PUML1/DG
50 V ， 200毫安NPN通用晶体管/
百毫安NPN电阻配备晶体管
牧师01 - 2008年7月14日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
NPN通用晶体管和NPN电阻配备齐全的晶体管（ RET ）在一
SOT363 （ SC -88 ）非常小的表面贴装器件（ SMD ）塑料封装。
1.2产品特点
I
通用晶体管：
N
200毫安集电极电流I
C
I
电阻配备晶体管：
N
内置偏置电阻
I
简化网络连接的ES电路设计
I
减少了元件数量
I
减少取放成本
I
非常小的SMD塑料包装
I
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
I
逆变器和开关
I
低频放大器器
I
驱动阶段
1.4快速参考数据
表1中。
快速参考数据
条件
开基
V
CE
= 10 V;
I
C
= 2毫安
开基
民
-
-
210
典型值
-
-
-
最大
50
200
340
单位
V
mA
符号参数
TR1 （通用晶体管）
V
首席执行官
I
C
h
FE
集电极 - 发射极电压
集电极电流
直流电流增益
TR2 （电阻配备晶体管）
V
首席执行官
I
O
R1
R2/R1
集电极 - 发射极电压
输出电流
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
-
-
7
0.8
-
-
10
1
50
100
13
1.2
V
mA
k
恩智浦半导体
PUML1/DG
50 V ， 200毫安NPN通用晶体管/ 100毫安NPN RET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
5
6
钉扎
描述
发射TR1
基地TR1
输出（集电极） TR2
GND （发射器） TR2
输入端（基极） TR2
收藏家TR1
1
2
3
006aab253
简化的轮廓
6
5
4
图形符号
6
5
4
R1
R2
TR2
1
2
3
TR1
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PUML1/DG
SC-88
描述
塑料表面贴装封装; 6引线
VERSION
SOT363
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
[1]
PA *
类型编号
PUML1/DG
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
条件
发射极开路
开基
集电极开路
民
-
-
-
-
-
-
最大
60
50
6
200
200
100
单位
V
V
V
mA
mA
mA
TR1 （通用晶体管）
PUML1_DG_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师01 - 2008年7月14日
2 12
恩智浦半导体
PUML1/DG
50 V ， 200毫安NPN通用晶体管/ 100毫安NPN RET
表5 。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
P
合计
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
总功耗
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
每个器件
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
条件
T
AMB
≤
25
°C
发射极开路
开基
集电极开路
[1]
民
-
-
-
-
-
-
-
最大
200
50
50
10
+40
10
100
100
200
300
150
+150
+150
单位
mW
V
V
V
V
V
mA
mA
mW
mW
°C
°C
°C
TR2 （电阻配备晶体管）
输出电流
峰值集电极电流
总功耗
总功耗
结温
环境温度
储存温度
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
T
AMB
≤
25
°C
[1]
-
-
-
-
55
65
[1]
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
300
P
合计
（ mW）的
200
006aab254
100
0
75
25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
FR4 PCB，标准的足迹
图1 。
每个晶体管：功率降额曲线
PUML1_DG_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师01 - 2008年7月14日
3 12
恩智浦半导体
PUML1/DG
50 V ， 200毫安NPN通用晶体管/ 100毫安NPN RET
6.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
每个器件
R
号（j -a）的
[1]
热特性
参数
条件
[1]
民
-
典型值
-
最大
625
单位
K / W
每个晶体管
从结点在自由空气的热阻
到环境
从结点在自由空气的热阻
到环境
[1]
-
-
417
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
006aab255
占空比=
1
0.75
0.5
0.33
0.2
0.1
0.05
0.02
10
0.01
0
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，标准的足迹
图2 。
每个晶体管：从结瞬态热阻抗到环境作为脉冲持续时间的函数
PUML1_DG_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师01 - 2008年7月14日
4 12
恩智浦半导体
PUML1/DG
50 V ， 200毫安NPN通用晶体管/ 100毫安NPN RET
7.特点
表7中。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
TR1 （通用晶体管）
I
CBO
集电极 - 基极截止
当前
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压
跃迁频率
V
CB
= 60 V ;我
E
= 0 A
V
CB
= 60 V ;我
E
= 0 A;
T
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 2 V ;我
C
= 100毫安
V
CE
= 10 V ;我
C
= 2毫安
V
CESAT
f
T
I
C
= 100毫安;我
B
= 10毫安
V
CE
= 10 V ;我
C
= 2毫安;
F = 100 MHz的
V
CE
= 6 V ;我
C
= 10毫安;
F = 100 MHz的
C
c
集电极电容
V
CB
= 10 V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A;
T
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 5毫安
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
V
CE
= 5 V ;我
C
= 100
A
V
CE
= 0.3 V ;我
C
= 10毫安
-
-
-
90
210
-
100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
230
-
10
5
10
-
340
250
-
-
3
mV
兆赫
兆赫
pF
nA
A
nA
条件
民
典型值
最大
单位
I
EBO
h
FE
TR2 （电阻配备晶体管）
I
CBO
I
首席执行官
集电极 - 基极截止
当前
集电极 - 发射极截止
当前
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压
断态电压输入
通态输入电压
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
集电极电容
V
CB
= 10 V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
-
-
-
-
30
-
-
2.5
7
0.8
-
-
-
-
-
-
-
1.1
1.8
10
1
-
100
1
50
400
-
150
0.8
-
13
1.2
2.5
pF
mV
V
V
k
nA
A
A
A
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2/R1
C
c
PUML1_DG_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师01 - 2008年7月14日
5 12
QQ：2881677436 复制
