飞利浦半导体
产品数据
0-300 MHz的我
2
1:10时钟缓冲器
PCK2002M
特点
高速，低噪音的非反相缓冲器1:10
中移动（减少引脚数）版本PCK2002的
通常用于支持两个SDRAM DIMM的
28引脚SSOP和TSSOP封装
见PCK2002 48针1-18缓冲部分，最高支持到
4 SDRAM DIMM的
描述
该PCK2002M是用于133/100 MHz的CPU 1-10扇出缓冲器，
66/33 MHz的PCI ， 14.318 MHz的REF ，或133/100/66 MHz的SDRAM
时钟分配。 10输出通常用来支持高达
2 SDRAM DIMM内存模块在笔记本电脑或移动应用中常见的。
该PCK2002M具有相同的功能和操作特性
该PCK2002和在SSOP 28引脚封装。
所有的时钟输出，符合Intel的驱动器，上升/下降时间，准确性和歪斜
要求。我的
2
C接口包括允许每个输出为
启用/禁用个别。通过我禁用输出
2
C
界面会在低状态举行。此外，还有一个操作环境
输入这3国的所有输出。
优化的66兆赫， 100兆赫和133兆赫操作
多V
DD
和V
SS
引脚降噪
扩频兼容
175 ps的输出歪斜
单个时钟输出使能/通过禁用
2
C
快速参考数据
符号
t
PLH
t
PHL
t
r
t
f
I
CC
参数
传播延迟
BUF_IN到BUF_OUT
n
上升时间
下降时间
总电源电流
条件
V
CC
= 3.3V ， CL = 30 pF的
V
CC
= 3.3V ， CL = 30 pF的
V
CC
= 3.3V ， CL = 30 pF的
V
CC
= 3.465 V
典型
2.7
2.9
1.1
1.0
35
单位
ns
ns
ns
A
订购信息
套餐
28引脚塑封SSOP
28引脚TSSOP封装胶
温度范围
0至+70
°C
0至+70
°C
订货编号
PCK2002MDB
PCK2002MPW
图号
SOT341–1
SOT361–1
引脚配置
V
DD0
BUF_OUT0
BUF_OUT1
V
SS0
V
DD1
BUF_OUT2
BUF_OUT3
V
SS1
BUF_IN
1
2
3
4
5
28
27
26
25
24
V
DD9
BUF_OUT15
BUF_OUT14
V
SS9
V
DD8
BUF_OUT13
BUF_OUT12
V
SS8
OE
V
DD5
BUF_OUT17
V
SS5
V
SSI2C
SCL
引脚说明
针
数
2, 3, 6, 7
22, 23, 26,
27
11, 18
9
20
14
15
1, 5, 10,
19, 24, 28
4, 8, 12,
17, 21, 25
13
16
I / O
TYPE
产量
产量
产量
输入
输入
I / O
输入
输入
输入
输入
输入
符号
BUF_OUT
(0–3)
BUF_OUT
(12–15)
BUF_OUT
(16–17)
BUF_IN
OE
SDA
SCL
V
DD (0, 1, 4, 5, 8, 9)
V
SS (0, 1, 4, 5, 8, 9)
V
DDI2C
V
DDI2C
功能
缓冲时钟输出
缓冲时钟输出
缓冲时钟输出
缓冲时钟输入
高电平输出
启用
I
2
C串行数据
I
2
串行时钟
3.3 V电源
地
3.3 V I
2
C电源
I
2
地
6
7
8
9
PCK2002M
顶视图
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
DD4
10
BUF_OUT16 11
V
SS4
12
V
DDI2C
13
SDA 14
SA00550
Intel和Pentium是Intel Corporation的注册商标。
I
2
C是飞利浦半导体公司的商标。
2001年7月19日
2
853-2268 26745
飞利浦半导体
产品数据
0-300 MHz的我
2
1:10时钟缓冲器
PCK2002M
功能表
OE
L
H
H
H
BUF_IN
X
L
H
H
I
2
CEN
X
X
H
L
BUF_OUTn
Z
L
H
L
绝对最大额定值
1, 2
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）
电压参考V
SS
(V
SS
= 0 V)
符号
V
DD
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
T
英镑
P
合计
参数
DC 3.3 V电源电压
DC输入二极管电流
直流输入电压
DC输出二极管电流
直流输出电压
DC输出源或灌电流
存储温度范围
每个封装功耗
塑料中收缩SO （ SSOP ）
适用温度范围： 0至+70
°C
上述55
°C
11.3毫瓦/ K线性降额
V
I
＆ LT ; 0
注2
V
O
＆ GT ; V
DD
或V
O
＆ LT ; 0
注2
V
O
≥
0到V
DD
条件
范围
民
–0.5
—
–0.5
—
–0.5
—
–65
—
最大
+4.6
–50
4.6
±50
V
CC
+ 0.5
±50
+150
850
单位
V
mA
V
mA
V
mA
°C
mW
注意事项：
1.强调超越那些可能会对设备造成永久性损坏。这些压力额定值只和功能操作
器件在这些或超出下标明的任何其他条件， “推荐工作条件”是不是暗示。接触
绝对最大额定条件下长时间可能会影响器件的可靠性。
2.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
推荐工作条件
符号
V
DD
C
L
V
I
V
O
T
AMB
参数
DC 3.3 V电源电压
容性负载
直流输入电压范围
DC输出电压范围
工作环境温度范围在自由空气
条件
范围
民
3.135
20
0
0
0
最大
3.465
30
V
DD
V
DD
+70
单位
V
pF
V
V
°C
2001年7月19日
3
飞利浦半导体
产品数据
0-300 MHz的我
2
1:10时钟缓冲器
PCK2002M
AC特性
符号
T
SDRISE
T
SDFALL
T
PLH
T
PHL
T
PZL
, T
PZH
T
PLZ
, T
PHZ
占空比
T
SDSKW
T
DDSKW
参数
SDRAM上升时间
SDRAM下降时间
SDRAM缓存LH传播延迟
SDRAM缓存HL传播延迟
SDRAM缓存启用时间
SDRAM缓存禁用时间
输出占空比
SDRAM总线CLK歪斜
设备到设备斜
测量在1.5 V
测试条件
笔记
2, 4
2, 4
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
3, 4, 5
1, 4
民
1.5
1.5
1.2
1.2
1.0
1.0
45
—
—
范围
T
AMB
= 0 ° C至+ 70°C
典型值
7
2.0
2.9
2.7
2.7
2.6
2.7
52
150
—
最大
4.0
4.0
3.5
3.5
5.0
5.0
55
250
500
V / ns的
V / ns的
ns
ns
ns
ns
%
ps
ps
单位
注意事项：
1.歪斜在1.5 V.测量上升沿
2. T
SDRISE
和T
SDFALL
被测量为通过所述阈值区域V的过渡
OL
= 0.4 V和V
OH
= 2.4 V（1 mA）的JEDEC规范。
3.占空比应为50 /50％的输入进行测试。
4.在MIN（ 20 pF）时为MAX （30 pF）的离散的负荷，工艺，电压和温度。
这些测试5.输入边沿速度必须快于1 V / ns的。
6.计算值最小的边沿速率（1.5纳秒），以保证55分之45 ％的占空比在1.5 V脉冲宽度需要为以较快的边缘到更广
确保占空比规格被满足。
7.所有典型值是在V
CC
= 3.3 V和T
AMB
= 25
°C.
8.典型的测量与MAX （ 30 pF）的连续负载。
9.典型测量与MIN （ 20 pF）的离散负载。
2001年7月19日
5
QQ：2881677436 复制
