SO
PHP225
双P沟道中间级场效应晶体管
牧师03 - 2011年1月4日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
双中间水平P沟道增强型场效应晶体管（ FET）在
塑料包装使用垂直D- MOS技术。本产品的设计和认证
在只计算，通信，消费和工业应用中使用。
8
1.2特点和优点
低导通损耗是由于低
导通状态电阻
适用于高频
由于快速开关应用
特征
1.3应用
电机和驱动器
电源管理
同步整流
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
I
D
P
合计
R
DSON
快速参考数据
参数
漏源电压
漏电流
总功耗
漏极 - 源极导通状态
阻力
栅极 - 漏极电荷
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
150 °C
T
sp
≤
80 °C
T
sp
= 80 °C
V
GS
= -10 V ;我
D
= -1 A;
T
j
= 25 °C
V
GS
= -10 V ;我
D
= -2.3 A;
V
DS
= -15 V ;牛逼
j
= 25 °C
[1]
民
-
-
-
-
典型值
-
-
-
最大单位
-30
-2.3
2
V
A
W
静态特性
0.22 0.25
动态特性
Q
GD
-
3
-
nC
[1]
每个MOS晶体管的最大允许耗散。这两个设备可以被加载到2 W在相同
时间。
恩智浦半导体
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双P沟道中间级场效应晶体管
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
GS
V
GSO
I
D
I
DM
P
合计
极限值
参数
漏源电压
栅源电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
漏极开路
T
sp
≤
80 °C
T
sp
= 25°C ;脉冲
T
AMB
= 25 °C
T
sp
= 80 °C
T
AMB
= 25 °C
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
150 °C
民
-
-
-20
-
-
-
-
-
-
-65
-
T
sp
≤
80 °C
T
sp
= 25°C ;脉冲
[1]
最大
-30
-
20
-2.3
-10
1
2
1.3
2
150
150
-1.25
-5
单位
V
V
V
A
A
W
W
W
W
°C
°C
A
A
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
源极 - 漏极二极管
-
-
脉冲宽度和占空比限制的最高结温。
每个MOS晶体管的最大允许耗散。器件安装在印刷电路板上，在从环境的热阻，以
搭配点90 K / W 。
每个MOS晶体管的最大允许耗散。这两个设备可以被加载到2 W的同时。
如果只有一个MOS晶体管的功耗最大允许耗散。器件安装在印刷电路板与热
从环境的耐扎点的90 K / W 。
每个MOS晶体管的最大允许耗散。器件安装在印刷电路板上，在从环境的热阻，以
搭配点27.5 K / W 。
2.5
P
合计
(W)
2.0
mlb836
10
2
I
D
(A)
10
(1)
mbe155
t
p
=
10
μs
1.5
1
1.0
P
δ
=
t
p
T
1毫秒
10
1
0.5
t
p
DC
0.1 s
t
T
0
0
50
100
150
T
s
(°C)
200
10
2 1
10
1
10
V
DS
(V)
10
2
图1 。
功率降额曲线
图2 。
SOAR ; P沟道
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产品数据表
牧师03 - 2011年1月4日
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
双P沟道增强
模式的MOS晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
每个P沟道
V
DS
V
GSO
I
D
I
DM
P
合计
漏极 - 源极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
漏极开路
T
s
≤
80
°C
注1
T
s
= 80
°C;
注2
T
AMB
= 25
°C;
注3
T
AMB
= 25
°C;
注4
T
AMB
= 25
°C;
注5
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
笔记
1，脉冲宽度和占空比限制的最高结温。
储存温度
工作结温
T
s
≤
80
°C
注1
65
30
±20
参数
条件
分钟。
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马克斯。
单位
V
V
A
A
W
W
W
W
°C
°C
2.3
10
2
2
1
1.3
+150
150
1.25
5
源极 - 漏极二极管
源电流（ DC）的
峰值脉冲电流源
A
A
每个MOS晶体管2.最大允许耗散。这两个设备可以被加载到2 W的同时。
每个MOS晶体管3.最大允许耗散。器件安装在印刷电路板用的R
TH A- TP
（环境，以配合点）的27.5 K / W 。
每个MOS晶体管4最大允许耗散。器件安装在印刷电路板用的R
TH A- TP
（环境，以配合点） 90 K / W 。
如果只有一个MOS晶体管的功耗5.最大允许耗散。器件安装在印刷电路板与
的R
TH A- TP
（环境，以配合点） 90 K / W 。
1997年6月20日
3
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