PSMN005-75P/75B
N沟道增强模式音响场效晶体管
版本01 - 2002年4月26日
产品数据
1.描述
N沟道逻辑电平连接的场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS 技术。
产品可用性：
PSMN005-75P在SOT78 （ TO- 220AB ）
PSMN005-75B在SOT404 （D
2
-PAK ） 。
2.特点
s
低通态电阻
s
快速切换。
3.应用
s
高频计算机主机板的DC到DC转换器
s
OR- ing应用。
4.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
钉扎 - SOT78和SOT404 ，简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
漏极（四）
g
2
1
MBK106
简化的轮廓
[1]
mb
mb
符号
d
MBB076
s
3
MBK116
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
SOT404 （D
2-
PAK ）
这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。
飞利浦半导体
PSMN005-75P/75B
N沟道增强模式音响场效晶体管
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V
T
mb
= 25
°C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 25
°C
典型值
-
-
-
-
4.3
最大
75
75
230
175
5.0
单位
V
A
W
°C
m
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
栅源电压
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;
I
D
= 75 A;吨
p
= 0.1毫秒; V
DD
= 15 V;
R
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;起始物为
j
= 25
°C
非钳位感性负载;
V
DD
= 15 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V;
起始物为
j
= 25
°C
t
p
≤
50
s;
脉冲;
占空比25％ ;牛逼
j
≤
150
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
75
75
±20
±30
75
75
400
230
+175
+175
75
400
500
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性雪崩能量
I
DS （ AL ）S
非重复性雪崩电流
-
75
A
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PSMN005-75P/75B
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120
PDER
(%)
80
03aa16
120
伊德尔
(%)
100
03ah89
80
60
40
40
20
0
0
50
100
150
200
TMB （
°
C)
0
0
30
60
90
120
150
180
TMB （℃ ）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
限制导通电阻= VDS / ID
03ah91
TP = 10微秒
102
100 s
DC
10
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单一脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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PSMN005-75P/75B
N沟道增强模式音响场效晶体管
7.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
最小典型最大单位
-
-
-
-
60
50
0.65 K / W
-
-
K / W
K / W
从结热阻安装基座
图4
从结点到环境的热阻
SOT78
SOT404
垂直静止空气中
安装在印刷电路板;
最小的足迹
符号参数
7.1瞬态热阻抗
1
第Z （ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
03af48
10-1
0.2
0.1
0.05
0.02
10-2
单脉冲
P
δ
=
tp
T
tp
T
t
10-3
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
TP （多个）
10
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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PSMN005-75B
N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET
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产品数据表
1.产品廓
1.1概述
SiliconMAX标准水平的N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在
一个塑料包装使用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的
仅在计算，通信，消费电子和工业应用。
1.2特点和优点
低导通损耗是由于低
导通状态电阻
适用于高频
由于快速开关应用
特征
1.3应用
高频电脑主板
的DC- DC转换器
的OR-ing applicationss
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
快速参考
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1
和
3
T
mb
= 25°C ;看
图2
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
75
75
230
单位
V
A
W
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
漏电流
总功率
耗散
栅极 - 漏极电荷
符号参数
动态特性
Q
GD
V
GS
= 10 V ;我
D
= 75 A;
V
DS
= 60 V ;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图11
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
T
j
= 25°C ;看
图9
和
10
-
50
-
nC
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
-
4.3
5
m
恩智浦半导体
PSMN005-75B
N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
mb
管脚信息
符号
G
D
S
D
描述
门
漏
来源
漏
mbb076
简化的轮廓
[1]
图形符号
D
mb
G
S
2
1
3
SOT404 （ D2PAK ）
[1]
这是无法接受的连接销2 。
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PSMN005-75B
D2PAK
描述
塑料单端表面安装封装（ D2PAK ） ; 3引线
（ 1铅裁剪）
VERSION
SOT404
类型编号
PSMN005-75B_1
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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恩智浦半导体
PSMN005-75B
N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
V
GSM
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
峰值栅源
电压
源出电流
峰源电流
脉冲;吨
p
≤
50 s;
δ
25 %; T
j
≤
150 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
和
3
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
j
≤
175 ℃;牛逼
j
≥
25 ℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-30
最大
75
75
20
75
75
400
230
175
175
30
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
V
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
源极 - 漏极二极管
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
-
-
-
75
400
500
A
A
mJ
雪崩耐用性
不重复
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 75 A; V
SUP
= 15 V;
漏源雪崩松开;吨
p
= 0.1毫秒;
GS
= 50
能源
不重复
V
GS
= 10 V; V
SUP
= 15 V ;
GS
= 50
;
漏源雪崩牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;松开
当前
I
DS （ AL ）S
-
75
A
120
I
DER
(%)
80
03ah89
120
P
DER
(%)
80
03aa16
40
40
0
0
50
100
150
200
T
mb
(°C)
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
标准化的连续漏极电流为
的安装基座温度功能
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
NXP B.V. 2009保留所有权利。
PSMN005-75B_1
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恩智浦半导体
PSMN005-75B
N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET
10
3
I
D
(A)
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
03ah91
t
p
= 10
μ
s
10
2
100
μ
s
DC
10
1毫秒
10毫秒
0.1 s
1
1
10
V
DS
(V)
10
2
图3 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
PSMN005-75B_1
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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恩智浦半导体
PSMN005-75B
N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET
5.热特性
表5 。
符号
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
参数
条件
民
-
-
典型值
-
50
最大
0.65
-
单位
K / W
K / W
从路口见热阻
图4
安装基座
从结热阻安装在印刷电路
到环境
板;最小的足迹
1
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
10
1
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
10
2
单脉冲
t
p
P
03af48
δ
=
t
p
T
t
T
10
3
10
6
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
t
p
(s)
10
图4 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
PSMN005-75B_1
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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5 13
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