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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第410页 > PN2222ARLRAG
PN2222 ， PN2222A
通用
晶体管
NPN硅
特点
http://onsemi.com
集热器
3
无铅包可用*
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
PN2222
PN2222A
PN2222
PN2222A
PN2222
PN2222A
符号
V
首席执行官
价值
30
40
60
75
5.0
6.0
600
625
5.0
1.5
12
55
+150
单位
VDC
2
BASE
1
辐射源
集电极 - 基极电压
V
CBO
VDC
发射极 - 基极电压
V
EBO
VDC
TO92
CASE 29
风格1
12
1
2
集电极电流
连续
器件总功耗
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗
@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
I
C
P
D
MADC
mW
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
P
D
3
直引线
散装
3
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
T
J
, T
英镑
标记图
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
PN2222
Y
WW
G
PN2222A
PN
2222
YWW
G
G
PN2
222A
YWW
G
G
热特性
特征
热阻，
结到环境
热阻，
结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
=年
=工作周
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年2月
启5
1
出版订单号：
PN2222/D
PN2222 ， PN2222A
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
集热器
： BASE
击穿电压
(I
C
= 10
MADC ，
I
E
= 0)
辐射源
： BASE
击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 60 VDC ，V
EB （O FF ）
= 3.0伏）
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 50伏直流，我
E
= 0)
(V
CB
= 60 VDC ，我
E
= 0)
(V
CB
= 50伏直流，我
E
= 0, T
A
= 125°C)
(V
CB
= 50伏直流，我
E
= 0, T
A
= 125°C)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 3.0伏，我
C
= 0)
基地截止电流
(V
CE
= 60 VDC ，V
EB （O FF ）
= 3.0伏）
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 0.1 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ，T
A
=
55°C)
(I
C
= 150 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）（注1 ）
(I
C
= 150 MADC ，V
CE
= 1.0伏）（注1 ）
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）（注1 ）
集热器
：辐射源
饱和电压（注1 ）
(I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC ）
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC ）
BASE
：辐射源
饱和电压（注1 ）
(I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC ）
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC ）
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积（注2 ）
(I
C
= 20 MADC ，V
CE
= 20伏， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入电容
(V
EB
= 0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入阻抗
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
电压反馈比例
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
小信号电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
2. f
T
被定义为频率在哪些| H
fe
|推断团结。
PN2222
PN2222A
PN2222A
PN2222A
PN2222A
PN2222A
PN2222A
PN2222A
PN2222
PN2222A
f
T
250
300
2.0
0.25
50
75
8.0
30
25
8.0
1.25
8.0
4.0
300
375
兆赫
h
FE
35
50
75
35
100
50
30
40
0.6
300
0.4
0.3
1.6
1.0
1.3
1.2
2.6
2.0
PN2222
PN2222A
PN2222
PN2222A
PN2222
PN2222A
PN2222A
PN2222
PN2222A
PN2222
PN2222A
PN2222A
PN2222A
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CEX
I
CBO
30
40
60
75
5.0
6.0
10
0.01
0.01
10
10
100
20
VDC
VDC
VDC
NADC
MADC
符号
民
最大
单位
I
EBO
I
BL
NADC
NADC
只有PN2222A
PN2222
PN2222A
PN2222
PN2222A
PN2222
PN2222A
PN2222
PN2222A
PN2222
PN2222A
V
CE （ SAT ）
VDC
V
BE （ SAT ）
VDC
C
敖包
C
IBO
pF
pF
h
ie
kW
h
re
X 10
4
h
fe
http://onsemi.com
2
PN2222 ， PN2222A
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
小信号特性
输出导纳
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
集电极基时间常数
(I
E
= 20 MADC ，V
CB
= 20伏， F = 31.8兆赫）
噪声系数
(I
C
= 100
MADC ，
V
CE
= 10伏，R
S
= 1.0千瓦， F = 1.0千赫）
开关特性（ PN2222A只）
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
= 30伏直流电，V
BE （OFF）的
=
0.5
VDC ，
I
C
= 150 MADC ，我
B1
= 15 MADC ） （图1）
(V
CC
= 30伏直流电，我
C
= 150 MADC ，
I
B1
= I
B2
= 15 MADC ） （图2）
t
d
t
r
t
s
t
f
10
25
225
60
ns
ns
ns
ns
PN2222A
PN2222A
PN2222A
PN2222A
h
oe
5.0
25
35
200
150
4.0
dB
毫姆欧
符号
民
最大
单位
rb'C
c
NF
ps
订购信息
设备
PN2222G
PN2222AG
PN2222ARLRA
PN2222ARLRAG
PN2222ARLRM
PN2222ARLRMG
PN2222ARLRPG
包
TO92
（无铅）
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
（无铅）
航运
5000单位/散装
5000单位/散装
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&弹药盒
2000 /磁带&弹药盒
2000 /磁带&弹药盒
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
切换时间等效测试电路
+ 30 V
+16 V
0
-2 V
1.0-100
女士，
占空比
≈
2.0%
1 KW
＆ LT ; 2纳秒
200
+16 V
0
C
S
* < 10 pF的
-14 V
< 20纳秒
1k
1N914
C
S
* < 10 pF的
1.0-100
女士，
占空比
≈
2.0%
+ 30 V
200
-4 V
范围上升时间< 4纳秒
*测试夹具，连接器和示波器的总并联电容。
图1.开启时间
图2.开启，关闭时间
http://onsemi.com
3
PN2222 ， PN2222A
1000
700
500
的hFE ， DC电流增益
300
200
25°C
100
70
50
30
20
10
0.1
-55°C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 10 V
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
I
C
，集电极电流（毫安）
50
70
100
200
300
500 700 1.0 k
T
J
= 125°C
图3.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
T
J
= 25°C
0.8
0.6
I
C
= 1.0毫安
10毫安
150毫安
500毫安
0.4
0.2
0
0.005
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
I
B
，基极电流（毫安）
2.0
3.0
5.0
10
20
30
50
图4.集电极饱和区
200
100
70
50
T， TIME （ NS ）
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
5.0 7.0
10
200 300
20 30
50 70 100
I
C
，集电极电流（毫安）
500
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
r
@ V
CC
= 30 V
t
d
@ V
EB （O FF ）
= 2.0 V
t
d
@ V
EB （O FF ）
= 0
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
200
I
C
，集电极电流（毫安）
300
500
t′
s
= t
s
- 1/8 t
f
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
t
f
图5.打开
ΔON
时间
图6.打开
= OFF
时间
http://onsemi.com
4
PN2222 ， PN2222A
10
8.0
NF ，噪声系数（dB ）
I
C
= 1.0毫安，R
S
= 150
W
500
毫安，
R
S
= 200
W
100
毫安，
R
S
= 2.0千瓦
50
毫安，
R
S
= 4.0千瓦
R
S
=优化
R
S
=
来源
R
S
=
阻力
10
F = 1.0千赫
8.0
NF ，噪声系数（dB ）
I
C
= 50
mA
100
mA
500
mA
1.0毫安
6.0
6.0
4.0
4.0
2.0
2.0
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
50 100
0
50
100 200
500 1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k 20 k
50 k 100 k
男，频率（KHz ）
R
S
，源电阻（欧姆）
图7.频率的影响
F T ，电流增益带宽积（兆赫）
图8.源电阻的影响
30
20
电容（pF）
C
eb
10
7.0
5.0
C
cb
3.0
2.0
0.1
500
V
CE
= 20 V
T
J
= 25°C
300
200
100
70
50
1.0
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
反向电压（伏）
20 30
50
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
I
C
，集电极电流（毫安）
50
70 100
图9.的电容
图10.电流增益带宽积
1.0
T
J
= 25°C
0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
V
BE（上）
@ V
CE
= 10 V
0.4
1.0 V
系数（MV /
°
C)
V，电压（V ）
+0.5
0
- 0.5
- 1.0
- 1.5
- 2.0
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
- 2.5
R
QVB
对于V
BE
R
QVC
对于V
CE （ SAT ）
0.2
0
0.1 0.2
50 100 200
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
I
C
，集电极电流（毫安）
500 1.0 k
0.1 0.2
0.5
1.0 2.0
5.0 10 20
50 100 200
I
C
，集电极电流（毫安）
500
图11. “开”电压
图12.温度系数
http://onsemi.com
5
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PSD312-70Q
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    PN2222ARLRAG
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