PTFA043002E
热增强型高功率射频LDMOS FET
300 W, 470 - 860兆赫
描述
该PTFA043002是300瓦,内部匹配,横向扩散,
GOLDMOS
推 - 拉的FET用于模拟和数字广播,
包括8VSB和COFDM的应用程序,从470到860兆赫。该
热增强型封装提供最酷的操作使用。满
镀金,确保优异的器件寿命和可靠性。
PTFA043002E
包装H- 30275-4
特点
双音驱动式,在800兆赫
(宽带线路)
V
DD
= 32 V,I
DQ
= 1.55 A,
0
-10
-20
45
40
热增强型封装
宽带内部匹配
典型的8VSB性能
- 平均输出功率= 100瓦
- 增益= 16分贝
- 相邻< -33 dBc的
集成ESD保护:人体
模型中, 2级(最低)
优良的热稳定性
低HCI漂移
无铅并符合RoHS标准
能够处理5 : 1 VSWR为32 V ,
300 W( CW)输出功率
1
= 799.5兆赫,
2
= 800.5兆赫
效率
3阶
排水 FFI效率( % )
35
30
25
20
15
10
5
IM3 , 5 , 7 ( DBC)
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
0
50
100
150
200
250
300
7th
5th
0
350
输出功率(W PEP )
射频特性
ATSC 8VSB特点
(宽带夹具,推拉式配置)
(V
DD
= 32 V ,P
OUT
= 100 W
AVG
, I
DQ
= 1.55 A, = 800兆赫)
特征
共源功率增益
漏EF网络效率
第一相邻
符号
G
ps
η
D
IMD
民
—
—
—
典型值
16
28
–33
最大
—
—
—
单位
dB
%
dBc的
在T公布的所有数据
例
= 25 ° C除非另有说明
ESD :
静电放电敏感器件,观察处理注意事项!
数据表
1 10
*请参阅英飞凌经销商对未来的可用性。
牧师03.1 , 2009-02-20
PTFA043002E
典型性能
(续)
双音驱动式,在800兆赫
(窄带电路)
V
DD
= 32 V,I
DQ
= 1.55 A,
1
= 799.5兆赫,
2
= 800.5兆赫
25
20
DVB邻道功率
V
DD
= 32 V,I
DQ
= 1.55 A,
63 W DVB s ignal
-50
0
-10
效率
4.2兆赫
漏EF网络效率
3阶
收益
5th
40
ACP ( ± 4.2兆赫) ( DBC)
排水 FFI效率( % )
-55
-60
-65
-70
IM3 , 5 , 7 ( DBC)
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
0
50
100
150
200
30
25
20
15
15
10
5
-4.2兆赫
-75
0
450 500 550 600 650 700 750 800 850 900
7th
10
5
250
300
0
350
频率(MHz)
输出功率, PEP ( W)
偏置电压与温度的关系
电压归一化的典型栅极电压
系列节目电流
1.03
0.29 A
0.88 A
1.47 A
2.20 A
4.41 A
6.61 A
8.81 A
11.02 A
归一化偏置电压( V)
1.02
1.01
1.00
0.99
0.98
0.97
0.96
0.95
-20
0
20
40
60
80
100
外壳温度( ° C)
数据表
4 10
牧师03.1 , 2009-02-20
增益(dB ) ,效率(% )
35