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e
PTB 20151
45瓦， 1.8-2.0 GHz的
PCN / PCS功率晶体管
描述
该20151是一种AB类， NPN共发射极RF功率晶体管
用于从1.8到2.0GHz的26伏直流操作。额定功率为45瓦特
最小输出功率PEP的应用程序，它是专门用于
运行在CDMA和TDMA系统的最终或驱动阶段。
离子注入，氮化物表面钝化和镀金
确保优良的器件的可靠性。 100 ％，很多可追溯性标准。
45瓦， 1.8-2.0 GHz的
AB类特点
在45 W 40 ％，集热效率
镀金
氮化硅钝化
典型的输出功率与输入功率
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
输出功率（瓦）
201
51
LOT
鳕鱼
E
V
CC
= 26 V
I
CQ
= 100毫安
F = 2.0 GHz的
输入功率（瓦）
包20223
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流（连续）
在Tflange器件总功耗= 25°C
高于25 °C减免了
存储温度范围
热电阻（ Tflange = 70 ° C）
T
英镑
R
θJC
符号
V
CER
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
价值
50
50
4.0
7.7
200
1.2
-40到+150
0.85
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
瓦
W / ℃，
°C
° C / W
1
9/28/98
PTB 20151
电气特性
特征
击穿电压C到é
击穿电压C到é
击穿电压E到B
直流电流增益
（ 100％测试）
e
条件
V
BE
= 0 V，I
C
= 100毫安
I
B
= 0 ，我
C
= 100毫安，R
BE
= 22
I
C
= 0 ，我
E
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 1 A
符号
V(
BR ） CES
V(
BR ） CER
V(
BR ） EBO
h
FE
民
50
50
4.0
20
典型值
—
—
5.0
40
最大
—
—
—
—
单位
伏
伏
伏
—
RF连接特定的阳离子
（ 100％测试）
特征
收益
(V
CC
= 26伏直流电，P
OUT
= 10W，我
CQ
= 100 mA时， F = 2千兆赫）
输出功率在1 dB压缩
(V
CC
= 26伏直流电，P
OUT
= 45 W，I
CQ
= 100 mA时， F = 2千兆赫）
收藏家EF网络效率
(V
CC
= 26伏直流电，P
OUT
= 45 W，I
CQ
= 100 mA时， F = 2千兆赫）
负载不匹配公差
(V
CC
= 26伏直流电，P
OUT
= 22.5 W，余
CQ
= 100毫安，
F = 2 GHz的，所有的相位角在测试的频率）
符号
G
pe
P-1dB
η
C
Ψ
民
8.0
45.0
40
—
典型值
9.5
—
47
—
最大
—
—
—
5:1
单位
dB
瓦
%
—
典型性能
P
OUT
，增益&效率
（在P- 1分贝）
与频率的关系
输出功率&效率
12
输出功率（ W）
11
60
效率（％）
50
40
增益（dB ）
8
7
1750
70
10
增益（dB ）
8
50
效率（％）
6
4
2
回波损耗（分贝）
0
1900
40
- 30
5
-15
20
-25
10
宽带测试夹具性能
60
收益
10
9
V
CC
= 26 V
I
CQ
= 100毫安
P
OUT
= 45 W
V
CC
= 26 V
I
CQ
= 100毫安
30
20
2050
1800
1850
1900
1950
2000
1925
1950
1975
-35
0
2000
频率（MHz）
频率（MHz）
2
5/4/98
回波损耗（分贝）效率（ ％ ）
增益（dB ）
e
输出功率与电源电压
70
-32
-34
PTB 20151
互调失真与输出功率
输出功率（瓦）
65
IMD （ DBC）
60
55
50
45
40
22
23
24
25
26
27
-36
V
CC
= 26 V
-38
-40
-42
0
10
20
30
40
50
I
CQ
= 100毫安
F = 2.0 GHz的
I
CQ
= 60毫安
f
1
= 1.999 GHz的
f
2
= 1.998 GHz的
电源电压（伏特）
输出功率（瓦- PEP ）
功率增益与输出功率
12
11
功率增益（ dB）的
10
9
8
7
6
I
CQ
= 100毫安
I
CQ
= 50毫安
I
CQ
= 25毫安
V
CC
= 26 V
F = 2.0 GHz的
0.1
1.0
10.0
100.0
输出功率（瓦）
阻抗数据
(V
CC
= 26伏直流电，P
OUT
= 45 W，I
CQ
= 100 mA时）
来源
LOAD
频率
GHz的
1.75
1.80
1.85
1.90
1.95
2.00
2.05
3
R
3.15
3.10
3.50
3.70
3.90
4.10
3.75
来源
jX
-1.7
-2.7
-3.1
-2.9
-2.7
-2.1
-1.0
R
3.3
4.1
4.3
3.3
2.6
2.4
2.3
LOAD
jX
-0.8
-1.2
-1.5
-1.3
-1.1
-0.9
-0.7
5/11/98
PTB 20151
Z
0
= 10
e
测试电路
艺术品（1英寸
)
零部件布局（不按比例）
4
5/4/98
e
PTB 20151
*热连接到RF器件。
示意图对于f = 2 GHz的
Q1
PTB 20151
NPN晶体管RF
l
1,
l
9
微带50
l
2
.1
λ
2 GHz的
微带75
l
3
.065
λ
2 GHz的
微带16
l
4
.095
λ
2 GHz的
微带12.5
l
5
.055
λ
2 GHz的
微带9.7
l
6
.055
λ
2 GHz的
微带12.5
l
7
.065
λ
2 GHz的
微带22
C1, C6
0.1
F
1206芯片
C2, C7
10
F,
35 V
贴片钽电容
C3, C4, C8, C10
20 pF的
ATC-100
C5, C9
0-4 PF
约翰森微调
L1
L2, L4
L3
R1
板
56 nH的
SMT电感器
3转动＃ 22 ， 0.25 “外径
4 mm.
SMT铁氧体
22
1206贴片电阻
0.031 G-200固体铜底，联信
偏置零件（布局上未显示）
Q2
BCP 56
D1
BAV 99
C10, C11
0.1 pF的
R2
2K
R3, R4
10
SMT NPN晶体管
二极管
贴片电容
电位器
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