UTC PUMT1
PNP外延硅晶体管
PNP通用
双晶体管
描述
两个独立运作的PNP晶体管。
特点
*低电流（ max.100mA ）
*低电压（ max.40V ）
*减少元件和电路板空间的数量。
*补到PUMX1 。
6
5
4
应用
*通用开关和放大。
1
2
3
SOT-363
引脚配置/标识代码
C1
6
B2
5
E2
4
等效电路
6
5
4
MT1
1
E1
2
B1
3
C2
TR2
TR1
1
2
3
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD 。
1
QW-R218-001,A
UTC PUMT1
PNP外延硅晶体管
以下特征同时适用于Tr1和Tr2
绝对最大额定值
(Ta=25℃)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
集电极耗散功率（总）
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
Ic
I
CM
I
BM
P
c
T
j
T
英镑
等级
-50
-40
-5
-100
-200
-200
300
150
-65~+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
℃
℃
电气特性
(Ta=25℃)
参数
集电极截止电流
符号
I
CBO
条件
I
E
= 0， Vc的
B
=-30V
I
E
= 0， Vc的
B
= -30V ， TJ = 150 ℃
V
EB
= -4V ， IC = 0
IC = -1mA ，V
CE
=-6V
IC = -50mA ， IB = -5mA （注1 ）
I
E
= IE = 0 ，V
CB
= -12V ， F = 1MHz的
IC = -2mA ，V
CE
= -12V ， F = 100MHz的
民
最大
-100
-10
-100
单位
nA
μA
nA
mV
pF
兆赫
发射极截止电流
I
EBO
直流电流增益
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
集电极电容
Cc
跃迁频率
f
T
注： 1 。脉冲测试： tp≤300μs ，
δ≤0.02
120
-200
2.2
100
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD 。
2
QW-R218-001,A
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
PUMT1
PNP通用双
晶体管
描述
两个独立运作的PNP晶体管。
PNP硅晶体管
特点
*低电流（最大-100mA ）
*低电压（最大-40V ）
*减少元件和电路板空间的数量。
*补到PUMX1 。
应用
*通用开关和放大。
等效电路
6
5
4
TR2
TR1
1
2
3
订购信息
订购数量
无铅
无卤
PUMT1L-AL6-R
PUMT1G-AL6-R
包
SOT-363
引脚分配
1
2
3
4
5
6
E1 B1 C2 E2 B2 C1
填料
带盘
记号
6
5
MT1
1
2
3
4
G：无卤
L：无铅
www.unisonic.com.tw
2011 Unisonic技术有限公司
1 2
QW-R218-001.Da
PUMT1
以下特性适用于TR1和TR2 。
绝对最大额定值
(T
A
=25°C)
PNP硅晶体管
参数
符号
等级
单位
集电极 - 基极电压
V
CBO
-50
V
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
-40
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
-5
V
集电极电流（ DC ）
I
C
-100
mA
峰值集电极电流
I
CM
-200
mA
峰值电流基地
I
BM
-200
mA
集电极耗散功率
P
C
300
mW
结温
T
J
150
°C
储存温度
T
英镑
-65 ~ +150
°C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
(T
A
=25°C)
条件
I
E
=0, V
CB
=-30V
集电极截止电流
I
CBO
I
E
=0, V
CB
= -30V ，T
J
=150°C
发射极截止电流
I
EBO
V
EB
= -4V ，我
C
=0
直流电流增益
h
FE
I
C
= -1mA ，V
CE
=-6V
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
C
= -50mA ，我
B
= -5mA （注1 ）
集电极电容
Cc
I
E
=I
E
=0, V
CB
= -12V ， F = 1MHz的
跃迁频率
f
T
I
C
= -2mA ，V
CE
= -12V ， F = 100MHz的
注： 1.脉冲测试：脉冲Width≤300μs ，职务Cycle≤2.0 ％
参数
符号
民
典型值
最大
-100
-10
-100
-200
2.2
100
单位
nA
μA
nA
mV
pF
兆赫
120
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 2
QW-R218-001.Da
飞利浦半导体
初步speci fi cation
PNP通用双晶体管
特点
低电流（最大100 mA时）
低电压（最大40 V）
减少了部件和boardspace的数目。
应用
通用的开关和放大。
手册， halfpage
PUMT1
钉扎
针
1, 4
2, 5
3, 6
辐射源
BASE
集热器
描述
TR1 ; TR2
TR1 ; TR2
TR2 ; TR1
6
5
4
5
4
6
描述
两个独立运作的PNP晶体管的SC- 88 ;
SOT363塑料包装。 NPN补充： PUMX1 。
1
2
3
1
MAM339
TR2
TR1
记号
类型编号
PUMT1
标识代码
FTF
顶视图
2
3
Fig.1
简化外形（ SC- 88 ; SOT363 ）
和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
每个晶体管
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
每个器件
P
合计
记
1.装置安装在一FR4印刷电路板。
总功耗
T
AMB
≤
25
°C;
注1
300
mW
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
50
40
5
100
200
200
200
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
参数
条件
分钟。
马克斯。
单位
1999年04月14
2
飞利浦半导体
初步speci fi cation
PNP通用双晶体管
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
初步speci fi cation
产品speci fi cation
极限值
PUMT1
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
给定的限值按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。强调以上一个或
更多的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营
该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的
是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备，设备或系统中使用，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这类应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏
不当使用或销售。
1999年04月14
5
恩智浦半导体
产品数据表
PNP通用双晶体管
特点
低电流（最大100 mA时）
低电压（最大40 V）
减少了部件和boardspace的数目。
应用
通用的开关和放大。
手册， halfpage
PUMT1
钉扎
针
1, 4
2, 5
3, 6
辐射源
BASE
集热器
描述
TR1 ; TR2
TR1 ; TR2
TR2 ; TR1
6
5
4
5
4
6
描述
两个独立运作的PNP晶体管的SC- 88 ;
SOT363塑料包装。 NPN补充： PUMX1 。
1
2
3
1
MAM339
TR2
TR1
记号
类型编号
PUMT1
标识代码
FTF
顶视图
2
3
Fig.1
简化外形（ SC- 88 ; SOT363 ）
和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每个晶体管
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
每个器件
P
合计
记
1.装置安装在一FR4印刷电路板。
总功耗
T
AMB
≤
25
°C;
注1
300
mW
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
50
40
5
100
200
200
200
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
参数
条件
分钟。
马克斯。
单位
2001年12月19日
2
恩智浦半导体
产品数据表
PNP通用双晶体管
数据表状态
文件
状态
(1)
目标数据表
初步数据表
产品数据表
笔记
1.启动或完成设计之前，请咨询最新发布的文档。
产品
状态
(2)
发展
QUALI科幻阳离子
生产
德网络nition
PUMT1
本文件包含的数据从客观规范的产品
发展。
本文件包含的初步规格数据。
本文件包含的产品规格。
2.本文档中描述的设备（S ）的产品的状态可能已经改变，因为这个文件发布
和可能不同的情况下，多个器件。最新产品状态信息可在互联网上
网址http://www.nxp.com 。
免责声明
一般
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准确和可靠。然而，恩智浦半导体
不提供任何陈述或保证，
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有权进行修改
恩智浦半导体
保留随时更改信息的权利
文件中公布的，包括但不限于
规格和产品说明，在任何时间，
恕不另行通知。本文件取代所有
之前，此次公布的信息。
适合使用
恩智浦半导体产品
没有设计，授权或担保适合
在医疗，军事，航空，航天和生活配套使用
设备，或者是在故障或失效
的恩智浦半导体的产品可以合理
预期会导致人身伤害，死亡或严重
属性或环境损害。恩智浦半导体
接受列入恩智浦和/或使用不承担任何责任
半导体产品在此类设备或
应用，因此这样的夹杂物和/或用途是在
客户自己的风险。
应用
在此描述为应用程序
任何这些产品仅用于说明性目的。
恩智浦半导体作任何陈述或
保修这样的应用将是适当的
没有进一步的测试或修改指定用途。
极限值
应力以上的一个或多个限制
值（如在绝对最大额定值定义
IEC 60134 ）的系统可能会造成永久性损坏
该设备。极限值值仅为
该器件在这些或任何其他条件操作
超过上述的这种特性部分给出
文档是不是暗示。暴露限制值
长时间可能会影响器件的可靠性。
销售条款和条件
恩智浦半导体
产品的销售都遵循的一般条款和
商业销售截至公布的条件下，
http://www.nxp.com/profile/terms ，包括那些
关于保修，知识产权
侵权和赔偿责任限制，除非明确
恩智浦半导体另有书面同意。在
案件信息有任何不一致或冲突
本文与此类条款和条件，后者
将占上风。
没有任何要约出售或许可
本文档中的任何内容
也许能被解释为要约出售产品
这是开放的接受或批，运送或
任何许可下的任何版权，专利暗示或
其它工业或知识产权。
出口管制
本文档以及所述一条（或多条）
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的规定。出口可能需要从一个事先授权
国家主管部门。
快速参考数据
快速参考的数据是
在限制值赋予了产品数据的提取物和
本文档的特征的部分，并且因此是
不完整的，详尽的或具有法律约束力。
2001年12月19日
5
QQ：2881677436 复制
