【MOSFET模块特点*双MOS场效应管级联电路双路50A / 500V外形绘图PDM505HC外形尺】,IC型号PDM505HC,PDM505HC PDF资料,PDM505HC经销商,ic,电子元器件-51电子网

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MOSFET

模块

特点

*双MOS场效应管级联电路

双路50A / 500V

外形绘图

PDM505HC

外形尺寸（mm ）

*已阻止通过MOSFET的体二极管

简称SBD ，和超快速恢复二极管

并联

* 300KHz的高速开关可能

电路

典型应用

*电源为通信和

感应加热

最大完全评级

评级

漏源电压（V

GS

=0V)

栅 - 源电压

连续漏电流

Duty=50%

特区

大约重量： 220克

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

P

D

T

jw

T

英镑

V

ISO

F

器

PDM505HC

500

+/ - 20

50 （TC = 25 ° C）

35 （TC = 25℃ ）

100锝= 25 ° C）

350锝= 25 ° C）

-40到+150

-40到+125

2000

3.0

2.0

单位

V

V

A

A

W

°C

°C

V

N·m的

漏电流脉冲

总功耗

工作结温范围

存储温度范围

隔离电压端与交流基地， 1分钟）

模组基地散热器

安装力矩

母线主接线端子

电气特性

（ @ TC = 25 ° C除非另有说明）

特征

符号

测试条件

零栅极电压漏极电流

门源阈值电压

栅极 - 源极漏电流

静态漏源导通电阻

漏源电压

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

I

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

r

DS （ ON）

V

DS （ ON）

g

fs

C

IES

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DS

=V

DSS

,V

GS

=0V

T

j

= 125°C ，V

DS

=V

DSS

,V

GS

=0V

V

DS

=V

GS

, I

D

=3mA

V

GS

=+/- 20V,V

DS

=0V

V

GS

= 10V ，我

D

=25A

V

GS

= 10V ，我

D

=25A

V

DS

= 15V ，我

D

=25A

V

DS

=25V,V

GS

=0V,f=1MHz

V

DD

= 1/2V

DSS

I

D

=25A

V

GS

= -5V, +10V

R

G

= 5欧姆

分钟。

-

-

2.0

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

-

3.1

-

110

3.2

30

8.4

1.1

0.24

92

110

250

68

马克斯。

1.0

4.0

4.0

0.3

120

3.4

-

-

-

-

-

-

-

-

单位

mA

V

A

M-欧姆

V

S

nF

nF

nF

ns

续流二极管额定值&特性

(Tc=25°C)

特征

符号

测试条件

连续源电流

脉冲源电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

r

特区

-

I

S

=50A

I

S

= 50A ， -dis / DT = 100A /

s

分钟。

-

-

-

-

-

典型值。

-

-

-

80

0.18

马克斯。

35

100

1.5

-

-

单位

A

A

V

ns

C

单位

° C / W

热特性

特征

符号

热阻，结到外壳

热电阻，案件散热器

R

日（J -C ）

R

TH（ C-F ）

测试条件

MOS FET

二极管

安装表面平整，光滑，并涂油

分钟。

-

-

-

典型值。

-

-

-

马克斯。

0.36

2.0

0.1

PDM505HC

图。 1典型的输出特性

T

C

= 25I 250秒脉冲测试

图。 2典型的漏源导通电压

图。 2

与栅源电压

图。 3典型的漏源电压上

图。 3

- 结温

80

8

漏极至源极电压V

DS

（上）（V）的

T

C

= 25I 250秒脉冲测试

16

漏极至源极电压V

DS

（上）（V）的

V

GS

= 10V 250秒脉冲测试

V

GS

=10V

8V

I

D

=50A

I

D

=50A

漏电流I

D

(A)

60

6V

6

12

40

4

25A

15A

8

25A

20

5V

2

4

15A

0

0

2

4

6

8

10

漏极至源极电压V

DS

(V)

12

0

0

4

8

12

栅极至源极电压V

GS

(V)

16

0

-40

0

40

80

120

结温度T

j

( )

160

图。 4典型电容

图。 4

与漏源电压

图。 5典型栅极电荷

图。五

与栅源电压

V

GS

= 0V F = 1MHz的

图。 6典型的开关时间

图。 6

与系列门阻抗

I

D

=35A

V

DD

= 100V

250V

400V

12

16

5

I

D

= 25A V

DD

= 250V牛逼

C

= 25I 80 s脉冲测试

t

d

（关闭）

10

电容C （ NF）

C

国际空间站

栅极至源极电压V

GS

(V)

2

切换时间T（ S）

12

t

r

t

d

（上）

t

f

8

1

6

8

0.5

4

0.2

4

2

C

OSS

0.1

0

0.05

0

1

2

5

10

20

50

漏极至源极电压V

DS

(V)

100

0

100

200

300

400

500

总闸门CHRAGE Q

g

（ NC ）

600

2

5

10

20

50

100

系列栅极阻抗

G

( )

200

图。 7典型的开关时间

图。 7

与漏电流

图。 8典型的源漏二极管正向

图。 8

特征

图。 9典型的反向恢复特性

250秒脉冲测试

I

S

=50A

I

S

=25A

T

j

=125

1000

R

G

=5

V

DD

= 250V牛逼

C

= 25I 80 s脉冲测试

120

500

100

源电流我

S

(A)

T

j

=125

反向恢复时间吨

rr

（纳秒）

反向电流I

R

(A)

500

开关时间t（ NS ）

200

t

rr

200

t

d

（关闭）

80

100

100

t

r

t

f

t

d

（上）

60

T

j

=25

50

50

40

20

I

R

20

10

20

10

1

2

5

10

20

漏电流I

D

(A)

50

100

0

0

0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

源极到漏极电压V

SD

(V)

归一化瞬时

热阻抗

[r

日（J -C ）

/ R

日（J -C ）

]

2

1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

1.8

5

0

100

200

300

400

-dis / DT （ A / S）

500

600

图。 10最大安全工作区

T

C

= 25I牛逼

j

= 150MAX单脉冲

10 s

图。 11-1

归一化瞬态热

阻抗（MOSFET）

200

100

50

漏电流I

D

(A)

100 s

20

10

5

2

1

0.5

0.2

DC

1ms

在这一领域

由R有限公司

DS

（上）

每单位基础

R

日（J -C ）

=0.36/W

1次脉冲

0.01

-5

10

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

脉冲持续时间T（ S）

1

10

10ms

归一化瞬时

热阻抗

[r

日（J -C ）

/ R

日（J -C ）

]

图。 11-2

归一化瞬态热

阻抗（二极管）

2

1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

-5

10

每单位基础

R

日（J -C ）

=2.0/W

1次脉冲

1

2

5

10 20

50 100 200 500 1000

漏极至源极电压V

DS

(V)

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

脉冲持续时间T（ S）

1

10

- 311 -

MOSFET

模块

特点

*双MOS场效应管级联电路

双路50A / 500V

外形绘图

PDM505HC

外形尺寸（mm ）

*已阻止通过MOSFET的体二极管

简称SBD ，和超快速恢复二极管

并联

* 300KHz的高速开关可能

电路

典型应用

*电源为通信和

感应加热

最大完全评级

评级

漏源电压（V

GS

=0V)

栅 - 源电压

连续漏电流

Duty=50%

特区

大约重量： 220克

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

P

D

T

jw

T

英镑

V

ISO

F

器

PDM505HC

500

+/ - 20

50 （TC = 25 ° C）

35 （TC = 25℃ ）

100锝= 25 ° C）

350锝= 25 ° C）

-40到+150

-40到+125

2000

3.0

2.0

单位

V

V

A

A

W

°C

°C

V

N·m的

漏电流脉冲

总功耗

工作结温范围

存储温度范围

隔离电压端与交流基地， 1分钟）

模组基地散热器

安装力矩

母线主接线端子

电气特性

（ @ TC = 25 ° C除非另有说明）

特征

符号

测试条件

零栅极电压漏极电流

门源阈值电压

栅极 - 源极漏电流

静态漏源导通电阻

漏源电压

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

I

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

r

DS （ ON）

V

DS （ ON）

g

fs

C

IES

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DS

=V

DSS

,V

GS

=0V

T

j

= 125°C ，V

DS

=V

DSS

,V

GS

=0V

V

DS

=V

GS

, I

D

=3mA

V

GS

=+/- 20V,V

DS

=0V

V

GS

= 10V ，我

D

=25A

V

GS

= 10V ，我

D

=25A

V

DS

= 15V ，我

D

=25A

V

DS

=25V,V

GS

=0V,f=1MHz

V

DD

= 1/2V

DSS

I

D

=25A

V

GS

= -5V, +10V

R

G

= 5欧姆

分钟。

-

-

2.0

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

-

3.1

-

110

3.2

30

8.4

1.1

0.24

92

110

250

68

马克斯。

1.0

4.0

4.0

0.3

120

3.4

-

-

-

-

-

-

-

-

单位

mA

V

A

M-欧姆

V

S

nF

nF

nF

ns

续流二极管额定值&特性

(Tc=25°C)

特征

符号

测试条件

连续源电流

脉冲源电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

r

特区

-

I

S

=50A

I

S

= 50A ， -dis / DT = 100A /

s

分钟。

-

-

-

-

-

典型值。

-

-

-

80

0.18

马克斯。

35

100

1.5

-

-

单位

A

A

V

ns

C

单位

° C / W

热特性

特征

符号

热阻，结到外壳

热电阻，案件散热器

R

日（J -C ）

R

TH（ C-F ）

测试条件

MOS FET

二极管

安装表面平整，光滑，并涂油

分钟。

-

-

-

典型值。

-

-

-

马克斯。

0.36

2.0

0.1

PDM505HC

图。 1典型的输出特性

T

C

= 25I 250秒脉冲测试

图。 2典型的漏源导通电压

图。 2

与栅源电压

图。 3典型的漏源电压上

图。 3

- 结温

80

8

漏极至源极电压V

DS

（上）（V）的

T

C

= 25I 250秒脉冲测试

16

漏极至源极电压V

DS

（上）（V）的

V

GS

= 10V 250秒脉冲测试

V

GS

=10V

8V

I

D

=50A

I

D

=50A

漏电流I

D

(A)

60

6V

6

12

40

4

25A

15A

8

25A

20

5V

2

4

15A

0

0

2

4

6

8

10

漏极至源极电压V

DS

(V)

12

0

0

4

8

12

栅极至源极电压V

GS

(V)

16

0

-40

0

40

80

120

结温度T

j

( )

160

图。 4典型电容

图。 4

与漏源电压

图。 5典型栅极电荷

图。五

与栅源电压

V

GS

= 0V F = 1MHz的

图。 6典型的开关时间

图。 6

与系列门阻抗

I

D

=35A

V

DD

= 100V

250V

400V

12

16

5

I

D

= 25A V

DD

= 250V牛逼

C

= 25I 80 s脉冲测试

t

d

（关闭）

10

电容C （ NF）

C

国际空间站

栅极至源极电压V

GS

(V)

2

切换时间T（ S）

12

t

r

t

d

（上）

t

f

8

1

6

8

0.5

4

0.2

4

2

C

OSS

0.1

0

0.05

0

1

2

5

10

20

50

漏极至源极电压V

DS

(V)

100

0

100

200

300

400

500

总闸门CHRAGE Q

g

（ NC ）

600

2

5

10

20

50

100

系列栅极阻抗

G

( )

200

图。 7典型的开关时间

图。 7

与漏电流

图。 8典型的源漏二极管正向

图。 8

特征

图。 9典型的反向恢复特性

250秒脉冲测试

I

S

=50A

I

S

=25A

T

j

=125

1000

R

G

=5

V

DD

= 250V牛逼

C

= 25I 80 s脉冲测试

120

500

100

源电流我

S

(A)

T

j

=125

反向恢复时间吨

rr

（纳秒）

反向电流I

R

(A)

500

开关时间t（ NS ）

200

t

rr

200

t

d

（关闭）

80

100

100

t

r

t

f

t

d

（上）

60

T

j

=25

50

50

40

20

I

R

20

10

20

10

1

2

5

10

20

漏电流I

D

(A)

50

100

0

0

0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

源极到漏极电压V

SD

(V)

归一化瞬时

热阻抗

[r

日（J -C ）

/ R

日（J -C ）

]

2

1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

1.8

5

0

100

200

300

400

-dis / DT （ A / S）

500

600

图。 10最大安全工作区

T

C

= 25I牛逼

j

= 150MAX单脉冲

10 s

图。 11-1

归一化瞬态热

阻抗（MOSFET）

200

100

50

漏电流I

D

(A)

100 s

20

10

5

2

1

0.5

0.2

DC

1ms

在这一领域

由R有限公司

DS

（上）

每单位基础

R

日（J -C ）

=0.36/W

1次脉冲

0.01

-5

10

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

脉冲持续时间T（ S）

1

10

10ms

归一化瞬时

热阻抗

[r

日（J -C ）

/ R

日（J -C ）

]

图。 11-2

归一化瞬态热

阻抗（二极管）

2

1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

-5

10

每单位基础

R

日（J -C ）

=2.0/W

1次脉冲

1

2

5

10 20

50 100 200 500 1000

漏极至源极电压V

DS

(V)

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

脉冲持续时间T（ S）

1

10

- 311 -

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联系人：杨小姐

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联系人：销售部

地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房

PDM505HC

NIEC/英达

2024

228

MOUDLE

上海原装现货，专营模块

深圳市恒达亿科技有限公司

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电话：0755-82723761/82772189

联系人：夏先生朱小姐

地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园3栋东座10楼A2室（本公司为一般纳税人，可开增票）

PDM505HC

N/A

25+

3200

模块

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深圳市恒达亿科技有限公司

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联系人：夏先生朱小姐

地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）

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全新原装现货特价销售！

深圳市银芯龙科技有限公司

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联系人：欧阳

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深圳市欧立现代科技有限公司

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联系人：林小姐胡先生张先生

地址：深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2

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授权分销现货热卖

深圳市格雷迪电子有限公司

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联系人：林先生

地址：深圳市福田区华强北街道佳和潮流前线商场负一楼1A236

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深圳市创芯联盈电子有限公司

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联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

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一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳勤思达科技有限公司

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电话：0755-83268779

联系人：吴

地址：深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611（本公司为一般纳税人，可以开17%增值税）

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代理销售模块，原装正品，现货库存，欢迎咨询洽谈

瀚佳科技（深圳）有限公司

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公司大量现货随时可以发货

瀚佳科技（深圳）有限公司

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联系人：李先生李小姐

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