LF
PA
K
PSMN1R0-30YLC
N沟道30 V 1.15 mΩ的逻辑电平的LFPAK MOSFET使用
NextPower技术
第4版 - 2011年7月4日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平的增强型N沟道MOSFET中LFPAK封装。本产品是
在广泛的工业，通信和国内设计和合格的使用
设备。
1.2特点和优点
高可靠性的电源SO8封装，
合格175℃
为优化利用4.5V栅极驱动器
NextPower超结技术
超低QG ， QGD ，并为QOSS
高系统效率低和
高负荷
超低导通电阻和低寄生
电感
1.3应用
的DC- DC转换器
锂离子电池保护
负载开关
电源的OR-ing
服务器电源
同步整流
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
参数
漏源电压
漏电流
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 25 A;
T
j
= 25°C ;看
图12
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
T
j
= 25°C ;看
图12
条件
25 °C
≤
T
j
≤
175 °C
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
民
-
-
-
-55
-
-
典型值
-
-
-
-
1.1
最大单位
30
100
272
175
1.4
V
A
W
°C
m
静态特性
0.85 1.15 m
恩智浦半导体
PSMN1R0-30YLC
N沟道30 V 1.15 mΩ的逻辑电平的LFPAK MOSFET使用
快速参考数据
- 续
参数
栅极 - 漏极电荷
条件
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 25 A;
V
DS
= 15 V ;看
图14 ;
SEE
图15
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 25 A;
V
DS
= 15 V ;看
图15 ;
SEE
图14
民
-
典型值
最大单位
nC
表1中。
符号
Q
GD
动态特性
14.6 -
Q
G（ TOT ）
总栅极电荷
-
50
-
nC
[1]
连续电流通过封装的限制。
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
mb
管脚信息
符号说明
S
S
S
G
D
来源
来源
来源
门
安装底座;地连接到漏
1 2 3 4
mbb076
简化的轮廓
mb
图形符号
D
G
S
SOT669 （ LFPAK ;
Power-SO8)
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PSMN1R0-30YLC
LFPAK ;电源SO8
描述
塑料单端的表面安装封装; 4引线
VERSION
SOT669
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
[1]
1C030L
类型编号
PSMN1R0-30YLC
[1]
％ =占位符的生产基地代码
PSMN1R0-30YLC
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
第4版 - 2011年7月4日
2 15
恩智浦半导体
PSMN1R0-30YLC
N沟道30 V 1.15 mΩ的逻辑电平的LFPAK MOSFET使用
5.极限值
表5 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
T
SLD （M）的
V
ESD
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
峰值焊接温度
静电放电电压
源出电流
峰源电流
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
MM （ JEDEC JESD22- A115 ）
T
mb
= 25 °C
脉冲;吨
p
≤
10微秒;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 100 A;
V
SUP
≤
30 V ;
GS
= 50
;
松开;
SEE
科幻gure 3
[1]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
条件
25 °C
≤
T
j
≤
175 °C
25 °C
≤
T
j
≤
175 ℃;
GS
= 20 k
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
脉冲;吨
p
≤
10微秒;牛逼
mb
= 25 °C;
SEE
图4
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
[1]
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
960
-
-
-
最大
30
30
20
100
100
1450
272
175
175
260
-
100
1450
259
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
V
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
[1]
连续电流通过封装的限制。
400
I
D
(A)
320
003A A E 940
120
P
DER
(%)
80
03na19
240
160
40
(1)
80
0
0
50
100
150
200
T
mb
(
C)
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
连续漏极电流的一个函数
安装基座的温度
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
NXP B.V. 2011保留所有权利。
PSMN1R0-30YLC
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
产品数据表
第4版 - 2011年7月4日
3 15
恩智浦半导体
PSMN1R0-30YLC
N沟道30 V 1.15 mΩ的逻辑电平的LFPAK MOSFET使用
10
3
I
AL
(A)
10
2
(1)
003A A E 954
10
(2)
1
10
-1
10
-3
10
-2
10
-1
1
t
AL
（女士）
10
图3 。
10
4
I
D
(A)
10
3
单脉冲雪崩额定值;雪崩电流的雪崩时间的函数
003A A E 941
性限R
DS ON
= V
DS
/ I
D
t
p
=10
s
10
2
100
s
1毫秒
DC
10毫秒
100毫秒
10
1
10
-1
10
-1
1
10
V
DS
(V)
10
2
图4 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
PSMN1R0-30YLC
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
第4版 - 2011年7月4日
4 15
恩智浦半导体
PSMN1R0-30YLC
N沟道30 V 1.15 mΩ的逻辑电平的LFPAK MOSFET使用
6.热特性
表6 。
符号
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
从结热阻安装基座
条件
SEE
图5
民
-
典型值
0.45
最大
0.55
单位
K / W
1
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
10
-1
= 0.5
003A ae942
0.2
0.1
0.05
0.02
P
=
t
p
T
10
-2
s英格尔大热
t
p
T
t
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
(s )
1
图5 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
PSMN1R0-30YLC
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
第4版 - 2011年7月4日
5 15
LF
PA
K
PSMN1R0-30YLC
N沟道30 V 1.15 mΩ的逻辑电平的LFPAK MOSFET使用
NextPower技术
第4版 - 2011年7月4日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平的增强型N沟道MOSFET中LFPAK封装。本产品是
在广泛的工业，通信和国内设计和合格的使用
设备。
1.2特点和优点
高可靠性的电源SO8封装，
合格175℃
为优化利用4.5V栅极驱动器
NextPower超结技术
超低QG ， QGD ，并为QOSS
高系统效率低和
高负荷
超低导通电阻和低寄生
电感
1.3应用
的DC- DC转换器
锂离子电池保护
负载开关
电源的OR-ing
服务器电源
同步整流
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
参数
漏源电压
漏电流
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 25 A;
T
j
= 25°C ;看
图12
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
T
j
= 25°C ;看
图12
条件
25 °C
≤
T
j
≤
175 °C
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
民
-
-
-
-55
-
-
典型值
-
-
-
-
1.1
最大单位
30
100
272
175
1.4
V
A
W
°C
m
静态特性
0.85 1.15 m
恩智浦半导体
PSMN1R0-30YLC
N沟道30 V 1.15 mΩ的逻辑电平的LFPAK MOSFET使用
快速参考数据
- 续
参数
栅极 - 漏极电荷
条件
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 25 A;
V
DS
= 15 V ;看
图14 ;
SEE
图15
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 25 A;
V
DS
= 15 V ;看
图15 ;
SEE
图14
民
-
典型值
最大单位
nC
表1中。
符号
Q
GD
动态特性
14.6 -
Q
G（ TOT ）
总栅极电荷
-
50
-
nC
[1]
连续电流通过封装的限制。
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
mb
管脚信息
符号说明
S
S
S
G
D
来源
来源
来源
门
安装底座;地连接到漏
1 2 3 4
mbb076
简化的轮廓
mb
图形符号
D
G
S
SOT669 （ LFPAK ;
Power-SO8)
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PSMN1R0-30YLC
LFPAK ;电源SO8
描述
塑料单端的表面安装封装; 4引线
VERSION
SOT669
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
[1]
1C030L
类型编号
PSMN1R0-30YLC
[1]
％ =占位符的生产基地代码
PSMN1R0-30YLC
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
第4版 - 2011年7月4日
2 15
恩智浦半导体
PSMN1R0-30YLC
N沟道30 V 1.15 mΩ的逻辑电平的LFPAK MOSFET使用
5.极限值
表5 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
T
SLD （M）的
V
ESD
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
峰值焊接温度
静电放电电压
源出电流
峰源电流
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
MM （ JEDEC JESD22- A115 ）
T
mb
= 25 °C
脉冲;吨
p
≤
10微秒;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 100 A;
V
SUP
≤
30 V ;
GS
= 50
;
松开;
SEE
科幻gure 3
[1]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
条件
25 °C
≤
T
j
≤
175 °C
25 °C
≤
T
j
≤
175 ℃;
GS
= 20 k
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
脉冲;吨
p
≤
10微秒;牛逼
mb
= 25 °C;
SEE
图4
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
[1]
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
960
-
-
-
最大
30
30
20
100
100
1450
272
175
175
260
-
100
1450
259
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
V
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
[1]
连续电流通过封装的限制。
400
I
D
(A)
320
003A A E 940
120
P
DER
(%)
80
03na19
240
160
40
(1)
80
0
0
50
100
150
200
T
mb
(
C)
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
连续漏极电流的一个函数
安装基座的温度
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
NXP B.V. 2011保留所有权利。
PSMN1R0-30YLC
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
产品数据表
第4版 - 2011年7月4日
3 15
恩智浦半导体
PSMN1R0-30YLC
N沟道30 V 1.15 mΩ的逻辑电平的LFPAK MOSFET使用
10
3
I
AL
(A)
10
2
(1)
003A A E 954
10
(2)
1
10
-1
10
-3
10
-2
10
-1
1
t
AL
（女士）
10
图3 。
10
4
I
D
(A)
10
3
单脉冲雪崩额定值;雪崩电流的雪崩时间的函数
003A A E 941
性限R
DS ON
= V
DS
/ I
D
t
p
=10
s
10
2
100
s
1毫秒
DC
10毫秒
100毫秒
10
1
10
-1
10
-1
1
10
V
DS
(V)
10
2
图4 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
PSMN1R0-30YLC
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
第4版 - 2011年7月4日
4 15
恩智浦半导体
PSMN1R0-30YLC
N沟道30 V 1.15 mΩ的逻辑电平的LFPAK MOSFET使用
6.热特性
表6 。
符号
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
从结热阻安装基座
条件
SEE
图5
民
-
典型值
0.45
最大
0.55
单位
K / W
1
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
10
-1
= 0.5
003A ae942
0.2
0.1
0.05
0.02
P
=
t
p
T
10
-2
s英格尔大热
t
p
T
t
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
(s )
1
图5 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
PSMN1R0-30YLC
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
第4版 - 2011年7月4日
5 15
QQ：2880707522 复制
