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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第673页 > PRHMB200B12
IGBT
模块
电路
菜刀200A 1200V
外形绘图
PRHMB200B12
2- fasten-标签110号
外形尺寸(mm )
最大完全评级
(Tc=25°C)
集电极 - 发射极电压
门 - 发射极电压
集电极电流
DC
1毫秒
大约重量: 320克
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
V
ISO
F
PRHMB200B12
1200
+/ - 20
200
400
960
-40到+150
-40到+125
2500
3
2
单位
V
V
A
W
°C
°C
V
N·m的
集电极耗散功率
结温范围
存储温度范围
隔离电压端基AC, 1分钟)
模组基地散热器
安装力矩
母线主接线端子
电气特性
(Tc=25°C)
特征
集电极 - 发射极截止电流
栅极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极 - 发射极阈值电压
输入电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
符号
I
CES
I
GES
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
资本投资者入境计划
t
r
t
on
t
f
t
关闭
测试条件
V
CE
=1200V,V
GE
=0V
V
GE
=+/- 20V,V
CE
=0V
I
C
=200A,V
GE
=15V
V
CE
=5V,I
C
=200mA
V
CE
=10V,V
GE
=0V,f=1MHz
V
CC
= 600V
R
L
= 3欧姆
R
G
= 2欧姆
V
GE
= +/- 15V
分钟。
-
-
-
4.0
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
1.9
-
16600
0.25
0.40
0.25
0.80
马克斯。
4.0
1.0
2.4
8.0
-
0.45
0.70
0.35
1.10
单位
mA
A
V
V
pF
s
续流二极管额定值&特性
(Tc=25°C)
符号
额定值
正向电流
DC
1毫秒
I
F
I
FM
200
400
单位
A
典型值。
1.9
0.2
特征
峰值正向电压
反向恢复时间
符号
V
F
t
rr
测试条件
I
F
=200A,V
GE
=0V
I
F
=200A,V
GE
=-10V,di/dt=400A/
s
分钟。
-
-
马克斯。
2.4
0.3
单位
V
s
单位
° C / W
热特性
特征
热阻抗
IGBT
二极管
符号
R
日(J -C )
测试条件
结到外壳
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
0.125
0.24
PRHMB200B12
Fig.1-输出特性
(典型值)
400
Fig.2-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
(典型值)
T
C
=25℃
16
T
C
=25℃
I
C
=100A
400A
V
GE
=20V
15V
12V
10V
集电极到发射极电压V
CE
(V)
14
12
10
8
6
4
2
0
200A
集电极电流I
C
(A)
300
9V
200
8V
100
7V
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
集电极到发射极电压V
CE
(V)
门到发射极电压V
GE
(V)
Fig.3-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
(典型值)
16
Fig.4-栅极电荷主场迎战集电极到发射极电压
(典型值)
800
700
600
500
400
16
T
C
=125℃
I
C
=100A
400A
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
14
R
L
=3Ω
T
C
=25℃
14
门到发射极电压V
GE
(V)
200A
12
10
8
6
4
2
0
12
10
8
V
CE
=600V
300
6
400V
200
100
0
0
300
600
900
1200
200V
4
2
0
1500
0
4
8
12
16
20
门到发射极电压V
GE
(V)
总栅极电荷Qg
( NC )
Fig.5-电容与集电极到发射极电压
(典型值)
100000
50000
20000
Fig.6-集电极电流与开关时间
(典型值)
1.4
1.2
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25℃
资本投资者入境计划
V
CC
=600V
R
G
= 2.0
Ω
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
开关时间t
(μs)
电容C
(PF )
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10000
5000
2000
1000
500
t
关闭
卓越中心
t
f
CRES
200
100
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
t
ON
t
r
0
50
100
150
200
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
PRHMB200B12
Fig.7-系列栅极阻抗与开关时间
(典型值)
10
5
400
续流二极管的Fig.8-正向特性
(典型值)
T
C
=25℃
T
C
=125℃
V
CC
=600V
I
C
=200A
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
花花公子
开关时间t
(μs)
2
1
0.5
正向电流I
F
(A)
tr
300
200
tf
0.2
0.1
0.05
100
1
2
5
10
20
50
100
200
0
0
1
2
3
4
系列栅极阻抗
G
(Ω)
正向电压V
F
(V)
Fig.9-反向恢复特性
(典型值)
1000
1000
Fig.10-反向偏置安全工作区
(典型值)
500
200
峰值反向恢复电流I
RRM
(A)
反向恢复时间trr
(纳秒)
500
I
F
=200A
T
C
=25℃
R
G
=2Ω
V
GE
=±15V
T
C
≦125℃
200
100
50
集电极电流I
C
(A)
200
400
600
800
1000
1200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
TRR
20
I
RRM
10
5
0
0.1
0
400
800
1200
1600
-di / dt的
( A / μs)内
集电极到发射极电压V
CE
(V)
Fig.11-瞬态热阻抗
1
(℃/W)
5x10
-1
2x10
-1
1x10
-1
FRD
IGBT
瞬态热阻抗Rth的
(J -C )
5x10
-2
2x10
-2
1x10
-2
5x10
-3
2x10
-3
1x10
-3
T
C
=25℃
1次脉冲
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
1
5x10
-4
10
-5
时间T
(s)
IGBT
模块
电路
菜刀200A 1200V
外形绘图
PRHMB200B12
2- fasten-标签110号
外形尺寸(mm )
最大完全评级
(Tc=25°C)
集电极 - 发射极电压
门 - 发射极电压
集电极电流
DC
1毫秒
大约重量: 320克
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
V
ISO
F
PRHMB200B12
1200
+/ - 20
200
400
960
-40到+150
-40到+125
2500
3
2
单位
V
V
A
W
°C
°C
V
N·m的
集电极耗散功率
结温范围
存储温度范围
隔离电压端基AC, 1分钟)
模组基地散热器
安装力矩
母线主接线端子
电气特性
(Tc=25°C)
特征
集电极 - 发射极截止电流
栅极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极 - 发射极阈值电压
输入电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
符号
I
CES
I
GES
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
资本投资者入境计划
t
r
t
on
t
f
t
关闭
测试条件
V
CE
=1200V,V
GE
=0V
V
GE
=+/- 20V,V
CE
=0V
I
C
=200A,V
GE
=15V
V
CE
=5V,I
C
=200mA
V
CE
=10V,V
GE
=0V,f=1MHz
V
CC
= 600V
R
L
= 3欧姆
R
G
= 2欧姆
V
GE
= +/- 15V
分钟。
-
-
-
4.0
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
1.9
-
16600
0.25
0.40
0.25
0.80
马克斯。
4.0
1.0
2.4
8.0
-
0.45
0.70
0.35
1.10
单位
mA
A
V
V
pF
s
续流二极管额定值&特性
(Tc=25°C)
符号
额定值
正向电流
DC
1毫秒
I
F
I
FM
200
400
单位
A
典型值。
1.9
0.2
特征
峰值正向电压
反向恢复时间
符号
V
F
t
rr
测试条件
I
F
=200A,V
GE
=0V
I
F
=200A,V
GE
=-10V,di/dt=400A/
s
分钟。
-
-
马克斯。
2.4
0.3
单位
V
s
单位
° C / W
热特性
特征
热阻抗
IGBT
二极管
符号
R
日(J -C )
测试条件
结到外壳
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
0.125
0.24
PRHMB200B12
Fig.1-输出特性
(典型值)
400
Fig.2-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
(典型值)
T
C
=25℃
16
T
C
=25℃
I
C
=100A
400A
V
GE
=20V
15V
12V
10V
集电极到发射极电压V
CE
(V)
14
12
10
8
6
4
2
0
200A
集电极电流I
C
(A)
300
9V
200
8V
100
7V
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
集电极到发射极电压V
CE
(V)
门到发射极电压V
GE
(V)
Fig.3-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
(典型值)
16
Fig.4-栅极电荷主场迎战集电极到发射极电压
(典型值)
800
700
600
500
400
16
T
C
=125℃
I
C
=100A
400A
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
14
R
L
=3Ω
T
C
=25℃
14
门到发射极电压V
GE
(V)
200A
12
10
8
6
4
2
0
12
10
8
V
CE
=600V
300
6
400V
200
100
0
0
300
600
900
1200
200V
4
2
0
1500
0
4
8
12
16
20
门到发射极电压V
GE
(V)
总栅极电荷Qg
( NC )
Fig.5-电容与集电极到发射极电压
(典型值)
100000
50000
20000
Fig.6-集电极电流与开关时间
(典型值)
1.4
1.2
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25℃
资本投资者入境计划
V
CC
=600V
R
G
= 2.0
Ω
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
开关时间t
(μs)
电容C
(PF )
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10000
5000
2000
1000
500
t
关闭
卓越中心
t
f
CRES
200
100
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
t
ON
t
r
0
50
100
150
200
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
PRHMB200B12
Fig.7-系列栅极阻抗与开关时间
(典型值)
10
5
400
续流二极管的Fig.8-正向特性
(典型值)
T
C
=25℃
T
C
=125℃
V
CC
=600V
I
C
=200A
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
花花公子
开关时间t
(μs)
2
1
0.5
正向电流I
F
(A)
tr
300
200
tf
0.2
0.1
0.05
100
1
2
5
10
20
50
100
200
0
0
1
2
3
4
系列栅极阻抗
G
(Ω)
正向电压V
F
(V)
Fig.9-反向恢复特性
(典型值)
1000
1000
Fig.10-反向偏置安全工作区
(典型值)
500
200
峰值反向恢复电流I
RRM
(A)
反向恢复时间trr
(纳秒)
500
I
F
=200A
T
C
=25℃
R
G
=2Ω
V
GE
=±15V
T
C
≦125℃
200
100
50
集电极电流I
C
(A)
200
400
600
800
1000
1200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
TRR
20
I
RRM
10
5
0
0.1
0
400
800
1200
1600
-di / dt的
( A / μs)内
集电极到发射极电压V
CE
(V)
Fig.11-瞬态热阻抗
1
(℃/W)
5x10
-1
2x10
-1
1x10
-1
FRD
IGBT
瞬态热阻抗Rth的
(J -C )
5x10
-2
2x10
-2
1x10
-2
5x10
-3
2x10
-3
1x10
-3
T
C
=25℃
1次脉冲
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
1
5x10
-4
10
-5
时间T
(s)
IGBT
M½½½½½-C½½½½½½
回 路 図 :
CIRCUIT
200 A,1200V
PRHMB200B12
94.0
80
±0.25
□ 外 ½ 寸 法 図 :
OUTLINE DRAWING
12.0 11.0 12.0 11.0 12.0
2-6.5
(C2E1)
1
(E2)
2
(C1)
3
48.0
16.0
14.0
7(G2)
6(E2)
1
2
3
7
6
3-M5
14
23.0
9
14
23.0
9
14
17.0
4系卡
#110 t=0.5
21.2 7.5
7
30
+1.0
- 0 .5
LABEL
4
Dimension:[mm½
□ 最 大 定 格 :
MAXIMUM
コレクタエミッタ間電圧
集电极 - 发射极电压
ゲ ー トエ ミ ッ タ 間 電 圧
栅极 - 发射极电压
コ レ ク タ 電 流
集电极电流
コ レ ク タ 損 失
集电极耗散功率
结温范围
存储温度范围
圧(Terminal to Base AC,1½inute)
隔离电压
模组基地散热器
締 め 付 け ト ル ク
安装力矩
母线主接线
□ 電 気 的 特 性
DC
1½½
RATINGS
=25℃)
S½½½½½
CES
GES
CP
½
½½½
ISO
½½½
R½½½½ V½½½½
1,200
±20
200
400
960
-40½+150
-40½+125
2,500
3(30.6)
2(20.4)
U½½½
(RMS)
N½
(kgf½cm)
I½½½
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
=25℃)
S½½½½½
CES
GES
CE(½½½)
GE(½½)
½½½
上 昇 時 間
ターンオン時間
下 降 時 間
ターンオフ時間
上升
开启
秋天
打开-O FF
时间
时间
时间
时间
½
½
½
½½
½
½
½
½½½
T½½½ C½½½½½½½½
= 1200V,V
GE
= 0V
GE
= ±20V,V
CE
= 0V
= 200A,V
GE
= 15V
CE
= 5V,I
= 200毫安
CE
= 10V,V
GE
= 0V,½= 1MH
CC
= 600V
L
= 3Ω
G
= 2Ω
GE
= ±15V
M½½.
4.0
T½½.
1.9
16,600
0.25
0.40
0.25
0.80
M½½.
4.0
1.0
2.4
8.0
0.45
0.70
0.35
1.10
U½½½
½A
μA
½F
C½½½½½½½½½½½½½
コ レ ク タ 遮 断 電 流
集电极 - 发射极截止电流
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
栅极 - 发射极漏电流
コレクタエミッタ間½和電圧
集电极 - 发射极饱和电压
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
栅极 - 发射极阈值电压
输入电容
スイッチング時間
开关时间
μ½
□フリーホイーリングダイオードの 特 性:
FREE
I½½½
正向电流
C½½½½½½½½½½½½½
峰值正向电压
逆 回 復 時 間
反向恢复时间
□ 熱 的
特 性
WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS
(T
=25℃)
S½½½½½
FM
S½½½½½
½
½½
R½½½½ V½½½½
200
400
T½½½ C½½½½½½½½
= 200A,V
GE
= 0V
= 200A,V
GE
= -10V
½i/½t= 400A/μs
M½½.
T½½.
1.9
0.2
M½½.
2.4
0.3
U½½½
DC
1½½
U½½½
μ½
THERMAL CHARACTERISTICS
S½½½½½
RTH (J -C )
T½½½ C½½½½½½½½
结到外壳
M½½.
T½½.
M½½. U½½½
0.125
℃/W
0.24
C½½½½½½½½½½½½½
IGBT
热阻抗
二极管
日本インター株式会社
PRHMB200B12
Fig.1-输出特性
(典型值)
400
Fig.2-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
(典型值)
T
C
=25℃
16
T
C
=25℃
I
C
=100A
400A
V
GE
=20V
15V
12V
10V
集电极到发射极电压V
CE
(V)
14
12
10
8
6
4
2
0
200A
集电极电流I
C
(A)
300
9V
200
8V
100
7V
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
集电极到发射极电压V
CE
(V)
门到发射极电压V
GE
(V)
Fig.3-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
(典型值)
16
Fig.4-栅极电荷主场迎战集电极到发射极电压
(典型值)
800
700
600
500
400
16
T
C
=125℃
I
C
=100A
400A
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
14
R
L
=3Ω
T
C
=25℃
14
门到发射极电压V
GE
(V)
200A
12
10
8
6
4
2
0
12
10
8
V
CE
=600V
300
6
400V
200
4
200V
100
0
0
300
600
900
1200
2
0
1500
0
4
8
12
16
20
门到发射极电压V
GE
(V)
总栅极电荷Qg
( NC )
Fig.5-电容与集电极到发射极电压
(典型值)
100000
50000
20000
Fig.6-集电极电流与开关时间
(典型值)
1.4
1.2
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25℃
资本投资者入境计划
V
CC
=600V
R
G
= 2.0 Ω
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
开关时间t
(μs)
电容C
(PF )
10000
5000
2000
1000
500
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
t
关闭
卓越中心
t
f
CRES
200
100
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
t
ON
t
r
0
50
100
150
200
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
日本インター株式会社
PRHMB200B12
续流二极管的Fig.8-正向特性
Fig.7-系列栅极阻抗与开关时间
(典型值)
10
5
400
(典型值)
T
C
=25℃
T
C
=125℃
V
CC
=600V
I
C
=200A
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
花花公子
开关时间t
(μs)
2
1
0.5
正向电流I
F
(A)
tr
300
200
tf
0.2
0.1
0.05
100
1
2
5
10
20
50
100
200
0
0
1
2
3
4
系列栅极阻抗
G
(Ω)
正向电压V
F
(V)
Fig.9-反向恢复特性
(典型值)
1000
1000
Fig.10-反向偏置安全工作区
(典型值)
500
200
峰值反向恢复电流I
RRM
(A)
反向恢复时间trr
(纳秒)
500
I
F
=200A
T
C
=25℃
R
G
=2Ω
V
GE
=±15V
T
C
≦125℃
200
100
50
集电极电流I
C
(A)
200
400
600
800
1000
1200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
TRR
20
I
RRM
10
5
0
0.1
0
400
800
1200
1600
-di / dt的
( A / μs)内
集电极到发射极电压V
CE
(V)
Fig.11-瞬态热阻抗
1
(℃/W)
5x10
-1
2x10
-1
1x10
-1
FRD
IGBT
瞬态热阻抗Rth的
(J -C )
5x10
-2
2x10
-2
1x10
-2
5x10
-3
2x10
-3
1x10
-3
5x10
-4
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
T
C
=25℃
1次脉冲
1
10
1
时间T
(s)
日本インター株式会社
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