多端口MicroCapacitance （ MC ）
SIDACtor
设备
RoHS指令
1
(R
1
)
2
(G
1
)
6
(T
2
)
5
(G
2
)
多端口线MC保护器是用于保护一个综合的，多芯片解决方案
多重双绞线过压条件。它是用于应用程序
敏感的加载值。通常情况下，高速连接需要较低的电容。
C
O
用于对MC设备值比标准UC设备低40％。
SIDACtor装置
这6引脚表面贴装SOIC相当于四个分立DO- 214AA ，这
使得它非常适合人口密集，高速线卡无法忍受PCB
3
4
效率低下，也没有采用系列功率电阻。浪涌电流额定值高达500A的
(T
1
)
(R
2
)
是可用的。
的SIDACtor
设备使设备符合各项监管要求，包括GR 1089 ， ITU
K.20 ， K.21 ， K.45和，IEC 60950 ， UL 60950和TIA- 968 -A （前身为FCC 68部分） 。
电气参数
部分
号码*
P0084UCMCL
P0304UCMCL
P0644UCMCL
P0724UCMCL
P0904UCMCL
P1104UCMCL
P1304UCMCL
P1504UCMCL
P1804UCMCL
P2304UCMCL
P2604UCMCL
P3104UCMCL
P3504UCMCL
V
DRM
伏
6
25
58
65
75
90
120
140
170
190
220
275
320
V
S
伏
25
40
77
88
98
130
160
180
220
260
300
350
400
V
DRM
伏
12
50
116
130
150
180
240
280
340
380
440
550
640
V
S
伏
50
80
154
176
196
260
320
360
440
520
600
700
800
V
T
伏
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
I
DRM
μAMPS
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
I
S
毫安
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
I
T
安培
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
I
H
毫安
50
50
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
针脚1-2 ， 3-2 ， 4-5 ， 6-5
引脚1-3 ， 4-6
*
在部件编号“L”表示符合RoHS标准。
对于不符合RoHS标准的设备，从零件号删除“ L” 。
对于浪涌额定值，请参阅下表。
一般注意事项：
所有测量均在25℃的环境温度下进行。我
PP
适用于-40°C至+ 85 °C温度范围。
I
PP
是重复浪涌额定值，并且保证了产品的使用寿命。
上市
的SIDACtor
器件是双向的。所有电气参数和浪涌额定值适用于正向和反向极性。
V
DRM
的测量是在我
DRM 。
V
S
的测量是在100伏/微秒。
特殊电压（V
S
和V
DRM
）和保持电流（I
H
）规定，可根据要求提供。
在安培的浪涌额定值
I
PP
系列
0.2x310 * 2x10 *
8x20 *
0.5x700 ** 2x10 ** 1.2x50 **
安培
C
50
安培
500
安培
400
10x160 *
10x160 **
安培
200
10x560 *
10x560 **
安培
150
5x320 *
9x720 **
安培
200
10x360 * 10x1000 * 5x310 *
I
TSM
10x360 ** 10x1000 ** 10x700 ** 60 /60 Hz的
安培
175
安培
100
安培
200
安培
50
的di / dt
安/微秒
500
*在微秒电流波形
**在μs的电压波形
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多端口MicroCapacitance （ MC ） SIDACtor器件
散热注意事项
包
莫迪网络编MS- 013
6
5
4
1
2
3
符号
T
J
T
S
R
θJA
参数
工作结温范围
存储温度范围
热阻：结到Ambient63
价值
-40到+150
-65到+150
60
单位
°C
°C
° C / W
电容值
pF
引脚1-2 / 3-2 （ 4-5 / 6-5 ）
提示地面，环地面
产品型号
P0084UCMCL
P0304UCMCL
P0644UCMCL
P0724UCMCL
P0904UCMCL
P1104UCMCL
P1304UCMCL
P1504UCMCL
P1804UCMCL
P2304UCMCL
P2604UCMCL
P3104UCMCL
P3504UCMCL
民
35
25
55
50
45
45
40
35
35
30
30
30
25
最大
75
45
85
75
70
70
60
55
50
50
45
45
40
民
20
10
30
25
25
25
20
20
15
15
15
15
15
pF
引脚1-3 （ 4-6 ）
TIP- RING
最大
45
25
50
45
40
40
35
35
30
30
30
25
25
注：关态电容（C
O
）的测量是在1MHz以2V的偏压。
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多端口MicroCapacitance （ MC ） SIDACtor器件
+I
I
PP
- 峰值脉冲电流 - ％I
PP
t
r
=上升时间峰值
t
d
=衰减时间价值的一半
I
T
I
S
I
H
I
DRM
-V
V
T
V
DRM
V
S
+V
100
PEAK
价值
波形= T
r
x深
d
50
半值
0
0
t
r
t
d
吨 - 时间（μs ）
-I
的V-I特性
t
r
x深
d
脉冲波形
V的百分比
S
CHANGE - ％
10
I
H
(T
C
= 25 C)
14
12
8
6
4
2
0
-4
-6
-8
-40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
I
H
25 C
25 C
比
外壳温度（T
C
) – C
结温（T
J
) – C
归V
S
改变与结温
归DC控股电流与外壳温度
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SIDACtor装置
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