DSS

漏极 - 源极漏电流

V

DS

= 120 V; V

GS

= 0 V

T

j

= 25

°C

T

j

= 150

°C

I

GSS

R

DSON

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

V

GS

=

±10

V; V

DS

= 0 V

V

GS

= 10 V ;我

D

= 5 A;

图7

和

8

T

j

= 25

°C

T

j

= 150

°C

V

GS

= 5 V ;我

D

= 3 A

动态特性

Q

G（ TOT ）

Q

gs

Q

gd

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

t

rr

Q

r

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源极 - 漏极（二极管的正向）电压余

S

= 5 A; V

GS

= 0 V;

图11

反向恢复时间

恢复电荷

I

S

= 5 A;的dI

S

/ DT =

100

A / μs的; V

R

= 90 V;

V

GS

= 0 V

V

DD

= 75 V ;我

D

= 5A ; V

GS

= 10 V ;

G

= 6

V

GS

= 0 V; V

DS

= 25 V ; F = 1兆赫;

图12

I

D

= 5 A; V

DD

= 75 V; V

GS

= 10 V;

图13

-

29

3

12

187

61

12

35

18

0.8

87

162

-

1.2

-

nC

pF

ns

V

ns

nC

-

56

129

60

75

173

80

m

-

10

1

100

A

nA

2

1.2

-

3

-

4

-

4.5

V

150

134

-

V

条件

民

典型值

最大

单位

1150 -

源极 - 漏极二极管

9397 750 10774

产品数据

版本01 - 2003年1月20日

5 12

PHK5NQ15T

N沟道的TrenchMOS标准水平FET

牧师02 - 2010年3月4日

产品数据表

1.产品廓

1.1概述

标准电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料

包装用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的使用

计算，通信，消费电子和唯一的工业应用。

1.2特点和优点

低导通损耗是由于低

导通状态电阻

1.3应用

DC至DC转换器的开关

通用开关

1.4快速参考数据

表1中。

V

DS

I

D

P

合计

快速参考

条件

T

sp

= 25 ℃; V

GS

= 10 V;

SEE

图1

和

3

T

sp

= 25°C ;看

图2

民

-

典型值

-

最大

150

5

6.25

单位

V

A

W

漏 - 源电压

j

≥

25 ℃;牛逼

j

≤

150 °C

漏电流

总功率

耗散

栅极 - 漏极电荷

符号参数

动态特性

Q

GD

V

GS

= 10 V ;我

D

= 5 A; V

DS

= 75 V;

T

j

= 25°C ;看

图11

V

GS

= 10 V ;我

D

= 5 A;牛逼

j

= 25 °C;

SEE

图9

和

10

-

12

-

nC

静态特性

R

DSON

漏源

导通状态电阻

-

56

75

m

恩智浦半导体

PHK5NQ15T

N沟道的TrenchMOS标准水平FET

2.管脚信息

表2中。

针

1

2

3

4

5

6

7

8

S

G

D

管脚信息

符号

描述

来源

门

漏

1

4

mbb076

简化的轮廓

8

5

图形符号

D

G

S

SOT96-1 （ SO8 ）

3.订购信息

表3中。

订购信息

包

名字

PHK5NQ15T

SO8

描述

塑料小外形封装; 8线索;体宽3.9毫米

VERSION

SOT96-1

类型编号

4.极限值

表4 。

符号

V

DS

V

DGR

V

GS

I

D

I

DM

P

合计

T

英镑

T

j

I

S

I

SM

极限值

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流

峰值漏极电流

总功耗

储存温度

结温

源出电流

峰源电流

T

sp

= 25 °C

T

sp

= 25°C ;吨

p

≤

10微秒;脉冲

T

sp

= 100℃ ; V

GS

= 10 V ;看

图1

T

sp

= 25 ℃; V

GS

= 10 V ;看

图1

和

3

T

sp

= 25°C ;吨

p

≤

10微秒;脉冲;看

科幻gure 3

T

sp

= 25°C ;看

图2

条件

T

j

≥

25 ℃;牛逼

j

≤

150 °C

T

j

≥

25 ℃;牛逼

j

≤

150 ℃;

GS

= 20 k

民

-

-20

-

-55

-

最大

150

20

3.23

5

20

6.25

150

5

20

单位

V

A

W

°C

A

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

源极 - 漏极二极管

PHK5NQ15T_2

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牧师02 - 2010年3月4日

2 13

恩智浦半导体

PHK5NQ15T

N沟道的TrenchMOS标准水平FET

120

I

DER

(%)

80

03aa25

120

P

DER

(%)

80

03aa17

40

0

50

100

150

T

sp

(°C)

200

0

50

100

150

T

sp

(°C)

200

图1 。

标准化的连续漏极电流为

的焊点温度功能

图2 。

归一化的总功耗为

的焊点温度功能

003aaa242

10

2

I

D

(A)

10

t

p

= 10

μs

1毫秒

1

10毫秒

DC

10

1

100毫秒

性限R

DSON

= V

DS

/I

D

10

2

10

1

10

2

V

DS

(V)

10

3

图3 。

安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数

PHK5NQ15T_2

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牧师02 - 2010年3月4日

3 13

恩智浦半导体

PHK5NQ15T

N沟道的TrenchMOS标准水平FET

5.热特性

表5 。

符号

R

日（J -SP ）

R

号（j -a）的

热特性

参数

热阻结

焊锡点

热阻结

到环境

条件

SEE

图4

最小的足迹;安装在

印刷电路板

民

-

典型值

-

70

最大

20

-

单位

K / W

10

2

Z

日（J -SP ）

（K / W）

10

δ

= 0.5

0.2

0.1

0.05

1

0.02

P

003aaa243

单脉冲

10

1

δ

=

t

p

T

t

p

T

t

10

2

10

4

10

3

10

2

10

1

t

p

(s)

10

图4 。

从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数

PHK5NQ15T_2

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牧师02 - 2010年3月4日

4 13

恩智浦半导体

PHK5NQ15T

N沟道的TrenchMOS标准水平FET

6.特性

表6 。

符号

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

特征

参数

条件

民

134

150

-

1.2

2

-

典型值

-

3

-

10

129

60

56

最大

-

4.5

-

4

1

100

173

80

75

单位

V

A

nA

m

静态特性

漏源击穿我

D

= 250 μA ; V

GS

= 0 V ;牛逼

j

= -55 °C

电压

I

D

= 250 μA ; V

GS

= 0 V ;牛逼

j

= 25 °C

门极 - 源

电压

I

D

= 1毫安; V

DS

= V

GS

; T

j

= -55°C ;看

图8

I

D

= 1毫安; V

DS

= V

GS

; T

j

= 150 ℃;看

图8

I

D

= 1毫安; V

DS

= V

GS

; T

j

= 25°C ;看

图8

I

DSS

I

GSS

R

DSON

漏极漏电流

栅极漏电流

漏极 - 源极导通状态

阻力

V

DS

= 120 V; V

GS

= 0 V ;牛逼

j

= 25 °C

V

DS

= 120 V; V

GS

= 0 V ;牛逼

j

= 150 °C

V

GS

= 10 V; V

DS

= 0 V ;牛逼

j

= 25 °C

V

GS

= -10 V; V

DS

= 0 V ;牛逼

j

= 25 °C

V

GS

= 10 V ;我

D

= 5 A;牛逼

j

= 150 ℃;看

图9

和

10

V

GS

= 5 V ;我

D

= 3 A;牛逼

j

= 25 °C

V

GS

= 10 V ;我

D

= 5 A;牛逼

j

= 25°C ;看

图9

和

10

动态特性

Q

G（ TOT ）

Q

GS

Q

GD

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

t

rr

Q

r

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输

电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源 - 漏电压

反向恢复时间

恢复电荷

I

S

= 5 A; V

GS

= 0 V ;牛逼

j

= 25°C ;看

图13

I

S

= 5 A;的dI

S

/ DT = -100 A / μs的; V

GS

= 0 V;

V

DS

= 90 V ;牛逼

j

= 25 °C

V

DS

= 75 V ;

L

= 15

;

V

GS

= 10 V;

R

G（ EXT ）

= 6

;

T

j

= 25°C ;我

D

= 5 A

V

DS

= 25 V; V

GS

= 0 V ; F = 1兆赫;牛逼

j

= 25 °C;

SEE

图12

I

D

= 5 A; V

DS

= 75 V; V

GS

= 10 V ;牛逼

j

= 25 °C;

SEE

图11

-

29

3

12

1150

187

61

12

35

18

0.8

87

162

-

1.2

-

nC

pF

ns

V

ns

nC

源极 - 漏极二极管

PHK5NQ15T_2

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牧师02 - 2010年3月4日

5 13