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分立半导体

数据表

书， halfpage

M3D088

PMBT3906

PNP开关晶体管

产品speci fi cation

取代1997年05月05数据

1999年04月27

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP开关晶体管

特点

低电流（最大100 mA时）

低电压（最大40 V）。

应用

电话和专业的通讯设备。

描述

PNP开关晶体管在SOT23塑料包装。

NPN补充： PMBT3904 。

记号

类型编号

PMBT3906

记

1.

= P ：香港制造。

= T：在马来西亚。

标识代码

(1)

2A

顶视图

手册， halfpage

PMBT3906

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

3

3

1

2

1

2

MAM256

Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C;

注1

条件

发射极开路

开基

集电极开路

65

65

分钟。

马克斯。

40

40

6

100

200

100

250

+150

+150

+150

V

V

V

mA

mA

mA

mW

°C

°C

°C

单位

1999年04月27

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP开关晶体管

热特性

符号

R

日J-一

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

特征

T

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

条件

I

E

= 0; V

CB

=

30

V

I

C

= 0; V

EB

=

6

V

V

CE

=

1

V ; （见图2）

I

C

=

0.1

mA

I

C

=

1

mA

I

C

=

10

mA

I

C

=

50

mA

I

C

=

100

mA

V

CESAT

V

BESAT

C

c

C

e

f

T

F

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极电容

发射极电容

跃迁频率

噪音科幻gure

I

C

=

10

毫安;我

B

=

1

mA

I

C

=

50

毫安;我

B

=

5

mA

I

C

=

10

毫安;我

B

=

1

mA

I

C

=

50

毫安;我

B

=

5

mA

I

E

= i

e

= 0; V

CB

=

5

V ; F = 1 MHz的

I

C

= i

c

= 0; V

EB

=

500

毫伏; F = 1 MHz的

I

C

=

10

毫安; V

CE

=

20

V ; F = 100 MHz的

I

C

=

100 A;

V

CE

=

5

V ;

S

= 1 k;

F = 10 Hz至15.7千赫

60

80

100

60

30

250

参数

从结点到环境的热阻

条件

注1

PMBT3906

价值

500

单位

K / W

分钟。

马克斯。

50

50

300

200

200

850

950

4.5

10

4

单位

nA

nA

mV

mV

mV

mV

pF

pF

兆赫

dB

（ 10％至90％的水平）的切换时间;

（见图3）

t

on

t

d

t

r

t

关闭

t

s

t

f

开启时间

延迟时间

上升时间

打开-O FF时间

贮存时间

下降时间

I

CON

=

10

毫安;我

BON

=

1

毫安;我

B关

= 1毫安

65

35

35

300

225

75

ns

ns

ns

ns

ns

ns

1999年04月27

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP开关晶体管

PMBT3906

MGD835

手册，全页宽

160

的hFE

120

80

40

0

10

2

10

1

1

10

10

2

IC （MA ）

10

3

V

CE

=

1

V.

图2直流电流增益;典型值。

手册，全页宽

VBB

VCC

RB

示波器

Vi

R1

（探头）

450

R2

RC

Vo

（探头）

450

DUT

示波器

MGD624

V

i

= 5 V ; T = 500

s;

t

p

= 10

s;

t

r

= t

f

≤

3纳秒。

R1 = 56

;

R2 = 2.5 kΩ的;

B

= 3.9 kΩ的;

C

= 270

.

V

BB

= 1.9 V; V

CC

=

3

V.

示波器：输入阻抗Z

i

= 50

.

图3测试电路的开关时间。

1999年04月27

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP开关晶体管

包装外形

塑料表面贴装封装; 3引线

PMBT3906

SOT23

D

B

E

A

X

HE

v

M

A

3

Q

A

A1

1

e1

e

bp

2

w

M

B

细节X

Lp

c

0

1

规模

2 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

mm

A

1.1

0.9

A

1

马克斯。

0.1

b

p

0.48

0.38

c

0.15

0.09

D

3.0

2.8

E

1.4

1.2

e

1.9

e

1

0.95

H

E

2.5

2.1

L

p

0.45

0.15

Q

0.55

0.45

v

0.2

w

0.1

概要

VERSION

SOT23

参考文献：

IEC

JEDEC

EIAJ

欧洲

投影

发行日期

97-02-28

1999年04月27

5

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