【QS043-402-（2/5）ＩＧＢＴＭ½½½&frac1】,IC型号PTMB100E6C,PTMB100E6C PDF资料,PTMB100E6C经销商,ic,电子元器件-51电子网

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QS043-402-（2/5）

ＩＧＢＴ

Ｍ½½½½½－Ｓ½½ Ｐ½½½

□ 回路図：

ＣＩＲＣＵＩＴ

ＰＴＭＢ１００Ｅ６

１００Ａ，６００Ｖ

□ 外 ½ 寸法図：

ＯＵＴＬＩＮＥＤＲＡＷＩＮＧ

94

ＰＴＭＢ１００Ｅ６Ｃ

Dimension:［mm½

99.00

94.50

4× 19.05= 76.20

CL

12.62

3.81 19.05

19

18

17

16

15

14

1

5

3

21

19

20

1

2

8

9

2

6

12

13

4-5.5

7-M4

80

19.5

7

16

17

4× 5.50

1

8 9

10 11

12 13

14 15

16 17

19.5

17.5

PＴMB100E6

3

5

6

7

4

21

1 2

3 4

5 6

7 8

9 10

11 12

13

13

17

5

6

8

12系标签

18.5 18.5 18.5 18.5

#110

4.5

10

4.5

10

4.5

10

4.5

10

4.5

10

4.5

3.81

15.24

8.01

110.00

121.50

15

9

10

25.5

PＴMB100E6C

□ 最大定格：

ＭＡＸＩＭＵＭＲＡＴＩＮＧＳ

（Ｔ

Ｃ

＝２５℃）

Ｉ½½½

コレクタエミッタ間電圧

集电极 - 发射极电压

ゲートエミッタ間電圧

栅极 - 发射极电压

コレクタ電流

集电极电流

コレクタ損失

集电极耗散功率

接

合

温

度

结温范围

保

存

温

度

存储温度范围

絶

縁

耐

圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１½inute)

隔离电压

模组基地散热器

締め付けトルク

安装力矩

母线主接线

□ 電気的特性

ＤＣ

１½½

LABEL

20.50

14

7 17.5

34

3

4

7

8

11

12

118.11

LABEL

PＴMB100E6

13.00

7.00

PＴMB100E6C

Ｓ½½½½½

Ｖ

ＣＥＳ

Ｖ

ＧＥＳ

Ｉ

Ｃ

Ｉ

ＣＰ

Ｐ

Ｃ

Ｔ

½

Ｔ

½½½

Ｖ

ＩＳＯ

Ｆ

½½½

Ｒ½½½½ Ｖ½½½½

６００

±２０

１００

２００

４００

－４０½＋１５０

－４０½＋１２５

２,５００

15.50

17.00

119.60

12.62

4

4× 2.10

39.00

57.50

74

86

18 19

61.50

58.42

50.00

40.20

19.05

3.81

CL

10

11

2

14

15

18

19

20

Ｕ½½½

Ｖ

Ｖ

Ａ

Ｗ

℃

℃

Ｖ

（ＲＭＳ）

２２ .４

（０）

Ｎ½

(kgf½cm)

PＴMB100E6

２２ .４

（０）

１（４）

.４１ .３

PDMB100E6Ｃ

：

ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ

（Ｔ

Ｃ

＝２５℃）

Ｓ½½½½½

Ｉ

ＣＥＳ

Ｉ

ＧＥＳ

Ｖ

ＣＥ（½½½）

Ｖ

ＧＥ（½½）

Ｃ

½½½

上昇時間

ターンオン時間

下降時間

ターンオフ時間

上升

开启

秋天

打开-O FF

时间

时间

时间

时间

½

½

½

½½

½

½

½

½½½

Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½

Ｖ

ＣＥ

= 600V, Ｖ

ＧＥ

= 0V

Ｖ

ＧＥ

= ±20V,Ｖ

ＣＥ

= 0V

Ｉ

Ｃ

= 100A,Ｖ

ＧＥ

= 15V

Ｖ

ＣＥ

= 5V,Ｉ

Ｃ

= 100毫安

Ｖ

ＣＥ

= 10V,Ｖ

ＧＥ

= 0V,½= 1MH

Ｚ

Ｖ

ＣＣ

=

Ｒ

Ｌ

=

Ｒ

Ｇ

=

Ｖ

ＧＥ

=

300V

3.0Ω

8.2Ω

±15V

Ｍ½½.

－

－

－

４.０

－

－

－

－

－

Ｔ½½.

－

－

２.１

－

5,000

０.１５

０.２５

０.１０

０.３５

Ｍ½½.

１.０

１.０

２.６

８.０

－

０.３０

０.４０

０.３５

０.７０

Ｕ½½½

½Ａ

μＡ

Ｖ

Ｖ

½Ｆ

Ｃ½½½½½½½½½½½½½

コレクタ遮断電流

集电极 - 发射极截止电流

ゲート漏れ電流

栅极 - 发射极漏电流

コレクタエミッタ間½和電圧

集电极 - 发射极饱和电压

ゲートしきい値電圧

栅极 - 发射极阈值电压

入

力

容

量

输入电容

スイッチング時間

开关时间

μ½

□フリーホイーリングダイオードの特性：

ＦＲＥＥ

Ｉ½½½

順

電

流

正向电流

Ｃ½½½½½½½½½½½½½

順

電

圧

峰值正向电压

逆回復時間

反向恢复时间

ＷＨＥＥＬＩＮＧＤＩＯＤＥＲＡＴＩＮＧＳ＆ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ

（Ｔ

Ｃ

＝２５℃）

Ｓ½½½½½

Ｉ

Ｆ

Ｉ

ＦＭ

Ｓ½½½½½

Ｖ

Ｆ

½

½½

Ｒ½½½½ Ｖ½½½½

１００

２００

Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½

Ｉ

Ｆ

= 100A,Ｖ

ＧＥ

= 0V

Ｉ

Ｆ

= 100A,Ｖ

ＧＥ

= -10V

½i/½t= 200A/μs

Ｍ½½.

－

－

Ｔ½½.

１.９

０.１５

Ｍ½½.

２.４

０.２５

Ｕ½½½

Ａ

ＤＣ

１½½

Ｕ½½½

Ｖ

μ½

□ 熱的特性：

ＴＨＥＲＭＡＬＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ

Ｃ½½½½½½½½½½½½½

熱

抵

抗

ＩＧＢＴ

热阻抗

二极管

Ｓ½½½½½

RTH （J -C ）

Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½

结到外壳

（TC测定点チップ直下）

Ｍ½½.

－

－

Ｔ½½.

－

－

Ｍ½½.

０.３１

０.６５

Ｕ½½½

℃／Ｗ

00

日本インター株式会社

QS043-402-（3/5）

ＰＴＭＢ１００Ｅ６

ＰＴＭＢ１００Ｅ６Ｃ

Fig.1-

输出特性（典型）

200

Fig.2-

输出特性（典型）

T

C

=25°C

200

T

C

=125°C

V

GE

=20V

12V

V

GE

=20V

180

160

12V

11V

180

160

15V

15V

11V

集电极电流I

C

(A)

140

120

100

80

60

40

20

0

0

1

2

3

4

集电极电流I

C

(A)

140

120

100

80

60

40

10V

10V

9V

9V

8V

8V

20

5

0

0

1

2

3

4

5

集电极到发射极电压V

CE

(V)

集电极到发射极电压V

CE

(V)

Fig.3-

集电极到发射极电压上

主场迎战门到发射极电压（典型值）

16

14

12

10

8

6

4

2

0

Fig.4-

集电极到发射极电压上

主场迎战门到发射极电压（典型值）

T

C

=25°C

16

14

12

10

8

6

4

2

0

T

C

=125°C

I

C

=50A

100A

200A

I

C

=50A

100A

200A

集电极到发射极电压V

CE

(V)

0

4

8

12

16

20

集电极到发射极电压V

CE

(V)

0

4

8

12

16

20

门到发射极电压V

GE

(V)

门到发射极电压V

GE

(V)

Fig.5-

栅极电荷主场迎战集电极到发射极电压（典型值）

400

350

Fig.6-

电容与集电极到发射极电压（典型值）

16

14

10000

30000

R

L

=3.0

T

C

=25°C

集电极到发射极电压V

CE

(V)

V

GE

=0V

f=1MH

Z

T

C

=25°C

资本投资者入境计划

门到发射极电压V

GE

(V)

300

250

200

150

100

50

0

12

10

电容C （PF ）

3000

V

CE

=300V

200V

100V

8

6

4

2

0

400

卓越中心

1000

CRES

300

0

100

200

300

100

0.1

0.2

0.5

1

2

5

10

20

50

100

200

总栅极电荷Qg （ NC）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

00

日本インター株式会社

QS043-402-（4/5）

ＰＴＭＢ１００Ｅ６

ＰＴＭＢ１００Ｅ６Ｃ

Fig.7-

集电极电流与开关时间（典型）

1

Fig.8-

系列栅极阻抗与开关时间（典型）

10

5

0.8

t

关闭

V

CC

=300V

R

G

=8.2

V

GE

=±15V

T

C

=25°C

阻性负载

2

V

CC

=300V

I

C

=100A

V

GE

=±15V

T

C

=25°C

阻性负载

开关时间t（微秒）

开关时间t（微秒）

0.6

1

0.5

t

f

0.4

花花公子

吨

tr

(V

CE

)

tf

0.2

0.1

0.05

0.2

t

ON

t

R（ V

CE

)

0

0

25

50

75

100

125

150

0.02

3

10

30

100

集电极电流I

C

(A)

系列栅极阻抗

G

( )

Fig.9-

集电极电流与开关时间

10

Fig.10-

系列栅极阻抗与开关时间

10

5

1

开关时间t（微秒）

开关时间t（微秒）

t

关闭

t

ON

t

f

t

R（ IC ）

V

CC

=300V

R

G

=8.2

V

GE

=±15V

T

C

=125°C

感性负载

2

1

0.5

V

CC

=300V

I

C

=100A

V

GE

=±15V

T

C

=125°C

感性负载

0.1

花花公子

吨

tf

tr

(I

C

)

0.2

0.1

0.05

0.01

0.001

0

25

50

75

100

125

150

0.02

3

10

30

100

300

集电极电流I

C

(A)

系列栅极阻抗

G

( )

Fig.11-

集电极电流和开关损耗

8

300

Fig.12-

系列栅极阻抗与开关损耗

V

CC

=300V

I

C

=100A

V

GE

=±15V

T

C

=125°C

感性负载

切换损失ê

SW

（兆焦耳/脉冲）

6

E

关闭

切换损失ê

SW

（兆焦耳/脉冲）

V

CC

=300V

R

G

=8.2

V

GE

=±15V

T

C

=125°C

感性负载

100

30

E

ON

E

关闭

E

RR

4

E

ON

E

RR

10

3

2

1

0

0

25

50

75

100

125

150

0.3

3

10

30

100

集电极电流I

C

(A)

系列栅极阻抗

G

( )

00

日本インター株式会社

QS043-402-（5/5）

ＰＴＭＢ１００Ｅ６

ＰＴＭＢ１００Ｅ６Ｃ

200

Fig.13-

续流二极管的正向特性

（典型值）

T

C

=25°C

T

C

=125°C

Fig.14-

反向恢复特性（典型）

1000

峰值反向恢复电流I

RRM

(A)

反向恢复时间trr （ NS ）

500

160

TRR

200

100

50

I

F

=100A

T

C

=25°C

T

C

=125°C

正向电流I

F

(A)

120

80

20

10

5

I

RRM

40

0

0

1

2

3

4

2

0

100

200

300

400

500

600

正向电压V

F

(V)

-di / DT （ A / μs）内

Fig.15-

反向偏置安全工作区

500

200

100

R

G

=8.2 , V

GE

= ± 15V ，T

C

<125°C

集电极电流I

C

(A)

50

20

10

5

2

1

0.5

0.2

0.1

0

200

400

600

800

集电极到发射极电压V

CE

(V)

Fig.16-

瞬态热阻抗

3

瞬态热阻抗Rth的

（J -C ）

（ ° C / W）

1

FRD

IGBT

3x10

-1

1x10

-1

3x10

-2

1x10

-2

3x10

-3

1x10

-3

10

-5

T

C

=25°C

1次脉冲

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

1

10

1

时间t （S ）

00

日本インター株式会社

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