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PMEG2010EH ; PMEG2010EJ ;
PMEG2010ET
1非常低V
F
MEGA肖特基势垒整流器器
牧师04 - 二〇〇七年三月二十○日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
平面实现最大的效率一般应用（ MEGA ）肖特基势垒整流器器与
综合保护环应力保护，封装在小型表面贴装
器件（SMD ）塑料封装。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
PMEG2010EH
PMEG2010EJ
PMEG2010ET
SOD123F
SOD323F
SOT23
JEITA
-
SC-90
-
JEDEC
-
-
TO-236AB
单身
单身
单身
CON组fi guration
类型编号
1.2产品特点
I
I
I
I
正向电流：我
F
≤
1 A
反向电压： V
R
≤
20 V
极低的正向电压
小型SMD塑料封装
1.3应用
I
I
I
I
I
低压整流，阳离子
高英法fi效率的DC- DC变换
开关模式电源
反极性保护
低功耗的应用
1.4快速参考数据
表2中。
符号
I
F
V
R
V
F
[1]
快速参考数据
参数
正向电流
反向电压
正向电压
I
F
=千毫安
[1]
条件
T
sp
≤
55
°C
民
-
-
-
典型值
-
-
420
最大
1
20
500
单位
A
V
mV
脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
恩智浦半导体
PMEG2010EH/EJ/ET
1非常低V
F
MEGA肖特基势垒整流器器
2.管脚信息
表3中。
针
1
2
钉扎
描述
阴极
阳极
[1]
简化的轮廓
符号
SOD123F ; SOD323F
1
1
001aab540
2
sym001
2
SOT23
1
2
3
阳极
北卡罗来纳州
阴极
1
2
3
1
3
2
北卡罗来纳州
006aaa436
[1]
标记栏显示的阴极。
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
PMEG2010EH
PMEG2010EJ
PMEG2010ET
-
SC-90
-
描述
塑料表面贴装封装; 2引线
塑料表面贴装封装; 2引线
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOD123F
SOD323F
SOT23
类型编号
4.标记
表5 。
标记代码
标识代码
[1]
A9
AH
* AU
类型编号
PMEG2010EH
PMEG2010EJ
PMEG2010ET
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
PMEG2010EH_EJ_ET_4
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 二〇〇七年三月二十○日
2 11
恩智浦半导体
PMEG2010EH/EJ/ET
1非常低V
F
MEGA肖特基势垒整流器器
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
R
I
F
I
FRM
参数
反向电压
正向电流
正向重复峰值
当前
PMEG2010EH
PMEG2010EJ
PMEG2010ET
I
FSM
P
合计
非重复性峰值正向
当前
总功耗
PMEG2010EH
PMEG2010EJ
PMEG2010ET
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
条件
T
sp
≤
55
°C
t
p
≤
1毫秒;
δ ≤
0.25
民
-
-
最大
20
1
单位
V
A
-
-
-
方波;
t
p
8毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[2]
[1]
[2]
[1]
[2]
7
7
5
9
A
A
A
A
-
-
-
-
-
-
-
-
65
65
375
830
350
830
280
420
150
+150
+150
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
PMEG2010EH_EJ_ET_4
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
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3 11
恩智浦半导体
PMEG2010EH/EJ/ET
1非常低V
F
MEGA肖特基势垒整流器器
6.热特性
表7中。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
PMEG2010EH
PMEG2010EJ
PMEG2010ET
R
日（J -SP ）
从热阻
结点到焊点
PMEG2010EH
PMEG2010EJ
PMEG2010ET
[1]
[2]
[3]
[4]
条件
在自由空气
[1]
民
典型值
最大
单位
[2]
[3]
[2]
[3]
[2]
[3]
[4]
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
330
150
350
150
440
300
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
-
-
-
-
-
-
60
55
120
K / W
K / W
K / W
为肖特基势垒二极管的热失控，必须考虑到，在某些应用中的反向
功率损耗P
R
是的总功率损耗显着的部分。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
焊接点阴极标签。
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 500毫安
I
F
=千毫安
I
R
C
d
[1]
条件
[1]
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
90
150
210
280
355
420
15
40
66
最大
130
190
240
330
390
500
40
200
80
单位
mV
mV
mV
mV
mV
mV
A
A
pF
反向电流
二极管电容
脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
V
R
= 10 V
V
R
= 20 V
V
R
= 1 V;
F = 1 MHz的
PMEG2010EH_EJ_ET_4
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1非常低V
F
MEGA肖特基势垒整流器器
10
3
I
F
（MA ）
10
2
006aaa247
I
R
(A)
10
5
10
4
10
3
(1)
(2)
(3)
006aaa248
10
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
10
2
10
(4)
1
1
10
1
10
2
(5)
10
1
10
2
0
0.1
0.2
0.3
0.4
V
F
(V)
0.5
10
3
0
4
8
12
16
V
R
(V)
20
(1) T
AMB
= 150
°C
(2) T
AMB
= 125
°C
(3) T
AMB
= 85
°C
(4) T
AMB
= 25
°C
(5) T
AMB
=
40 °C
(1) T
AMB
= 150
°C
(2) T
AMB
= 125
°C
(3) T
AMB
= 85
°C
(4) T
AMB
= 25
°C
(5) T
AMB
=
40 °C
图1.正向电流为正向功能
电压;典型值
120
C
d
（PF ）
80
图2.反向电流反向的函数
电压;典型值
006aaa249
40
0
0
4
8
12
16
V
R
(V)
20
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C
图3二极管的电容为反向电压的函数;典型值
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