三菱半导体<Intelligent电源Module>
三菱半导体<Intelligent电源Module>
PS20351-N
PS20351-N
模内转印式
模内转印式
绝缘型
绝缘型
PS20351-N
集成电源功能
500V / 3A低损耗的第4代（平面） IGBT逆变器
桥3相DC至AC功率转换。
集成驱动，保护和系统控制功能
对于上桥臂的IGBT
S
：驱动电路，高压隔离的高速电平转换，控制电路欠压（ UV）保护。
注：自举电源方案可以应用。
对于小腿的IGBT
S
：驱动电路，控制电路欠压保护（ UV） ，短路保护（ SC ） 。
故障信号：对应于短路故障（低端IGBT ）或欠压故障（低端IGBT ） 。
输入接口： 5V线CMOS / TTL兼容，施密特触发器接收电路。
应用
AC100V 200V逆变器驱动电机的控制。
图。 1包大纲
散热器侧
(3.556)
(1)
终奌站
(0.5)
(3.556)
(1.656)
(0.5)
尺寸（mm）
终端代码
VUFS
（ UPG ）
VUFB
VP1
（COM）的
UP
VVFS
（ VPG ）
VVFB
VP1
（COM）的
VP
VWFS
（ WPG ）
VWFB
VP1
（COM）的
WP
（ UNG ）
VNO （ NC ）
UN
VN
WN
FO
首席财务官
CIN
VNC
VN1
（ WNG ）
（ VNG ）
P
U
V
W
N
(1)
(0.5)
假脚
(1.778
×
26)
(1.778)
(6.25) (6.25) (6.25)
(8)
(8)
A
(0.5)
(30.5)
(0.75)
29
30
型号名称，批号
(
φ
2
(
φ
3
.3)
(17.4)
(17.4)
28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 16
17
15 13
14
12 10
11
987
654
321
D
T
EP
H
2)
35
34
33
32
31
(7.62
×
4)
(41)
(42)
(49)
(0.5)
(7.62)
(4MIN)
1
2
3
4
5
PCB
6
(1)
图案7
8
（ 1.9 ） SLIT
9
(1.8MIN)
10
（PCB LAYOUT ）
11
细节A
*Note2
12
13
(5)
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
散热器侧
24
(35
°
)
25
26
27
28
29
30
31
32
33
(1.25)
34
(2.5)
35
(6.5)
(10.5)
(1.5)
(1.2)
*注1 ： （ *** ） =假脚。
*注2：为了增加端子之间的表面距离，切缝等在PCB的表面
安装模块时。
2001年9月
三菱半导体<Intelligent电源Module>
PS20351-N
模内转印式
绝缘型
图。 2内部功能框图（典型的应用实例）
CBW +
CBW-
CBV +
CBV-
CBU-
CBU +
C3 ：紧公差，温度补偿型电解
（注意：该电容值取决于PWM控制
所施加的系统中使用的方案） 。
C4 ： 0.22 2μF R-类陶瓷电容用于滤波。
高侧输入（PWM）的
（5V线）（注1,2）
输入信号输入信号输入信号
coditioning coditioning coditioning
电平转换器电平转换器电平转换器
保护
电路（UV）的
C4
C3
保护
电路（UV）的
保护
电路（UV）的
（注6 ）
DIP -IPM
浪涌电流
限幅电路
驱动电路驱动电路驱动电路
P
H-侧IGBT的
S
AC输入
（注4 ）
C
Z
U
V
W
M
AC线路输出
图。 3
N
1
V
NC
N
CIN
驱动电路
L-侧IGBT的
S
Z： ZNR （突波吸收器）
C：交流滤波器（陶瓷电容2.2 6.5nF ）
（注：此外，适当的线对线
浪涌吸收电路可以成为必要
根据不同的应用环境。 ）
输入信号调理
佛逻辑
SC
保护
控制电源
欠压
保护
F
O
首席财务官
低端输入（ PWM ）
（ 5V线）
（注1,2 ）F
O
输出（ 5V线）
（注3,5）
注1 ：
2:
3:
4:
5:
6:
为了防止输入信号振荡，推荐一个RC耦合在每个输入。 （也参见图6）
由于没有任何光耦合器或变压器集成的应用程序特定类型的HVIC模块，直接连接到CPU的终端里面
隔离是可能的。 （也参见图6）
这个输出是集电极开路型。信号线应拉至+ 5V电源的正极侧与大约一个5.1kΩ的电阻。
（也参见图6）
电源直流母线电容和P / N1端子之间的连线应尽可能短，以防止灾难性的高DIP -IPM
浪涌电压。另外需要注意的小薄膜吸收电容（ 0.1 0.22μF ，高压型） ，建议安装在靠近
这些P和N1的DC电源输入端。
FO输出脉冲宽度应通过连接CFO和V之间的外部电容来决定
NC
终端。 （例如：C
FO
=22nF
→
t
FO
=具有1.8ms （ TYP。））
高电压（600V以上），快速恢复型（不超过100ns ）二极管应在自举电路中使用。
V
NC
V
D
（ 15V线）
图。 DIP-IPM的保护电路3外部
DIP -IPM
驱动电路
P
短路保护功能（ SC ） ：
短路保护是通过检测L-侧直流母线电流（通过外部取得
分流电阻）允许一个适当的过滤时间（由RC电路定义的）之后。
当感测到的分流电压超过SC触发电平时，所有的L侧IGBT导通
关和一个故障信号（FO）是输出。由于SC故障可能是重复性的，它是
建议停止系统接收到佛的信号时，并检查故障。
I
C
(A)
SC保护
旅行等级
H-侧IGBT的
S
U
V
W
L-侧IGBT的
S
外部保护电路
N1
分流电阻器
（注1 ）
A
N
V
NC
CIN
B
驱动电路
集电极电流
波形
C R
C
保护电路
（注2 ）
0
2
t
w
(s)
注1 ：
在推荐的外部保护电路，请选择RC时间范围内恒定的1.5 为2.0μs 。
2:
为了防止错误的保护动作， A，B中，C的布线应尽可能的短。
2001年9月
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PS20351-N
模内转印式
绝缘型
最大额定值
(T
j
= 25 ℃，除非另有说明）
逆变部分
符号
V
CC
V
CC （浪涌）
V
CES
±I
C
±I
CP
P
C
T
j
参数
电源电压
电源电压（浪涌）
集电极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流（峰值）
集电极耗散
结温
条件
P -N之间施加
P -N之间施加
T
f
= 25°C
T
f
= 25 ℃，瞬时值（脉冲）
T
f
= 25℃时，每1片
（注1 ）
评级
350
400
500
3
6
17.8
–20~+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
注1
：在DIP -IPM内部集成功率芯片的最高结温额定值为150 ° C（ @ T
f
≤
100 ℃）。然而，为了
确保在DIP-IPM的安全操作，平均结温应限制至T
J（下AVE ）
≤
125°C （ @ T
f
≤
100°C).
控制（保护）第
符号
V
D
V
DB
V
CIN
V
FO
I
FO
V
SC
参数
控制电源电压
控制电源电压
输入电压
故障输出电源电压
故障输出电流
电流检测输入电压
条件
V的应用
P1
-V
NC
, V
N1
-V
NC
V的应用
UFB
-V
UFS
, V
VFB
-V
VFS
,
V
WFB
-V
世界粮食首脑会议
ü之间施加
P
, V
P
, W
P
-V
NC
,
U
N
, V
N
, W
N
-V
NC
F之间施加
O
-V
NC
灌电流以F
O
终奌站
CIN -V的应用
NC
评级
20
20
–0.5~V
D
+0.5
–0.5~V
D
+0.5
15
–0.5~V
D
+0.5
单位
V
V
V
V
mA
V
系统总
参数
V
CC （ PROT ）
自我保护限制电压
（短路保护功能）
散热鳍片工作温度
T
f
T
英镑
储存温度
V
ISO
隔离电压
符号
条件
V
D
= V
DB
= 13.5 16.5V ，逆变部分
T
j
= 125 ℃，非重复，少于2
s
（注2 ）
60Hz的正弦， 1分钟后，连接
引脚散热片板
评级
330
–20~+100
–40~+125
1500
单位
V
°C
°C
V
RMS
注2 ：T已
f
测量点
铝单板规格：
外形尺寸100
×
100
×
10mm的整理： 12S ，经编： -50 100微米
C
ONTROL码头
FWD芯片
18mm
16mm
阿尔局
IGBT / FWD芯片
槽
IGBT芯片
温度。测量
点
（里面的铝板）
N
W
V
U
P
温度。测量点
（里面的铝板）
电源端子
100 均匀200μm的应用硅润滑脂
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模内转印式
绝缘型
热阻
符号
R
日（J -F ） Q
R
日（J -F ）F
参数
结到散热器的热
阻力
条件
IGBT逆变器部分（每1/6模块）
变频器FWD部分（每1/6模块）
（注3）
（注3）
范围
分钟。
—
—
典型值。
—
—
马克斯。
7.0
8.0
单位
° C / W
° C / W
注3 ：
脂具有良好的热导率应均匀地施加约± 100微米+ 200微米上的DIP-IPM和一个接触的表面
散热器。
电气特性
(T
j
= 25 ℃，除非另有说明）
逆变部分
符号
V
CE （ SAT ）
V
EC
t
on
t
rr
t
C（ ON）
t
关闭
t
C（ OFF）
I
CES
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
FWD正向电压
条件
I
C
= 3A ，T
j
= 25°C
V
D
= V
DB
= 15V
V
CIN
= 0V
I
C
= 3A ，T
j
= 125°C
T
j
= 25 ° C， -I
C
= 5A ，V
CIN
= 5V
V
CC
= 280V, V
D
= V
DB
=15V
I
C
= 3A ，T
j
= 125°C
开关时间
感性负载（上，下臂）
V
CIN
= 5
0V
V
CE
= V
CES
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
分钟。
—
—
—
0.4
—
—
—
—
—
—
范围
典型值。
1.7
1.8
1.9
0.9
0.25
0.35
0.90
0.45
—
—
马克斯。
2.35
2.45
2.6
1.35
—
0.60
1.35
0.95
1
10
单位
V
V
s
s
s
s
s
mA
集电极 - 发射极截止
当前
控制（保护）第
符号
参数
条件
总的V
P1
-V
NC
, V
N1
-V
NC
V
D
= V
DB
=15V
V
CIN
= 5V
V
UFB
-V
UFS
, V
VFB
-V
VFS
, V
WFB
-V
世界粮食首脑会议
总的V
P1
-V
NC
, V
N1
-V
NC
V
D
= V
DB
=15V
V
UFB
-V
UFS
, V
VFB
-V
VFS
, V
WFB
-V
世界粮食首脑会议
V
CIN
= 0V
V
SC
= 0V ，女
O
= 10kΩ的5V拉
V
SC
= 1V ，我
FO
= 1.5毫安
V
SC
= 1V ，我
FO
= 15毫安
（注4 ）
T
j
=
25 ° C，V
D
= 15V
旅行等级
复位电平
T
j
≤
125°C
旅行等级
复位电平
分钟。
—
—
—
—
4.9
—
0.8
0.43
10.0
10.5
10.3
10.8
1.0
0.8
2.5
范围
典型值。
—
—
—
—
—
0.6
1.2
0.48
—
—
—
—
1.8
1.4
3.0
马克斯。
8.5
1.0
9.7
1.0
—
0.9
1.8
0.53
12.0
12.5
12.5
13.0
—
2.0
4.0
单位
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
ms
V
V
I
D
短路电流
故障输出脉冲宽度
（注5 ）
C
FO
=值为22nF
之间施加：
对阈值电压
U
P
, V
P
, W
P
-V
NC
, U
N
, V
N
, W
N
-V
NC
断阈值电压
注4 ：
短路保护只在低臂动作。请选择外部分流电阻的值，使得SC触发电平
小于5.1A
5 :
当低臂短路，或控制电源欠压保护功能操作故障信号输出。故障输出
脉冲宽度t
FO
取决于C的电容值
FO
根据以下的近似公式。 ：C
FO
= (12.2
10
-6
)
t
FO
[F]
V
FOH
V
FOL
V
FOsat
V
SC （ REF）
UV
DBT
UV
DBR
UV
Dt
UV
Dr
t
FO
V
TH （ON）的
V
TH （OFF）的
FAULT输出电压
短路跳闸等级
电源电路欠压
保护
2001年9月
三菱半导体<Intelligent电源Module>
PS20351-N
模内转印式
绝缘型
机械特性和额定值
参数
安装力矩
终端拉动力量
弯曲强度
重量
散热器平整度
条件
安装螺钉： M3
重9.8N
重量4.9N 。 90度弯头
（注6 ）
—
EIAJ-ED-4701
EIAJ-ED-4701
—
—
分钟。
0.59
10
2
—
–50
范围
典型值。
0.78
—
—
20
—
马克斯。
0.98
—
—
—
100
单位
N·m的
s
时
g
m
注6：散热器平整度测量点
DIP -IPM
+–
测量范围
3mm
散热器
–
+
散热器
推荐工作条件
符号
V
CC
V
D
V
DB
V
D
,
V
DB
t
DEAD
f
PWM
V
CIN （上）
V
CIN （关闭）
参数
电源电压
控制电源电压
控制电源电压
控制电源变化
臂直通阻塞时间
PWM输入频率
输入电压
输入过电压
条件
P -N之间施加
V的应用
P1
-V
NC
, V
N1
-V
NC
V的应用
UFB
-V
UFS
, V
VFB
-V
VFS
, V
WFB
-V
世界粮食首脑会议
对于每个输入信号
T
j
≤
125°C ，T
f
≤
100°C
ü之间施加
P
, V
P
, W
P
-V
NC
, U
N
, V
N
, W
N
-V
NC
范围
分钟。
0
13.5
13.5
–1
1.5
—
典型值。
280
15.0
15.0
—
—
15
0~0.65
4.0~5.5
马克斯。
330
16.5
16.5
1
—
—
单位
V
V
V
V / μs的
s
千赫
V
V
2001年9月
三菱半导体<Intelligent电源Module>
三菱半导体<Intelligent电源Module>
PS20351-N
PS20351-N
模内转印式
模内转印式
绝缘型
绝缘型
PS20351-N
集成电源功能
500V / 3A低损耗的第4代（平面） IGBT逆变器
桥3相DC至AC功率转换。
集成驱动，保护和系统控制功能
对于上桥臂的IGBT
S
：驱动电路，高压隔离的高速电平转换，控制电路欠压（ UV）保护。
注：自举电源方案可以应用。
对于小腿的IGBT
S
：驱动电路，控制电路欠压保护（ UV） ，短路保护（ SC ） 。
故障信号：对应于短路故障（低端IGBT ）或欠压故障（低端IGBT ） 。
输入接口： 5V线CMOS / TTL兼容，施密特触发器接收电路。
应用
AC100V 200V逆变器驱动电机的控制。
图。 1包大纲
散热器侧
(3.556)
(1)
终奌站
(0.5)
(3.556)
(1.656)
(0.5)
尺寸（mm）
终端代码
VUFS
（ UPG ）
VUFB
VP1
（COM）的
UP
VVFS
（ VPG ）
VVFB
VP1
（COM）的
VP
VWFS
（ WPG ）
VWFB
VP1
（COM）的
WP
（ UNG ）
VNO （ NC ）
UN
VN
WN
FO
首席财务官
CIN
VNC
VN1
（ WNG ）
（ VNG ）
P
U
V
W
N
(1)
(0.5)
假脚
(1.778
×
26)
(1.778)
(6.25) (6.25) (6.25)
(8)
(8)
A
(0.5)
(30.5)
(0.75)
29
30
型号名称，批号
(
φ
2
(
φ
3
.3)
(17.4)
(17.4)
28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 16
17
15 13
14
12 10
11
987
654
321
D
T
EP
H
2)
35
34
33
32
31
(7.62
×
4)
(41)
(42)
(49)
(0.5)
(7.62)
(4MIN)
1
2
3
4
5
PCB
6
(1)
图案7
8
（ 1.9 ） SLIT
9
(1.8MIN)
10
（PCB LAYOUT ）
11
细节A
*Note2
12
13
(5)
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
散热器侧
24
(35
°
)
25
26
27
28
29
30
31
32
33
(1.25)
34
(2.5)
35
(6.5)
(10.5)
(1.5)
(1.2)
*注1 ： （ *** ） =假脚。
*注2：为了增加端子之间的表面距离，切缝等在PCB的表面
安装模块时。
2001年9月
三菱半导体<Intelligent电源Module>
PS20351-N
模内转印式
绝缘型
图。 2内部功能框图（典型的应用实例）
CBW +
CBW-
CBV +
CBV-
CBU-
CBU +
C3 ：紧公差，温度补偿型电解
（注意：该电容值取决于PWM控制
所施加的系统中使用的方案） 。
C4 ： 0.22 2μF R-类陶瓷电容用于滤波。
高侧输入（PWM）的
（5V线）（注1,2）
输入信号输入信号输入信号
coditioning coditioning coditioning
电平转换器电平转换器电平转换器
保护
电路（UV）的
C4
C3
保护
电路（UV）的
保护
电路（UV）的
（注6 ）
DIP -IPM
浪涌电流
限幅电路
驱动电路驱动电路驱动电路
P
H-侧IGBT的
S
AC输入
（注4 ）
C
Z
U
V
W
M
AC线路输出
图。 3
N
1
V
NC
N
CIN
驱动电路
L-侧IGBT的
S
Z： ZNR （突波吸收器）
C：交流滤波器（陶瓷电容2.2 6.5nF ）
（注：此外，适当的线对线
浪涌吸收电路可以成为必要
根据不同的应用环境。 ）
输入信号调理
佛逻辑
SC
保护
控制电源
欠压
保护
F
O
首席财务官
低端输入（ PWM ）
（ 5V线）
（注1,2 ）F
O
输出（ 5V线）
（注3,5）
注1 ：
2:
3:
4:
5:
6:
为了防止输入信号振荡，推荐一个RC耦合在每个输入。 （也参见图6）
由于没有任何光耦合器或变压器集成的应用程序特定类型的HVIC模块，直接连接到CPU的终端里面
隔离是可能的。 （也参见图6）
这个输出是集电极开路型。信号线应拉至+ 5V电源的正极侧与大约一个5.1kΩ的电阻。
（也参见图6）
电源直流母线电容和P / N1端子之间的连线应尽可能短，以防止灾难性的高DIP -IPM
浪涌电压。另外需要注意的小薄膜吸收电容（ 0.1 0.22μF ，高压型） ，建议安装在靠近
这些P和N1的DC电源输入端。
FO输出脉冲宽度应通过连接CFO和V之间的外部电容来决定
NC
终端。 （例如：C
FO
=22nF
→
t
FO
=具有1.8ms （ TYP。））
高电压（600V以上），快速恢复型（不超过100ns ）二极管应在自举电路中使用。
V
NC
V
D
（ 15V线）
图。 DIP-IPM的保护电路3外部
DIP -IPM
驱动电路
P
短路保护功能（ SC ） ：
短路保护是通过检测L-侧直流母线电流（通过外部取得
分流电阻）允许一个适当的过滤时间（由RC电路定义的）之后。
当感测到的分流电压超过SC触发电平时，所有的L侧IGBT导通
关和一个故障信号（FO）是输出。由于SC故障可能是重复性的，它是
建议停止系统接收到佛的信号时，并检查故障。
I
C
(A)
SC保护
旅行等级
H-侧IGBT的
S
U
V
W
L-侧IGBT的
S
外部保护电路
N1
分流电阻器
（注1 ）
A
N
V
NC
CIN
B
驱动电路
集电极电流
波形
C R
C
保护电路
（注2 ）
0
2
t
w
(s)
注1 ：
在推荐的外部保护电路，请选择RC时间范围内恒定的1.5 为2.0μs 。
2:
为了防止错误的保护动作， A，B中，C的布线应尽可能的短。
2001年9月
三菱半导体<Intelligent电源Module>
PS20351-N
模内转印式
绝缘型
最大额定值
(T
j
= 25 ℃，除非另有说明）
逆变部分
符号
V
CC
V
CC （浪涌）
V
CES
±I
C
±I
CP
P
C
T
j
参数
电源电压
电源电压（浪涌）
集电极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流（峰值）
集电极耗散
结温
条件
P -N之间施加
P -N之间施加
T
f
= 25°C
T
f
= 25 ℃，瞬时值（脉冲）
T
f
= 25℃时，每1片
（注1 ）
评级
350
400
500
3
6
17.8
–20~+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
注1
：在DIP -IPM内部集成功率芯片的最高结温额定值为150 ° C（ @ T
f
≤
100 ℃）。然而，为了
确保在DIP-IPM的安全操作，平均结温应限制至T
J（下AVE ）
≤
125°C （ @ T
f
≤
100°C).
控制（保护）第
符号
V
D
V
DB
V
CIN
V
FO
I
FO
V
SC
参数
控制电源电压
控制电源电压
输入电压
故障输出电源电压
故障输出电流
电流检测输入电压
条件
V的应用
P1
-V
NC
, V
N1
-V
NC
V的应用
UFB
-V
UFS
, V
VFB
-V
VFS
,
V
WFB
-V
世界粮食首脑会议
ü之间施加
P
, V
P
, W
P
-V
NC
,
U
N
, V
N
, W
N
-V
NC
F之间施加
O
-V
NC
灌电流以F
O
终奌站
CIN -V的应用
NC
评级
20
20
–0.5~V
D
+0.5
–0.5~V
D
+0.5
15
–0.5~V
D
+0.5
单位
V
V
V
V
mA
V
系统总
参数
V
CC （ PROT ）
自我保护限制电压
（短路保护功能）
散热鳍片工作温度
T
f
T
英镑
储存温度
V
ISO
隔离电压
符号
条件
V
D
= V
DB
= 13.5 16.5V ，逆变部分
T
j
= 125 ℃，非重复，少于2
s
（注2 ）
60Hz的正弦， 1分钟后，连接
引脚散热片板
评级
330
–20~+100
–40~+125
1500
单位
V
°C
°C
V
RMS
注2 ：T已
f
测量点
铝单板规格：
外形尺寸100
×
100
×
10mm的整理： 12S ，经编： -50 100微米
C
ONTROL码头
FWD芯片
18mm
16mm
阿尔局
IGBT / FWD芯片
槽
IGBT芯片
温度。测量
点
（里面的铝板）
N
W
V
U
P
温度。测量点
（里面的铝板）
电源端子
100 均匀200μm的应用硅润滑脂
2001年9月
三菱半导体<Intelligent电源Module>
PS20351-N
模内转印式
绝缘型
热阻
符号
R
日（J -F ） Q
R
日（J -F ）F
参数
结到散热器的热
阻力
条件
IGBT逆变器部分（每1/6模块）
变频器FWD部分（每1/6模块）
（注3）
（注3）
范围
分钟。
—
—
典型值。
—
—
马克斯。
7.0
8.0
单位
° C / W
° C / W
注3 ：
脂具有良好的热导率应均匀地施加约± 100微米+ 200微米上的DIP-IPM和一个接触的表面
散热器。
电气特性
(T
j
= 25 ℃，除非另有说明）
逆变部分
符号
V
CE （ SAT ）
V
EC
t
on
t
rr
t
C（ ON）
t
关闭
t
C（ OFF）
I
CES
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
FWD正向电压
条件
I
C
= 3A ，T
j
= 25°C
V
D
= V
DB
= 15V
V
CIN
= 0V
I
C
= 3A ，T
j
= 125°C
T
j
= 25 ° C， -I
C
= 5A ，V
CIN
= 5V
V
CC
= 280V, V
D
= V
DB
=15V
I
C
= 3A ，T
j
= 125°C
开关时间
感性负载（上，下臂）
V
CIN
= 5
0V
V
CE
= V
CES
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
分钟。
—
—
—
0.4
—
—
—
—
—
—
范围
典型值。
1.7
1.8
1.9
0.9
0.25
0.35
0.90
0.45
—
—
马克斯。
2.35
2.45
2.6
1.35
—
0.60
1.35
0.95
1
10
单位
V
V
s
s
s
s
s
mA
集电极 - 发射极截止
当前
控制（保护）第
符号
参数
条件
总的V
P1
-V
NC
, V
N1
-V
NC
V
D
= V
DB
=15V
V
CIN
= 5V
V
UFB
-V
UFS
, V
VFB
-V
VFS
, V
WFB
-V
世界粮食首脑会议
总的V
P1
-V
NC
, V
N1
-V
NC
V
D
= V
DB
=15V
V
UFB
-V
UFS
, V
VFB
-V
VFS
, V
WFB
-V
世界粮食首脑会议
V
CIN
= 0V
V
SC
= 0V ，女
O
= 10kΩ的5V拉
V
SC
= 1V ，我
FO
= 1.5毫安
V
SC
= 1V ，我
FO
= 15毫安
（注4 ）
T
j
=
25 ° C，V
D
= 15V
旅行等级
复位电平
T
j
≤
125°C
旅行等级
复位电平
分钟。
—
—
—
—
4.9
—
0.8
0.43
10.0
10.5
10.3
10.8
1.0
0.8
2.5
范围
典型值。
—
—
—
—
—
0.6
1.2
0.48
—
—
—
—
1.8
1.4
3.0
马克斯。
8.5
1.0
9.7
1.0
—
0.9
1.8
0.53
12.0
12.5
12.5
13.0
—
2.0
4.0
单位
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
ms
V
V
I
D
短路电流
故障输出脉冲宽度
（注5 ）
C
FO
=值为22nF
之间施加：
对阈值电压
U
P
, V
P
, W
P
-V
NC
, U
N
, V
N
, W
N
-V
NC
断阈值电压
注4 ：
短路保护只在低臂动作。请选择外部分流电阻的值，使得SC触发电平
小于5.1A
5 :
当低臂短路，或控制电源欠压保护功能操作故障信号输出。故障输出
脉冲宽度t
FO
取决于C的电容值
FO
根据以下的近似公式。 ：C
FO
= (12.2
10
-6
)
t
FO
[F]
V
FOH
V
FOL
V
FOsat
V
SC （ REF）
UV
DBT
UV
DBR
UV
Dt
UV
Dr
t
FO
V
TH （ON）的
V
TH （OFF）的
FAULT输出电压
短路跳闸等级
电源电路欠压
保护
2001年9月
三菱半导体<Intelligent电源Module>
PS20351-N
模内转印式
绝缘型
机械特性和额定值
参数
安装力矩
终端拉动力量
弯曲强度
重量
散热器平整度
条件
安装螺钉： M3
重9.8N
重量4.9N 。 90度弯头
（注6 ）
—
EIAJ-ED-4701
EIAJ-ED-4701
—
—
分钟。
0.59
10
2
—
–50
范围
典型值。
0.78
—
—
20
—
马克斯。
0.98
—
—
—
100
单位
N·m的
s
时
g
m
注6：散热器平整度测量点
DIP -IPM
+–
测量范围
3mm
散热器
–
+
散热器
推荐工作条件
符号
V
CC
V
D
V
DB
V
D
,
V
DB
t
DEAD
f
PWM
V
CIN （上）
V
CIN （关闭）
参数
电源电压
控制电源电压
控制电源电压
控制电源变化
臂直通阻塞时间
PWM输入频率
输入电压
输入过电压
条件
P -N之间施加
V的应用
P1
-V
NC
, V
N1
-V
NC
V的应用
UFB
-V
UFS
, V
VFB
-V
VFS
, V
WFB
-V
世界粮食首脑会议
对于每个输入信号
T
j
≤
125°C ，T
f
≤
100°C
ü之间施加
P
, V
P
, W
P
-V
NC
, U
N
, V
N
, W
N
-V
NC
范围
分钟。
0
13.5
13.5
–1
1.5
—
典型值。
280
15.0
15.0
—
—
15
0~0.65
4.0~5.5
马克斯。
330
16.5
16.5
1
—
—
单位
V
V
V
V / μs的
s
千赫
V
V
2001年9月
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