PMPB33XP
2012年9月5日
20 V ，单P沟道MOSFET的沟道
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
P沟道增强型场效应晶体管（ FET）的无铅中等功率
DFN2020MD - 6 （ SOT1220 ）表面贴装器件（ SMD ）用塑料包装
沟槽MOSFET技术。
1.2特点和优点
沟槽MOSFET技术
小型无引脚超薄SMD塑料包装： 2 ×2× 0.65毫米
裸露排水垫优良的热传导
镀锡的100％的可焊侧焊盘用于光学焊料检查
1.3应用
用于便携式设备的充电开关
的DC- DC转换器
电源管理在电池驱动的便携设备
硬盘和计算电源管理
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
R
DSON
快速参考数据
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
V
GS
= -4.5 V ;牛逼
AMB
= 25°C ;吨≤ 5秒
V
GS
= -4.5 V ;我
D
= -5.5 A;牛逼
j
= 25 °C
[1]
条件
T
j
= 25 °C
民
-
-12
-
典型值
-
-
-
最大
-20
12
-7.9
单位
V
V
A
静态特性
漏极 - 源极导通状态
阻力
[1]
2
-
30
37
mΩ
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡，安装垫
漏6厘米。
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恩智浦半导体
PMPB33XP
20 V ，单P沟道MOSFET的沟道
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
5
6
7
8
管脚信息
符号说明
D
D
G
S
D
D
D
S
漏
漏
门
来源
漏
漏
漏
来源
简化的轮廓
1
2
3
7
6
5
4
G
S
图形符号
D
8
透明的顶视图
017aaa257
DFN2020MD -6（ SOT1220 ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PMPB33XP
描述
VERSION
SOT1220
DFN2020MD - 6塑料的热增强型超薄小外形封装;没有
导致; 6码头
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
1S
类型编号
PMPB33XP
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
V
GS
= -4.5 V ;牛逼
AMB
= 25°C ;吨≤ 5秒
V
GS
= -4.5 V ;牛逼
AMB
= 25 °C
V
GS
= -4.5 V ;牛逼
AMB
= 100 °C
I
DM
P
合计
PMPB33XP
条件
T
j
= 25 °C
民
-
-12
[1]
[1]
[1]
最大
-20
12
-7.9
-5.5
-3.5
-22
1.7
单位
V
V
A
A
A
A
W
2 / 14
-
-
-
-
峰值漏极电流
总功耗
T
AMB
= 25°C ;单脉冲;吨
p
≤ 10 s
T
AMB
= 25 °C
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[1]
-
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PMPB33XP
20 V ，单P沟道MOSFET的沟道
符号
参数
条件
T
AMB
= 25°C ;吨≤ 5秒
T
sp
= 25 °C
[1]
民
-
-
-55
-55
-65
最大
3.5
12.5
150
150
150
单位
W
W
°C
°C
°C
T
j
T
AMB
T
英镑
I
S
结温
环境温度
储存温度
源极 - 漏极二极管
源出电流
[1]
T
AMB
= 25 °C
2
[1]
-
-1.9
A
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡，安装垫
漏6厘米。
120
P
DER
(%)
80
017aaa123
120
I
DER
(%)
80
017aaa124
40
40
0
- 75
- 25
25
75
125
T
j
(°C)
175
0
- 75
- 25
25
75
125
T
j
(°C)
175
图。 1 。
归一化的总功耗为
结温度的函数
图。 2 。
标准化的连续漏极电流为
结温度的函数
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-10
2
I
D
(A)
-10
性限R
DSON
= V
DS
/I
D
t
p
= 100 s
t
p
= 1毫秒
-1
DC ;牛逼
sp
= 25 °C
-10
-1
DC ;牛逼
AMB
= 25 °C;
漏装垫片6厘米
2
t
p
= 100毫秒
t
p
= 10毫秒
017aaa783
-10
-2
-10
-2
-10
-1
-1
-10
V
DS
(V)
-10
2
I
DM
- 单脉冲
图。 3 。
安全工作区;结到环境;连续和峰值漏极电流为漏极的函数
源极电压
6.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
热阻
从结点到
环境
热阻
从结点到焊点
点
[1]
[2]
条件
在自由空气
在自由空气中;吨≤ 5秒
[1]
[2]
[2]
民
-
-
-
-
典型值
235
67
33
5
最大
270
74
36
10
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
R
日（J -SP ）
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫排水6厘米。
2
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20 V ，单P沟道MOSFET的沟道
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
017aaa542
占空比= 1
0.75
0.33
0.2
0.5
0.25
0.1
10
0.05
0.01
0.02
0
1
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，标准的足迹
图。 4 。
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
017aaa543
占空比= 1
0.75
0.33
0.5
0.25
0.1
10
0.2
0.05
0
1
10
-3
0.02
0.01
10
-2
10
-1
2
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，安装垫排水6厘米
图。 5 。
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
7.特点
表7中。
符号
V
（ BR ） DSS
V
gsth
I
DSS
I
GSS
PMPB33XP
特征
参数
漏源
击穿电压
门极 - 源
电压
漏极漏电流
栅极漏电流
条件
I
D
= -250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
I
D
= -250 μA ; V
DS
= V
GS
; T
j
= 25 °C
V
DS
= -20 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= -12 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
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民
-20
-0.47
-
-
典型值
-
-0.68
-
-
最大
-
-0.9
-1
-100
单位
V
V
A
nA
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静态特性
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