三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21564-SP
PS21564-SP
模内转印式
模内转印式
绝缘型
绝缘型
PS21564-SP
集成电源功能
600V / 15A低损耗5
th
对于代IGBT逆变桥
三相直流 - 交流功率转换。
打开发射器类型。
集成驱动，保护和系统控制功能
对于上桥臂的IGBT
S
：驱动电路，高压隔离的高速电平转换，控制电源欠压（ UV）保护。
对于小腿的IGBT
S
：驱动电路，控制电源欠压保护（ UV） ，短路保护（ SC ） 。
故障信号：对应的SC故障（下桥臂IGBT ）或欠压故障（下侧电源） 。
输入接口： 3,5V线CMOS / TTL兼容。 （高活性）
UL认可：黄牌号E80276
应用
AC100V 200V逆变器驱动小功率电机控制。
图。 1包大纲
尺寸（mm）
终端代码
1.778
×
26 (=46.228)
1.778
±0.15
A
D
散热器侧
3.556
(2.056)
(0.278)
(0.5)
(R0
29
30
型号名称，批号
φ3.3
(17.6)
17.4
28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 16
17
15 13
14
12 10
11
987
654
321
（ φ2深度2 ）
3.556
终奌站
.75
)
15.25
(22.1)
(17.6)
17.4
B
B
35°
1.75
1.2
37 36 35
34
33
32
31
1.2
(1.5)
SLIT
（例如， PCB LAYOUT ）
细节A
(1)
(1.5)
PCB
图案
Note1)
0.5
2.54
C
0.8
0.5
(0.05)
(0.7)
(0.05)
(1)
φ3.3
B-B
0.8
5
9
散热器侧
DETAIL
（ 36端子）
(0~5
°)
所有的外引线端子与无铅电镀。
细节d
注1 ：
为了得到端子间足够的爬电距离，请采取一些对策，如在印刷电路板的狭缝。
(1.5)
(41)
42
±0.15
49
无焊料镀层
开都导致SIDE
6.7
2.54
7.62
7.62
7.62
1.25
2.5
(φ3.8)
0.8
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
VUFS
（ UPG ）
VUFB
VP1
（COM）的
UP
VVFS
（ VPG ）
VVFB
VP1
（COM）的
VP
VWFS
（ WPG ）
VWFB
VP1
（COM）的
WP
（ UNG ）
VNO
UN
VN
WN
FO
首席财务官
CIN
VNC
VN1
（ WNG ）
（ VNG ）
P
U
V
W
NU
NV
NW
30.5
0.5
4.5
(6.5)
(3.5)
2005年7月
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21564-SP
模内转印式
绝缘型
最大额定值
(T
j
= 25 ℃，除非另有说明）
逆变部分
符号
V
CC
V
CC （浪涌）
V
CES
±I
C
±I
CP
P
C
T
j
参数
电源电压
电源电压（浪涌）
集电极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流（峰值）
集电极耗散
结温
条件
P- NU ， NV ， NW之间施加
P- NU ， NV ， NW之间施加
T
f
= 25°C
T
f
= 25 ℃，小于1ms
T
f
= 25℃时，每1片
（注1 ）
评级
450
500
600
15
30
22.2
–20~+125
单位
V
V
V
A
A
W
°C
注1
：在DIP -IPM内部集成功率芯片的最高结温额定值为150 ° C（ @ T
f
≤
100℃），但是，恩
在DIP-IPM的肯定安全运行，平均结温应限制至T
J（下AVE ）
≤
125°C （ @ T
f
≤
100°C).
控制（保护）第
符号
V
D
V
DB
V
IN
V
FO
I
FO
V
SC
参数
控制电源电压
控制电源电压
输入电压
故障输出电源电压
故障输出电流
电流检测输入电压
条件
V的应用
P1
-V
NC
, V
N1
-V
NC
V的应用
UFB
-V
UFS
, V
VFB
-V
VFS
,
V
WFB
-V
世界粮食首脑会议
ü之间施加
P
, V
P
, W
P
, U
N
, V
N
,
W
N
-V
NC
F之间施加
O
-V
NC
灌电流以F
O
终奌站
CIN -V的应用
NC
评级
20
20
–0.5~V
D
+0.5
–0.5~V
D
+0.5
1
–0.5~V
D
+0.5
单位
V
V
V
V
mA
V
系统总
参数
自我保护限制电压
V
CC （ PROT ）
（短路保护功能）
工作壳温
T
f
T
英镑
储存温度
V
ISO
隔离电压
符号
条件
V
D
= 13.5 16.5V ，逆变部分
T
j
= 125 ℃，非重复，少于2
s
（注2 ）
60Hz的正弦， 1分钟，
所有的引脚连接到散热板
评级
400
–20~+100
–40~+125
2500
单位
V
°C
°C
V
RMS
注2
: T
f
测量点
阿尔板规格：
外形尺寸： 10010010mm ，整理： 12S ，经编： -50 100微米
控制端
FWDI CHIP
18mm
16mm
阿尔局
槽
IGBT芯片
W V ü P
温度
测量点
（里面的AI板）电源端子
DIP -IPM
温度测量
点（ AI板内）
硅润滑脂应均匀，厚度100 200微米的应用
2005年7月
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21564-SP
模内转印式
绝缘型
热阻
符号
R
日（J -F ） Q
R
日（J -F ）F
参数
结到外壳热
阻力
（注3）
条件
IGBT逆变器部分（每1/6模块）
变频器FWD部分（每1/6模块）
分钟。
—
—
范围
典型值。
—
—
马克斯。
4.5
6.5
单位
° C / W
° C / W
注3 ：
脂具有良好的热导率应均匀地施加约± 100微米+ 200μm的DIP-IPM的接触表面上
和散热器。
电气特性
(T
j
= 25 ℃，除非另有说明）
逆变部分
符号
V
CE （ SAT ）
V
EC
t
on
t
rr
t
C（ ON）
t
关闭
t
C（ OFF）
I
CES
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
FWD正向电压
条件
V
D
= V
DB
= 15V
I
C
= 15A ，T
j
= 25°C
V
IN
= 5V
I
C
= 15A ，T
j
= 125°C
T
j
= 25 ° C， -I
C
= 15A ，V
IN
= 0V
V
CC
= 300V, V
D
= V
DB
= 15V
I
C
= 15A ，T
j
= 125°C ，V
IN
= 0
5V
感性负载（上，下臂）
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
分钟。
—
—
—
0.60
—
—
—
—
—
—
范围
典型值。
1.45
1.55
1.50
1.20
0.30
0.40
1.50
0.50
—
—
马克斯。
1.95
2.05
2.00
1.80
—
0.60
2.10
0.80
1
10
单位
V
V
s
s
s
s
s
mA
开关时间
集电极 - 发射极截止
当前
V
CE
= V
CES
控制（保护）第
符号
参数
V
D
= V
DB
= 15V
V
IN
= 5V
V
D
= V
DB
= 15V
V
IN
= 0V
条件
总的V
P1
-V
NC
, V
N1
-V
NC
V
UFB
-V
UFS
, V
VFB
-V
VFS
, V
WFB
-V
世界粮食首脑会议
总的V
P1
-V
NC
, V
N1
-V
NC
V
UFB
-V
UFS
, V
VFB
-V
VFS
, V
WFB
-V
世界粮食首脑会议
V
SC
= 0V ，女
O
电路的上拉至5V与10kΩ的
V
SC
= 1V ，我
FO
= 1毫安
T
f
= -20 100 ° C，V
D
= 15V
（注4 ）
V
IN
= 5V
旅行等级
复位电平
T
j
≤
125°C
旅行等级
复位电平
C
FO
=值为22nF
（注5 ）
分钟。
—
—
—
—
4.9
—
0.45
1.0
10.0
10.5
10.3
10.8
1.0
2.1
0.8
范围
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
1.5
—
—
—
—
1.8
2.3
1.4
马克斯。
5.00
0.40
7.00
0.55
—
0.95
0.52
2.0
12.0
12.5
12.5
13.0
—
2.6
2.1
单位
I
D
短路电流
mA
V
V
FOH
FAULT输出电压
V
V
FOL
V
V
SC （ REF）
短路跳闸等级
mA
输入电流
I
IN
V
UV
DBT
V
控制电源欠压
UV
DBR
保护
V
UV
Dt
V
UV
Dr
ms
故障输出脉冲宽度
t
FO
V
对阈值电压
V
TH （ON）的
ü之间施加
P
, V
P
, W
P
-V
NC
, U
N
, V
N
, W
N
-V
NC
V
断阈值电压
V
TH （OFF）的
注4 ：
短路保护功能只对下臂。请选择外部分流电阻，使得SC跳闸水平
小于2.0倍的额定电流。
5 :
故障信号对应于短路或低侧控制电源欠压故障。故障输出脉冲宽度t
FO
取决于C的电容值
FO
根据以下的近似公式：C
FO
= 12.2
10
-6
t
FO
[F].
2005年7月
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21564-SP
模内转印式
绝缘型
机械特性和额定值
参数
安装力矩
重量
散热器平整度
安装螺钉： M3
条件
推荐： 0.78 N·m的
（注6 ）
分钟。
0.59
—
–50
范围
典型值。
—
20
—
马克斯。
0.98
—
100
单位
N·m的
g
m
注6 ：
的散热器平整度测量点
+ –
测量位置
3mm
散热器侧
–
+
散热器侧
推荐工作条件
符号
V
CC
V
D
V
DB
V
D
,
V
DB
t
DEAD
f
PWM
I
O
PWIN （上）
参数
电源电压
控制电源电压
控制电源电压
控制电源变化
臂直通阻塞时间
PWM输入频率
允许均方根当前
条件
P- NU ， NV ， NW之间施加
V的应用
P1
-V
NC
, V
N1
-V
NC
V的应用
UFB
-V
UFS
, V
VFB
-V
VFS
, V
WFB
-V
世界粮食首脑会议
对于每个输入信号，T
f
≤
100°C
T
f
≤
100C ，T
j
≤
125°C
V
CC
= 300V, V
D
= V
DB
= 15V,
f
PWM
=为5kHz
P.F = 0.8 ，正弦输出
T
f
≤
100C ，T
j
≤
125°C
（注7 ）F
PWM
= 15kHz的
（注8）
200
≤
V
CC
≤
350V,
低于额定电流
13.5
≤
V
D
≤
16.5V,
13.0
≤
V
DB
≤
18.5V,
之间的额定电流和
额定电流的1.7倍
–20°C
≤
T
f
≤
100°C,
N行布线电感比之间的1.7倍和少
10nH
（注9 ）2.0倍额定电流的
V之间
NC
-NU ， NV ，NW （包括浪涌）
推荐值
分钟。
典型值。
马克斯。
0
400
300
13.5
16.5
15.0
13.0
18.5
15.0
–1
1
—
2.0
—
—
—
20
—
—
—
0.3
0.5
2.0
2.6
–5.0
—
—
—
—
—
—
—
7.5
武器
4.8
—
—
—
—
5.0
V
s
单位
V
V
V
V / μs的
s
千赫
PWIN （关闭）
允许的最小输入
脉冲宽度
V
NC
V
NC
变异
注7 ：
允许的均方根电流值取决于实际的应用条件。
8 :
输入脉冲宽度小于PWIN （上）可能没有响应。
9 :
IPM可能无法正常工作，或进行响应，将输入信号以关断脉冲宽度小于PWIN （关闭）。
请参阅图5 。
2005年7月
三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21564-SP
模内转印式
绝缘型
图。 2在DIP-IPM内部电路
V
UFB
V
UFS
V
P1
U
P
HVIC1
V
CC
V
B
HO
V
S
DIP -IPM
P
IGBT1
Di1
IN
COM
U
V
VFB
V
VFS
V
P1
V
P
HVIC2
V
CC
V
B
HO
V
S
IGBT2
Di2
IN
COM
V
V
WFB
V
世界粮食首脑会议
V
P1
V
P
HVIC3
V
CC
V
B
HO
V
S
IGBT3
Di3
IN
COM
W
IGBT4
Di4
LVIC
U
OUT
V
N1
V
CC
NU
IGBT5
Di5
Fo
Fo
V
OUT
NV
U
N
V
N
W
N
U
N
V
N
W
N
V
NO
CIN
W
OUT
IGBT6
Di6
NW
V
NO
CIN
首席财务官
V
NC
GND
首席财务官
2005年7月
2.10
3
rd
代DIP和Mini - DIP -IPM
（双列直插式
封装智能功率模块）
产品特点：
采用5
th
新一代平面IGBT芯片与0.6微米设计规则
或CSTBT 技术，卓越的性能损失
超紧凑的单或双列直插式压注模封装
（有2兼容
nd
代）
包括驱动器和保护电路（UV ， SC ）
DIP-IPM与由20％减少热阻的
2500V
RMS
隔离电压
可直接连接到3V或5V MCU的高活性接口逻辑
最高的可靠性和优化的EMI性能
可从3A到50A / 600V的电机额定从0.1KW到3.7kW的
选购与发射极开路拓扑矢量控制
所有三菱DIP和Mini - DIP- IPM的有无铅端子
从2006年1月起，所有的DIP和Mini - DIP- IPM的意志
与完全无铅工艺提供
阵容DIP ，微型DIP & SIP -IPM
2.
TYPE
隔离电压
(V)
V
CES
(V)
电机功率（KW ）
0.1
0.2
0.4
0.75
1.5
PS21065
2.2
PS21067
3.7
PS21069
超级DIP
DIP
2500
微型DIP
PS21661-FR
PS21661-RZ
600
PS21562-P
PS21562-SP*
PS21563-P
PS21563-SP*
PS21864-P
PS21564-P
PS21564-SP*
PS21865-P
PS21867-P
PS21869-P
SIP
*打开发射器拓扑
电气特性
类型编号
热&机械
特征
V
CES
(V)
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
适用
汽车评级
（ kW）的
0.2
0.4
0.75
0.75
1.5
2.2
3.7
0.2
0.4
0.75
1.5
2.2
3.7
0.1
I
C
(A)
5
10
15
15
20
30
50
5
10
15
20
30
50
3
f
C
（千赫）
PS21562-P
PS21563-P
PS21564-P
PS21864-P
PS21865-P
PS21867-P
PS21869-P
PS21562-SP
PS21563-SP
PS21564-SP
PS21065
PS21067
PS21069
PS21661-RZ/-FR
典型值。
马克斯。
微型DIP -IPM 600伏
20
2500
1.6
2.1
1.20
0.30 0.40 1.30
20
2500
1.6
2.1
1.20
0.30 0.40 1.40
20
2500
1.45
1.95
1.20
0.30 0.40 1.50
DIP -IPM 600伏
20
2500
1.7
2.2
1.50
0.30 0.50 1.40
20
2500
1.6
2.1
1.30
0.30 0.40 1.60
20
2500
1.6
2.1
1.30
0.30 0.40 1.70
20
2500
1.5
2.0
1.30
0.30 0.40 2.00
微型DIP -IPM 600伏随着打开发射器拓扑
20
2500
1.6
2.1
1.20
0.30 0.40 1.30
20
2500
1.6
2.1
1.20
0.30 0.40 1.40
20
2500
1.45
1.95
1.20
0.30 0.40 1.50
超级DIP -IPM 600伏随着开放式发射器TopologySIP -IPM 600伏
20
2500
1.6
2.1
1.30
0.30 0.40 1.60
20
2500
1.6
2.1
1.30
0.30 0.40 1.70
20
2500
1.5
2.0
1.30
0.30 0.40 2.00
SIP -IPM 600伏
15
2500
1.6
2.15
0.85
0.20 0.35 1.00
隔离
电压
(V)
V
CE （ SAT ）
@ T
j
=25°C
(V)
典型的开关时间
t
on
t
rr
t
C（ ON）
t
关闭
t
C（ OFF）
(s) (s) (s) (s) (s)
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.65
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.65
0.55
IGBT
R
日（J -F ）
（ ° C / W）
6.0
5.0
4.5
2.30
1.90
1.65
1.42
6.0
5.0
4.5
1.90
1.65
1.42
9.0
二极管
R
日（J -F ）
（ ° C / W）
6.5
6.5
6.5
3.2
3.0
3.0
2.0
6.5
6.5
6.5
2.85
2.55
2.30
9.0
套餐 -
号
D4
D4
D4
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D6*
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SIP1
*包装D6画下看到2.8 。 1200V DIP -IPM ， P 。 50
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功率器件总目录2005年
2.10
3
rd
代DIP和Mini - DIP -IPM
包装D3
包装D4
2.
包装D5
包装SIP1
尺寸（mm）
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