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分立半导体
数据表
书， halfpage
M3D187
PMST5550 ; PMST5551
NPN型高压晶体管
产品speci fi cation
取代1997年5月20日的数据
1999年04月29日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型高压晶体管
特点
低电流（最大300 mA）的
高电压（最大160 Ⅴ） 。
应用
开关和放大在高电压应用
诸如电话等。
描述
在一个SOT323塑料封装的NPN高压晶体管。
PNP补充： PMST5401 。
钉扎
针
1
2
3
PMST5550 ; PMST5551
描述
BASE
辐射源
集热器
手册， halfpage
3
3
1
记号
类型编号
PMST5550
PMST5551
记
1.
= - ：香港制造。
= T：在马来西亚。
Fig.1简化外形（ SOT323 ）和符号。
标识代码
(1)
1F
G3
2
1
顶视图
2
MAM062
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
PMST5550
PMST5551
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
PMST5550
PMST5551
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
开基
65
65
140
160
6
300
600
100
200
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
条件
发射极开路
160
180
V
V
分钟。
马克斯。
单位
1999年04月29日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型高压晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
参数
集电极截止电流
PMST5550
集电极截止电流
PMST5551
I
EBO
h
FE
发射极截止电流
直流电流增益
PMST5550
条件
I
E
= 0; V
CB
= 100 V
参数
从结点到环境的热阻
PMST5550 ; PMST5551
条件
注1
价值
625
单位
K / W
分钟。
60
60
20
80
80
30
马克斯。
100
100
50
50
50
250
250
150
单位
nA
A
nA
A
nA
I
E
= 0; V
CB
= 100V ;牛逼
AMB
= 100
°C
I
E
= 0; V
CB
= 120 V
I
E
= 0; V
CB
= 120 V ;牛逼
AMB
= 100
°C
I
C
= 0; V
EB
= 4 V
V
CE
= 5 V ; （见图2）
I
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 50毫安;注1
直流电流增益
PMST5551
V
CE
= 5 V ; （见图2）
I
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 50毫安;注1
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和
电压
集电极 - 发射极饱和
电压
PMST5550
PMST5551
I
C
= 10毫安;我
B
= 1毫安
I
C
= 50毫安;我
B
= 5毫安;注1
mV
I
C
= 10毫安;我
B
= 1毫安
I
C
= 50毫安;我
B
= 5毫安;注1
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 10毫安; V
CE
= 10 V ; F = 100 MHz的
I
C
= 200
A;
V
CE
= 5 V ;
S
= 2 k;
F = 10 Hz至15.7千赫
100
250
200
1
1.2
1
6
30
300
8
mV
mV
V
V
V
pF
pF
兆赫
dB
V
BESAT
基射极饱和电压
基射极饱和电压
PMST5550
PMST5551
C
c
C
e
f
T
F
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
噪音科幻gure
PMST5551
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
1999年04月29日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型高压晶体管
PMST5550 ; PMST5551
手册，全页宽
160
MGD814
的hFE
120
VCE = 5 V
80
40
0
10
1
1
10
10
2
IC毫安
10
3
图2直流电流增益;典型值。
1999年04月29日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型高压晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装; 3引线
PMST5550 ; PMST5551
SOT323
D
B
E
A
X
y
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
c
1
e1
e
bp
2
w
M
B
Lp
细节X
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.1
0.8
A1
最大
0.1
bp
0.4
0.3
c
0.25
0.10
D
2.2
1.8
E
1.35
1.15
e
1.3
e1
0.65
HE
2.2
2.0
Lp
0.45
0.15
Q
0.23
0.13
v
0.2
w
0.2
概要
VERSION
SOT323
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
SC-70
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1999年04月29日
5
分立半导体
数据表
dbook ， halfpage
M3D187
PMST5550 ; PMST5551
NPN型高压晶体管
产品数据表
取代1997年5月20日的数据
1999年04月29日
恩智浦半导体
产品数据表
NPN型高压晶体管
特点
低电流（最大300 mA）的
高电压（最大160 Ⅴ） 。
应用
开关和放大在高电压应用
诸如电话等。
描述
手册， halfpage
PMST5550 ; PMST5551
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
3
在一个SOT323塑料封装的NPN高压晶体管。
PNP补充： PMST5401 。
1
3
记号
类型编号
PMST5550
PMST5551
记
1.
= - ：香港制造。
= T：在马来西亚。
Fig.1简化外形（ SOT323 ）和符号。
标识代码
(1)
1F
G3
2
1
顶视图
2
MAM062
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
PMST5550
PMST5551
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
PMST5550
PMST5551
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
开基
65
65
140
160
6
300
600
100
200
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
条件
发射极开路
160
180
V
V
分钟。
马克斯。
单位
1999年04月29日
2
恩智浦半导体
产品数据表
NPN型高压晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
参数
集电极截止电流
PMST5550
集电极截止电流
PMST5551
I
EBO
h
FE
发射极截止电流
直流电流增益
PMST5550
条件
I
E
= 0; V
CB
= 100 V
参数
从结点到环境的热阻
PMST5550 ; PMST5551
条件
注1
价值
625
单位
K / W
分钟。
60
60
20
80
80
30
马克斯。
100
100
50
50
50
250
250
150
单位
nA
A
nA
A
nA
I
E
= 0; V
CB
= 100V ;牛逼
AMB
= 100
°C
I
E
= 0; V
CB
= 120 V
I
E
= 0; V
CB
= 120 V ;牛逼
AMB
= 100
°C
I
C
= 0; V
EB
= 4 V
V
CE
= 5 V ; （见图2）
I
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 50毫安;注1
直流电流增益
PMST5551
V
CE
= 5 V ; （见图2）
I
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 50毫安;注1
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和
电压
集电极 - 发射极饱和
电压
PMST5550
PMST5551
I
C
= 10毫安;我
B
= 1毫安
I
C
= 50毫安;我
B
= 5毫安;注1
mV
I
C
= 10毫安;我
B
= 1毫安
I
C
= 50毫安;我
B
= 5毫安;注1
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 10毫安; V
CE
= 10 V ; F = 100 MHz的
I
C
= 200
A;
V
CE
= 5 V ;
S
= 2 k;
F = 10 Hz至15.7千赫
100
250
200
1
1.2
1
6
30
300
8
mV
mV
V
V
V
pF
pF
兆赫
dB
V
BESAT
基射极饱和电压
基射极饱和电压
PMST5550
PMST5551
C
c
C
e
f
T
F
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
噪声系数
PMST5551
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
1999年04月29日
3
恩智浦半导体
产品数据表
NPN型高压晶体管
PMST5550 ; PMST5551
手册，全页宽
160
MGD814
的hFE
120
VCE = 5 V
80
40
0
10
1
1
10
10
2
IC毫安
10
3
图2直流电流增益;典型值。
1999年04月29日
4
恩智浦半导体
产品数据表
NPN型高压晶体管
包装外形
PMST5550 ; PMST5551
塑料表面贴装封装; 3引线
SOT323
D
B
E
A
X
y
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
c
1
e1
e
bp
2
w
M
B
Lp
细节X
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.1
0.8
A1
最大
0.1
bp
0.4
0.3
c
0.25
0.10
D
2.2
1.8
E
1.35
1.15
e
1.3
e1
0.65
HE
2.2
2.0
Lp
0.45
0.15
Q
0.23
0.13
v
0.2
w
0.2
概要
VERSION
SOT323
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
SC-70
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1999年04月29日
5
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PEEL22CV10API-10
PALCE22V10H-15PI
P83C528FFA/XXX
PHV6D44
PSD4135G2V-70B81I
P74PCT648PC
PSF151-240C
PT8A9731
PSD4135F2V-A-70B81I
PA886C02R
PPECL2-4
供货商
型号
厂家
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数量
封装
单价/备注
操作
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    PMST5551
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    -
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原装正品现货，可开增值税专用发票
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电话：0755-82533156 82710336
联系人：朱经理、张小姐
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