PBHV8115Z
150 V ，1 A NPN高电压低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
牧师02 - 2008年12月9日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
NPN高电压低V
CESAT
突破性小信号（ BISS ）在培养基中的晶体管
电源SOT223 （ SC - 73 ）表面贴装器件（ SMD ）塑料封装。
PNP补充： PBHV9115Z 。
1.2产品特点
I
I
I
I
I
I
高压
低集电极 - 发射极饱和电压V
CESAT
高集电极电流能力我
C
我
CM
高集电极电流增益（H
FE
）在高I
C
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
中功率SMD塑料包装
1.3应用
I
I
I
I
I
I
LED驱动器的LED模块链
LCD背光
高强度放电（ HID ）前大灯
汽车电机管理
叉簧开关用于有线通信
开关模式电源（SMPS ）
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
首席执行官
I
C
h
FE
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
直流电流增益
V
CE
= 10 V;
I
C
= 50毫安
条件
开基
民
-
-
100
典型值
-
-
250
最大
150
1
-
单位
V
A
恩智浦半导体
PBHV8115Z
150 V ，1 A NPN高电压低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
结温
环境温度
储存温度
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[2]
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
65
最大
400
150
6
1
2
400
0.7
1.4
150
+150
+150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W
°C
°C
°C
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和安装板集热6厘米
2
.
1600
P
合计
（ mW）的
1200
(1)
006aab155
800
(2)
400
0
75
25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
（ 1 ） FR4印刷电路板，安装板集热6厘米
2
（ 2 ） FR4 PCB，标准的足迹
图1 。
功率降额曲线
PBHV8115Z_2
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2008年12月9日
3 12
恩智浦半导体
PBHV8115Z
150 V ，1 A NPN高电压低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
6.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
热特性
参数
从热阻
结到环境
从热阻
结点到焊点
条件
在自由空气
[1]
[2]
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
175
89
20
单位
K / W
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和安装板集热6厘米
2
.
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
006aab156
占空比= 1
0.75
0.33
0.2
0.1
0.5
10
0.02
1
0.05
0.01
0
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，标准的足迹
图2 。
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
006aab157
占空比= 1
0.75
0.5
0.33
0.2
10
0.1
0.05
0.02
0.01
1
0
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4印刷电路板，安装板集热6厘米
2
图3 。
PBHV8115Z_2
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
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4 12
PBHV8115Z
150 V ，1 A NPN高电压低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
牧师01 - 2008年2月5日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
NPN高电压低V
CESAT
突破性小信号（ BISS ）的晶体管
SOT223 （ SC - 73 ）中功率表面贴装器件（ SMD ）塑料封装。
PNP补充： PBHV9115Z 。
1.2产品特点
I
I
I
I
I
高压
低集电极 - 发射极饱和电压V
CESAT
高集电极电流能力我
C
我
CM
高集电极电流增益（H
FE
）在高I
C
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
I
I
I
I
I
I
LED驱动器的LED模块链
LCD背光
高强度放电（ HID ）前大灯
汽车电机管理
叉簧开关用于有线通信
开关模式电源
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
首席执行官
I
C
h
FE
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
直流电流增益
V
CE
= 10 V ;我
C
= 50毫安
条件
开基
民
-
-
100
典型值
-
-
-
最大单位
150
1
-
V
A
恩智浦半导体
PBHV8115Z
150 V ，1 A NPN高电压低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
结温
环境温度
储存温度
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[2]
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
65
最大
400
150
6
1
2
100
0.7
1.4
150
+150
+150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W
°C
°C
°C
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和安装板集热6厘米
2
.
1600
P
合计
（ mW）的
1200
(1)
006aab155
800
(2)
400
0
75
25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
（ 1 ） FR4印刷电路板，安装板集热6厘米
2
（ 2 ） FR4 PCB，标准的足迹
图1.功率降额曲线
PBHV8115Z_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师01 - 2008年2月5日
3 12
恩智浦半导体
PBHV8115Z
150 V ，1 A NPN高电压低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
6.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
热特性
参数
热阻结到
环境
热阻结到
焊锡点
条件
在自由空气
[1]
[2]
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
175
89
20
单位
K / W
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和安装板集热6厘米
2
.
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
006aab156
占空比= 1
0.75
0.33
0.2
0.1
0.5
10
0.02
1
0.05
0.01
0
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，标准的足迹
图2.瞬态结热阻抗到环境如脉冲持续时间的函数;典型值
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
占空比= 1
0.75
0.5
0.33
0.2
10
0.1
0.05
0.02
1
0
0.01
006aab157
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4印刷电路板，安装板集热6厘米
2
图3.瞬态结热阻抗到环境如脉冲持续时间的函数;典型值
PBHV8115Z_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师01 - 2008年2月5日
4 12
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