产品speci fi cation
PE42641
产品说明
该PE42641是竖琴 - 增强SP4T射频开关
上的UltraCMOS 工艺技术开发。这
交换机包含4个相同WEDGE / CDMA兼容的TX路径
并且可以以各种GSM和WCDMA移动可以使用
应用程序，以及其他无线应用到
3000MHz的。它也适用于天线带开关和
切换匹配网络用于蜂窝和非蜂窝
移动应用程序。它集成了主板上的CMOS控制逻辑
用低电压CMOS兼容的控制接口和
无需隔直流电容器。这符合RoHS标准
是一个标准的3x3x0.75mm QFN封装。
百富勤的竖琴技术的增强提供高
线性度和出色的谐波性能。它是一个
中的UltraCMOS 工艺的创新功能，提供
性能优于砷化镓与经济
整合传统的CMOS 。
SP4T的UltraCMOS 射频开关
DC - 3.0 GHz的
特点
对称，大功率SP4T ：全部
港口WEDGE / CDMA兼容
极低的插入损耗： 0.45分贝@
1000兆赫，0.6 dB的2000兆赫
竖琴
TM
- 增强型技术
无与伦比的线性度
2f的低次谐波
o
= -86 dBc的和
3f
o
= -81 dBc的在+35 dBm的
-110 dBm的IMD3在WCDMA频段I
的+68 dBm的IIP3
非常高的隔离：35 dB的900兆赫，
29分贝@ 1900 MHz的
极高的ESD耐受性：
蚂蚁脚3类（ 4.0 kV的HBM ）
所有引脚2级（ 2.0 kV的HBM ）
接受1.8 V至2.75 V的水平
集成的解码器2引脚控制
低4.5欧姆串联导通电阻
无需隔直电容
图1.功能框图
图2.封装类型
16引脚3×3毫米QFN封装
RF1
RF3
RF2
RF4
CMOS
控制驱动器
和ESD
V1
V2
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PE42641
产品speci fi cation
表1.电气规格
温度= 25 ° C，V
DD
= 2.75 V
(Z
S
= Z
L
= 50
)
参数
工作频率
ANT - 射频（ 850/900 MHz的）
插入损耗
1
（对称端口）
ANT - 射频（一千九分之一千八百兆赫）
ANT - 射频（二千二百分之一千九兆赫）
850/900 MHz的
回波损耗（活动端口）
1900分之1800兆赫
二千一百分之一千九兆赫
RF - ANT （ 850/900 MHz的）
隔离
RF - ANT （一千九分之一千八百兆赫）
RF - ANT （二千二百分之一千九兆赫）
二阶谐波
35 dBm的输出功率， 850/900 MHz的
33 dBm的输出功率，一千九分之一千八兆赫
35 dBm的输出功率， 850/900 MHz的
33 dBm的输出功率，一千九分之一千八兆赫
RF测量在2.14 GHz的蚂蚁在港口，输入+20 dBm的CW
在1.76 GHz的1.95 GHz和-15 dBm的CW信号的信号
（10-90％ ）（ 90-10 ％）的射频
条件
民
100
-
-
-
-
-
-
31
25
23.5
典型值
0.45
0.5
0.55
25
19
18
35
29
27.5
-86
-87
-81
-80
-110
2
最大
3000
0.65
0.7
0.75
-
-
-
-
-
-
-80
-78
-73.5
-72.5
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
DBM
第三谐波
在2.14 GHz的IMD3失真
开关时间
5
s
注： 1，典型导通电阻的直流值是4.5
.
表2.电气规格，最坏的情况下：
温度= 85°C ，V
DD
= 2.65 V
(Z
S
= Z
L
= 50
)
参数
插入损耗（ 2.65V ， 85℃ ）
条件
ANT - 射频（ 850/900 MHz的）
ANT - 射频（一千九分之一千八百兆赫）
ANT - 射频（二千二百分之一千九兆赫）
850/900 MHz的
民
-
-
-
-
-
-
30.5
24.5
23
典型值
0.5
0.55
0.6
25
19
18
34.5
28.5
27
-84
-85
-79
-78
-108
2
最大
0.7
0.75
0.8
-
-
-
-
-
-
-78
-76
-71.5
-70.5
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
DBM
回波损耗（活动端口）
（ 2.65V ， 85℃ ）
1900分之1800兆赫
二千一百分之一千九兆赫
RF - ANT （ 850/900 MHz的）
隔离（ 2.65V ， 85℃ ）
RF - ANT （一千九分之一千八百兆赫）
RF - ANT （二千二百分之一千九兆赫）
二次谐波（ 2.65V ， 85℃ ）
35 dBm的输出功率， 850/900 MHz的
33 dBm的输出功率，一千九分之一千八兆赫
35 dBm的输出功率， 850/900 MHz的
33 dBm的输出功率，一千九分之一千八兆赫
第三谐波（ 2.65V ， 85℃ ）
在2.14 GHz的IMD3失真
（ 2.65V ， 85℃ ）
开关时间
RF测量在2.14 GHz的蚂蚁在港口，输入+20 dBm的CW
在1.76 GHz的1.95 GHz和-15 dBm的CW信号的信号
（10-90％ ）（ 90-10 ％）的射频
5
s
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的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE42641
产品speci fi cation
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
GND
RF2
RF1
N / C
表5.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
销1
参数/条件
电源电压
任何直流输入电压
存储温度范围
RF输入功率（50
)
3,4
824-915兆赫
民
-0.3
-0.3
-65
最大
4.0
V
DD
+ 0.3
+150
+38
单位
V
V
°C
16
14
15
13
GND
V
DD
V2
V1
1
2
3
4
12
11
10
9
GND
蚂蚁
GND
GND
T
ST
GND
P
IN
(50
)
DBM
RF输入功率（50
)
3,4
1710年至1910年兆赫
RF输入功率（ VSWR = （ ∞ ： 1 ）
3,4
824-915兆赫
RF输入功率（ VSWR = （ ∞ ： 1 ）
3,4
1710年至1910年兆赫
ESD电压， ANT引脚
+36
+35
DBM
+33
4000
2000
V
V
5
6
7
8
GND
GND
RF4
表3.引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
引脚名称
GND
V
DD
V2
V1
GND
RF4
GND
RF3
GND
GND
蚂蚁
GND
RF1
GND
RF2
N / C
地
供应
开关控制输入端， CMOS逻辑电平
开关控制输入端， CMOS逻辑电平
地
RF端口4
地
RF端口3
地
地
RF通用 - 天线
地
RF端口1
地
RF端口2
无连接
描述
RF3
P
IN
(∞:1)
V
ESD
5
ESD电压，所有引脚
注： 3，假设4620 RF输入周期
s
和占空比为50 ％的周期。
4. V
DD
内的操作范围指定在表3中。
5. ESD电压（ HBM ， MIL -STD- 883方法3015.7 ）
超过绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。操作应
仅限于限制在工作范围
表。工作范围的操作
最高和绝对最大的扩展
期间可能会降低可靠性。
表6.真值表
路径
ANT - RF1
ANT - RF2
ANT - RF3
ANT - RF4
V2
0
1
0
1
V1
0
0
1
1
表4.工作范围
参数
温度范围
V
DD
电源电压
I
DD
电源电流
(V
DD
= 2.75 V)
RF输入功率
2
（ VSWR
≤
3:1)
824-915兆赫
RF输入功率
2
（ VSWR
≤
3:1)
1710年至1910年兆赫
控制电压高
控制电压低
P
IN
+33
V
IH
V
IL
1.4
0.4
V
V
符号最小值典型值最大值单位
T
OP
V
DD
I
DD
-40
2.65 2.75
13
+85
2.85
50
°C
V
A
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过规定的额定值。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
+35
DBM
注： 2.假设4620 RF输入周期
s
和占空比为50 ％的周期。
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PE42641
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评估套件
该SP4T开关EK板的目的是要缓解
百富勤的PE42641的客户评价。该
射频公共端口是通过一个50连接
通过顶部的SMA连接器J1的传输线。
RF1 ， RF2 ， RF3和RF4通过连接
50
通过SMA连接器J3输电线路，
J5 ，J2和J4分别。 A到50
传输可以通过SMA连接器J6
和J7 。该传输线可以被用来
估计PCB的损失在
环境条件进行评估。
该板构成的两个金属层的FR4
材料具有0.031的总厚度“ 。该
底部层提供地面为射频
传输线。传输线是
使用共面波导与接地设计
用0.044一丝宽度平面模特“ ，跟踪
0.020 “ ，介质厚度0.028 ”的差距，
0.0021 “的金属厚度
ε
r
4.3 。
J1
SMASM
2
图4.评估板布局
百富勤规格101/0287
图5.评估板电路图
百富勤规格102/0339
GND
蚂蚁
GND
2
14
J5
SMASM
1
15
RF2
16
GND
RF2
GND
U1
QFN50P3X3-16P
GND
RF4
GND
7
6
5
RF4
1
J4
SMASM
GND
VDD
V2
V1
2
1
2
3
J8
HEADER14
14
12
10
8
6
4
2
14
12
10
8
6
4
2
13
11
9
7
5
3
1
13
11
9
7
VDD
5
3
V2
1
V1
C4
DNI
R2
R1
1M
1M
4
C3
DNI
C2
DNI
C1
DNI
J6
SMASM
1
2
2
13
GND
J3
SMASM
1
蚂蚁
1
J2
SMASM
RF3
RF3
8
1
12
11
10
RF1
RF1
9
通过线
J7
SMASM
1
2
未标记
测试线
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的UltraCMOS RFIC 解决方案
2
PE42641
产品speci fi cation
图6.插入损耗： ANT -RF @ 25°C
图7.插入损耗： ANT -RF @ 2.75 V
图8.隔离： ANT -RF @ 25°C
图9.隔离： ANT -RF @ 2.75 V
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