P4C147
P4C147
超高速4K ×1
静态CMOS RAM
特点
全CMOS ， 6T细胞
高速（平等机会和循环时间）
- 10/12/15/20/25 NS （商业）
- 15/20/25/35 NS （军事）
低功耗工作
- 715毫瓦活动
-10 （商业）
- 550毫瓦活动
-25 （商业）
- 110 mW的待机（ TTL输入）
- 55 mW的待机（ CMOS输入）
单5V
±
10 ％的电力供应
单独的输入和输出端口
三态输出
充分TTL兼容输入和输出
标准引脚（ JEDEC批准）
- 18引脚300密耳DIP
- 18引脚CERPACK
- 18引脚LCC （ 290 X 430密耳）
描述
该P4C147是一个4096位的超高速静态RAM
组织成4K X 1， CMOS存储器不需要
时钟或爽口，并有平等的机会和周期
次。输入是完全TTL兼容。的RAM运行
从单一5V
±
10 ％的容差的电源。
存取时间快10纳秒是可用的，
允许大大提高了系统的运行速度。
CMOS用于降低在两者的功耗
工作和待机模式。除了非常高的
性能方面，这款设备的功能闭锁保护，
单事件加厚保护。
该P4C147是18引脚300密耳DIP封装
以及一个18针CERPACK包和LCC 。
功能框图
A
ROW
SELECT
4,096-BIT
内存
ARRAY
销刀豆网络gurations
A0
VCC
A11
17
18
16
15
14
13
12
A0
A1
A2
A3
A4
A5
DOUT
WE
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18
17
16
15
14
13
12
11
10
V CC
A 11
A 10
A9
A8
A7
A6
DIN
CE
2
A1
(6)
A
A2
A3
A4
A5
DOUT
8
3
4
5
6
1
A10
A9
A8
A7
A6
11
D
IN
输入
数据
控制
列I / O
D
OUT
7
9
GND
WE
COLUMN
SELECT
10
CE
A
(6)
A
拨码（P1， D1） CERPACK （F1），类似
LCC （ L7 ）
顶视图
WE
意味着质量，服务和速度
1Q97
13
DIN
CE
P4C147
交流特性，读周期
(V
CC
= 5V
±
10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号。
t
RC
t
AA
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
PU
t
PD
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从输出保持
地址变更
芯片使能到
在低Z输出
芯片禁用到
在高Z输出
芯片使能到
电时间
芯片禁用到
关机时间
0
2
2
10
-10
12
10
10
2
2
4
0
10
-12
15
12
12
2
2
5
0
12
-15
20
15
15
2
2
6
0
15
-20
-25
25
20
20
2
2
8
0
20
25
10
0
25
25
2
2
35
-35
单位
ns
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
35
35
ns
ns
ns
ns
14
ns
ns
35
ns
读循环中没有时序波形。 1
(5)
(8)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读循环中没有时序波形。 2
(6)
t
RC
CE
(7)
t
AC
数据有效
t
HZ
(7)
t
LZ
数据输出
t
PU
V
CC
供应
当前
I
CC
I
SB
高阻抗
t
PD
注意事项：
1.强调大于下最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
超出本规范的业务部门所标明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响其可靠性。
保证400每线性英尺2.扩展的工作温度
分钟的空气流。
3.瞬态输入， V
IL
我
IL
不超过-3.0V更负，
-100mA ，分别是允许的脉冲宽度至20毫微秒。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
5.
CE
低并且
WE
为高的读周期。
6.
WE
为高电平时，和地址必须之前或一致是有效的
CE
变为低电平。
7.转换测量
±200mV
从稳态电压之前
与指定加载改变图1.该参数采样
而不是100 ％测试。
8.读周期时间是从最后一个有效地址测到第一
转换地址。
15
P4C147
交流特性 - 写周期
(V
CC
= 5V
±
10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号。
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
参数
写周期时间
芯片使能时间结束写的
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
从地址保持时间
写结束
数据有效到写结束
数据保持时间
写使能到输出中高Z
输出写入结束活动
-10
-25
-12
-15
-20
-35
单位
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
10
8
8
0
8
0
5
0
5
0
0
12
10
10
0
10
0
6
0
6
0
15
12
12
0
12
0
7
0
7
0
20
15
15
0
14
0
9
0
9
0
25
20
20
0
15
0
12
0
12
0
35
25
25
0
18
0
15
0
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
时序波形写周期NO 。 1 （我们控制）
(9)
WE
t
WC
地址
t
CW
CE
t
AW
t
WP
WE
t
AS
DATA IN
t
WZ
数据输出
数据中，未定义
高阻抗
(12)
(11)
t
WR
t
AH
t
DW
数据有效
t
DH
t
OW
(10, 12)
CE
时序波形写周期NO 。 2 （ CE控制）
(9)
t
WC
地址
t
AS
CE
t
AW
t
WP
WE
t
DW
DATA IN
数据有效
t
DH
t
CW
t
AH
t
WR
(11)
数据输出
高阻抗
注意事项：
9.
CE
和
WE
必须是低的写周期。
10.如果
CE
云同时高
WE
高，输出遗体
在高阻抗状态。
11.写周期时间是从最后一个有效地址测到第一
转换地址。
12.转换测量
±200mV
从稳态电压之前
与指定加载改变在图1中，此参数
采样，而不是100 ％测试。
16
P4C147
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入时序参考电平
输出时序参考电平
输出负载
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
参见图1和2
真值表
模式
待机
读
写
CE
H
L
L
WE
X
H
L
产量
高Z
D
OUT
高Z
动力
待机
活跃
活跃
+5
480
DOUT
255
30pF的（ * 5pF的太赫兹， TLZ ， tOHZ ，
TOLZ ， TWZ和TOW ）
DOUT
RTH = 166.5Ω
V TH = 1.73 V
30pF的（ * 5pF的太赫兹， TLZ ， tOHZ ，
TOLZ ， TWZ和TOW ）
图1.输出负载
*包括范围和测试夹具。
图2.戴维南等效
注意：
由于P4C147的超高速，必须注意，当
测试此设备;不适当的设置可能会导致正常运作
部分被拒绝的错误。长高的电感导致的原因
一定要避免使V电源反弹
CC
层和接地层
直接到接触手指。一0.01
F
高频电容
V之间也需要
CC
和地面。为了避免信号反射，
适当的终止，必须使用;例如，一个50Ω的测试环境
在应该终止为50Ω负载提供具有1.73V （戴维南电压）
比较器的输入，和一个116Ω电阻器，必须使用串联
D
OUT
匹配166Ω （戴维南电阻） 。
17
P4C147
交流特性，读周期
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号。
t
RC
t
AA
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
PU
t
PD
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从输出保持
地址变更
芯片使能到
在低Z输出
芯片禁用到
在高Z输出
芯片使能到
电时间
芯片禁用到
关机时间
-10
10
10
10
2
2
4
0
10
0
2
2
12
-12
15
12
12
2
2
5
0
12
-15
20
15
15
2
2
6
0
15
-20
-25
25
20
20
2
2
8
0
20
25
10
0
25
25
2
2
35
-35
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
35
35
单位
ns
ns
ns
ns
ns
14
ns
ns
35
ns
读循环中没有时序波形。 1
(5)
读循环中没有时序波形。 2
(6)
注意事项：
1.强调大于下最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
超出本规范的业务部门所标明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响其可靠性。
保证400每线性英尺2.扩展的工作温度
分钟的空气流。
3.瞬态输入， V
IL
我
IL
不超过-3.0V更负，
-100mA ，分别是允许的脉冲宽度至20毫微秒。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
5.
CE
低并且
WE
为高的读周期。
6.
WE
为高电平时，和地址必须之前或一致是有效的
CE
变为低电平。
7.转变是从稳态电压前测量± 200mV的
与指定加载改变图1.该参数采样
而不是100 ％测试。
8.读周期时间是从最后一个有效地址测到第一
转换地址。
文档＃
SRAM103
REV A
第10 3
P4C147
交流特性 - 写周期
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号。
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
参数
写周期时间
芯片使能时间结束写的
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
从地址保持时间
写结束
数据有效到写结束
数据保持时间
写使能到输出中高Z
输出写入结束活动
-10
-25
-12
-15
-20
-35
单位
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
10
8
8
0
8
0
5
0
5
0
0
12
10
10
0
10
0
6
0
6
0
15
12
12
0
12
0
7
0
7
0
20
15
15
0
14
0
9
0
9
0
25
20
20
0
15
0
12
0
12
0
35
25
25
0
18
0
15
0
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
时序波形写周期NO 。 1 （我们控制）
(9)
WE
时序波形写周期NO 。 2 （ CE控制）
(9)
CE
注意事项：
9.
CE
和
WE
必须是低的写周期。
10.如果
CE
云同时高
WE
高，输出遗体
在高阻抗状态。
11.写周期时间是从最后一个有效地址测到第一
转换地址。
文档＃
SRAM103
REV A
第10 4
QQ：2881677436 复制
