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PEMD16 ; PUMD16
NPN / PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 22千欧，R2 = 47千欧
牧师02 - 2005年6月7日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
NPN / PNP电阻配备晶体管。
表1：
产品概述
包
飞利浦
PEMD16
PUMD16
SOT666
SOT363
JEITA
-
SC-88
PNP / PNP
补
PEMB16
PUMB16
NPN / NPN
补
PEMH16
PUMH16
类型编号
1.2产品特点
s
s
s
s
内置偏置电阻
简化网络连接的ES电路设计
减少了元件数量
减少取放成本
1.3应用
s
低电流外设驱动器
s
IC的输入控制
s
更换的普通用途的晶体管在数字应用
1.4快速参考数据
表2：
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2/R1
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
输出电流
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
条件
开基
民
-
-
15.4
1.7
典型值
-
-
22
2.1
最大
50
100
28.6
2.6
单位
V
mA
k
飞利浦半导体
PEMD16 ; PUMD16
NPN / PNP电阻配备晶体管; R 1 = 22千欧，R2 = 47千欧
2.管脚信息
表3：
针
1
2
3
4
5
6
钉扎
描述
GND （发射器） TR1
输入端（基极）的TR1
输出（集电极） TR2
GND （发射器） TR2
输入端（基极） TR2
输出（集电极） TR1
1
2
3
001aab555
TR1
R2
R1
R1
R2
TR2
简化的轮廓
6
5
4
符号
6
5
4
1
2
3
006aaa143
3.订购信息
表4：
订购信息
包
名字
PEMD16
PUMD16
-
SC-88
描述
塑料表面贴装封装; 6引线
塑料表面贴装封装; 6引线
VERSION
SOT666
SOT363
类型编号
4.标记
表5：
PEMD16
PUMD16
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
标记代码
标识代码
[1]
5H
D1*
类型编号
9397 750 15178
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
牧师02 - 2005年6月7日
2 10
飞利浦半导体
PEMD16 ; PUMD16
NPN / PNP电阻配备晶体管; R 1 = 22千欧，R2 = 47千欧
5.极限值
表6：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压TR1
积极
负
V
I
输入电压TR2
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出电流
峰值集电极电流
总功耗
SOT363
SOT666
T
英镑
T
j
T
AMB
每个器件
P
合计
总功耗
SOT363
SOT666
[1]
[2]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
50
50
5
+40
7
+7
40
100
100
200
200
+150
150
+150
单位
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mW
mW
°C
°C
°C
每个晶体管;为PNP晶体管具有负的极性
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1] [2]
-
-
65
-
65
储存温度
结温
环境温度
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1] [2]
-
-
300
300
mW
mW
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
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飞利浦半导体
PEMD16 ; PUMD16
NPN / PNP电阻配备晶体管; R 1 = 22千欧，R2 = 47千欧
6.热特性
表7：
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
SOT363
SOT666
每个器件
R
号（j -a）的
从热阻
结到环境
SOT363
SOT666
[1]
[2]
条件
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1] [2]
民
典型值
最大
单位
每个晶体管
-
-
-
-
625
625
K / W
K / W
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1] [2]
-
-
-
-
416
416
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
7.特点
表8：
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
参数
集电极 - 基极截止
当前
集电极 - 发射极
截止电流
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压
断态电压输入
通态输入电压
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
集电极电容
TR1 （ NPN ）
TR2 （ PNP ）
V
CB
=
10
V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
-
-
-
-
2.5
3
pF
pF
条件
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A;
T
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 5毫安
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
V
CE
= 5 V ;我
C
= 100
A
V
CE
= 0.3 V ;我
C
= 2毫安
民
-
-
-
-
80
-
-
2
15.4
1.7
典型值
-
-
-
-
-
-
0.8
1.1
22
2.1
最大
100
1
50
120
-
150
0.5
-
28.6
2.6
mV
V
V
k
单位
nA
A
A
A
每个晶体管;为PNP晶体管具有负的极性
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2/R1
C
c
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PEMD16 ; PUMD16
NPN / PNP电阻配备晶体管; R 1 = 22千欧，R2 = 47千欧
10
3
h
FE
006aaa174
10
3
006aaa175
(1)
(2)
(3)
V
CESAT
（毫伏）
10
2
10
2
(2) (1)
10
(3)
1
10
1
1
10
I
C
（MA ）
10
2
10
1
10
I
C
（MA ）
10
2
V
CE
= 5 V
(1) T
AMB
= 100
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
40 °C
I
C
/I
B
= 20
(1) T
AMB
= 100
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
40 °C
图1的TR1 （NPN） ：直流电流增益的一个函数
集电极电流;典型值
10
006aaa176
图2. TR1 （ NPN ） ：集电极 - 发射极饱和电压
作为集电极电流的函数;典型值
10
006aaa177
V
我（上）
(V)
(1)
V
我（关闭）
(V)
(1)
1
(2)
(3)
1
(2)
(3)
10
1
10
1
1
10
I
C
（MA ）
10
2
10
1
10
2
10
1
1
I
C
（MA ）
10
V
CE
= 0.3 V
(1) T
AMB
=
40 °C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
= 100
°C
V
CE
= 5 V
(1) T
AMB
=
40 °C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
= 100
°C
图3. TR1 （ NPN ） ：通态输入电压的函数
集电极电流;典型值
图4. TR1 （ NPN ） ：断态输入电压的函数
集电极电流;典型值
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    -
    -
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