32K ×32 EEPROM模块
EEPROM
PUMA 2E1000-70 /十二分之九十○
HMP公司，西Chirton ，北希尔兹，泰恩&穿戴NE29 8SE英格兰
电话： （ +44 ） 191 293 0500传真。 （ +44 ） 191 259 0997
问题4.4 ： 2001年1月
描述
彪马2E1000是1Mbit的高速
EEPROM模块，用户可配置的
32Kx32 ， 64Kx16或128Kx8 。
可用70访问时间， 90 &
120ns的该装置具有一个工业标准
陶瓷66引脚P.G.A足迹。
该器件具有字节和页写
设施10000写入擦除循环能力
和数据保留10年的时间。
该装置可以根据待筛选
符合MIL -STD- 883
1,048,576位CMOS高速EEPROM
特点
对70/90/120 NS非常快的访问时间。
用户可配置8 /16/32位宽。
升级的足迹。
工作电源
1760毫瓦（最大值）。
待机功耗
1320毫瓦（最大值）。
封装，适合热梯形图应用。
单字节和页写操作。
数据轮询和切换位写检测结束。
硬件和软件数据保护。
可筛选符合MIL - STD-883标准。
框图
引脚德网络nition
12
23
34
45
56
1
D8
2
WE2
13
D15
24
D24
35
VCC
46
D31
57
D9
CS2
14
D14
25
D25
36
CS4
47
D30
58
A0~A14
OE
WE4
WE3
WE2
WE1
3
D10
4
GND
15
D13
26
D26
37
WE4
48
D29
59
A13
5
D11
16
D12
27
A6
D27
49
D28
60
32K ×8
EEPROM
CS1
CS2
CS3
CS4
D0~7
D8~15
D16~23
D24~31
32K ×8
EEPROM
32K ×8
EEPROM
32K ×8
EEPROM
A14
6
A10
17
OE
28
NC
7
A11
18
NC
29
意见
从
以上
38
A7
39
A3
50
A0
61
NC
40
A4
51
A1
62
NC
8
A12
19
WE1
30
A8
41
A5
52
A2
63
NC
9
VCC
20
D7
31
A9
42
WE3
53
D23
64
D0
10
CS1
21
D6
32
D16
43
CS3
54
D22
65
D1
11
NC
22
D5
33
D17
44
GND
55
D21
66
D2
D3
D4
D18
D19
D20
引脚功能
A0-14
CS1-4
WE1-4
V
CC
地址输入
芯片选择
写使能
电源（+ 5V）的
D0-31
OE
NC
GND
数据输入/输出
OUTPUT ENABLE
无连接
地
问题4.4 ： 2001年1月
PUMA 2E1000-70 /十二分之九十○
直流工作条件
绝对最大额定值
(1)
在偏置温度
储存温度
所有的输入电压（包括NC引脚）相对于GND
所有输出电压相对于GND
电压OE和A9相对于GND
T
BIAS
T
英镑
V
T
V
OUT
V
OEA
-55到+125
-65到+150
-0.6至6.25
-0.6到V
CC
+0.6
-0.6至13.5
°C
°C
V
V
V
注：（ 1 ） ，超出上述所列可能导致器件的永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上低于标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
直流电源电压
输入低电压
输入高电压
工作温度范围
符号
V
CC
V
IL
V
IH
T
A
T
AI
T
AM
民
4.5
-0.1
2.0
0
-40
-55
典型值
5.0
-
-
-
-
-
最大
5.5
0.8
V
CC
+1
70
85
125
V
V
V
°
C
°
C（ 2E1000I ）
°
C（ 2E1000M ， MB ）
DC电气特性
(V
CC
= 5.0V ± 10％ ，T
A
= -55至+ 125°C ）
参数
输入漏电流
地址， OE
CS1 4 ， WE1 4
输出漏电流
工作电源电流
待机电源电流
输出低电压
输出高电压
符号测试条件
I
LI1
I
LI2
I
LO
I
CC32
I
SB1
V
OL
V
OH
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
+1V
正如上面。
CS1~4=V
IH
, V
I / O
= GND到VCC
F = 5MHz时，我
I / O
=0mA
2.0V
≤
CS1~4
≤
V
CC
+1V
民
-
-
-
-
-
-
2.4
典型值
-
-
-
-
-
-
-
最大
40
10
40
320
240
0.45
-
单位
A
A
A
mA
mA
V
V
I
OL
= 6.0毫安
I
OH
= -4.0mA
电容
(V
CC
=5V±10%,T
A
=25
°
C)
参数
输入电容：
I / O容量：
符号
C
IN
C
I / O
测试条件
V
IN
=0V
V
I / O
= 0V时， 8位的模式
典型值
26
42
最大
34
58
单位
pF
pF
AC测试条件
*输入脉冲电平： 0V至3.0V
*输入上升和下降时间： 5ns的
*输入和输出时序参考电平： 1.5V
*输出负载： 1 TTL门+ 100pF的
* V
CC
=5V±10%
输出测试负载
I / O引脚
645
1.76V
100pF
2
问题4.4 ： 2001年1月
PUMA 2E1000-70 /十二分之九十○
切换位特点
(1,2,3,4)
参数
数据保持时间
OE保持时间
OE为输出延迟
(1)
OE高脉冲
写恢复时间
符号
t
DH
t
OEH
t
OE
t
OEHP
t
WR
民
10
10
150
0
典型值
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
注： （ 1 ）看AC阅读特点。
（ 2 ）无论是切换OE或CS1 4 ，或两者OE和CS1 4将操作触发位。
（ 3 ）起止D6的状态会有所不同。
（4）可以使用任何地址的位置，但该地址不应该发生变化。
读周期时序波形
(1,2,3,4)
地址
地址有效
t
RC
CS1~4
t
CS
t
OE
OE
t
DF
t
加
t
OH
产量
有效
数据输出
高Z
AC写波形 - WE1 4控制
t
WC
地址
t
AS
WE1~4
t
AH
t
WPH
t
WP
t
CS
CS1~4
t
CH
t
OES
O
E
t
DV
DATA IN
高-Z
t
OEH
数据有效
t
DS
t
DH
4
PUMA 2E1000-70 /十二分之九十○
问题4.4 ： 2001年1月
AC写波形 - CS1 4控制
t
WC
地址
t
AS
t
CS
WE1~4
t
AH
t
CH
t
WP
CS1~4
t
OES
OE
t
WPH
t
OEH
t
DV
DATA IN
高-Z
数据有效
t
DS
t
DH
页面模式写波形
(1,2)
OE
CS1~4
t
WP
t
WPH
t
BLC
WE1~4
t
AS
t
AH
有效
添加
t
DH
A0-A5
t
DS
数据
有效
数据
BYTE 0
1个字节
2字节
BYTE 3
62字节
B
注： （ 1 ）通过A6 A14必须在每个高到WE1 4 （或CS1 4 ）的低转换指定的页面地址。
（2）操作环境必须是高的，只有当WE1 4和CS1 4都低。
5
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