PBLS2003D
20 V PNP BISS loadswitch
牧师02 - 2009年8月27日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
PNP低V
CESAT
突破性小信号（ BISS ）晶体管和NPN电阻 -
配备晶体管（ RET）在SOT457 （ SC- 74 ）小型表面贴装器件（ SMD ）
塑料封装。
1.2产品特点
I
I
I
I
I
低V
CESAT
（ BISS ），并在一个封装电阻配备晶体管
低阈值电压（ < 1伏）相比， MOSFET的
要求低驱动功率
节省空间的解决方案
减少元件数量
1.3应用
I
I
I
I
供电线路开关
电池充电器的开关
高边开关的LED ，驱动器和背光
便携式设备
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
首席执行官
I
C
R
CESAT
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
集电极 - 发射极饱和
阻力
集电极 - 发射极电压
输出电流
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
I
C
=
1
A;
I
B
=
100
mA
开基
[1]
条件
开基
民
-
-
-
典型值
-
-
185
最大
20
1
280
单位
V
A
m
TR1 ; PNP低V
CESAT
晶体管
TR2 ; NPN电阻配备晶体管
V
首席执行官
I
O
R1
R2/R1
[1]
-
-
7
0.8
-
-
10
1
50
100
13
1.2
V
mA
k
脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02
恩智浦半导体
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20 V PNP BISS loadswitch
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
5
6
钉扎
描述
发射TR1
基地TR1
输出（集电极） TR2
GND （发射器） TR2
输入端（基极） TR2
收藏家TR1
1
2
3
sym036
简化的轮廓
6
5
4
符号
6
5
4
1
2
3
R1
R2
TR2
TR1
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PBLS2003D
SC-74
描述
塑料表面贴装封装; 6引线
VERSION
SOT457
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
F8
类型编号
PBLS2003D
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
基极电流（DC）的
峰值电流基地
总功耗
t
p
≤
300
s
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[2]
[3]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
t
p
≤
300
s
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
20
20
5
1
2
0.3
0.6
250
350
400
单位
V
V
V
A
A
A
A
mW
mW
mW
TR1 ; PNP低V
CESAT
晶体管
PBLS2003D_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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恩智浦半导体
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20 V PNP BISS loadswitch
表5 。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
P
合计
输出电流
峰值集电极电流
总功耗
总功耗
t
p
≤
300
s
T
AMB
≤
25
°C
[1]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
65
-
65
最大
50
50
10
+40
10
100
100
200
400
530
600
+150
150
+150
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
TR2 ; NPN电阻配备晶体管
每个器件
[1]
[2]
[3]
T
英镑
T
j
T
AMB
[1]
[2]
[3]
储存温度
结温
环境温度
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫收藏家1厘米
2
.
设备安装在陶瓷板，铝
2
O
3
，标准的足迹。
0.8
P
合计
(W)
(1)
006aaa414
0.6
(2)
(3)
0.4
0.2
0
0
40
80
120
160
T
AMB
(°C)
（ 1）陶瓷电路板，铝
2
O
3
，标准的足迹
（ 2 ） FR4印刷电路板，安装板集热1厘米
2
（ 3 ） FR4 PCB，标准的足迹
图1 。
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功率降额曲线
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6.热特性
表6 。
符号
每个器件
R
号（j -a）的
从热阻
结到环境
在自由空气
[1]
[2]
[3]
热特性
参数
条件
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
315
236
210
单位
K / W
K / W
K / W
[1]
[2]
[3]
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫收藏家1厘米
2
.
设备安装在陶瓷板，铝
2
O
3
，标准的足迹。
占空比=
1
Z
号（j -a）的
0.75
（K / W）
0.5
0.33
10
2
0.2
0.1
0.05
10
0.02
0.01
10
3
006aaa415
1
0
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，标准的足迹
图2 。
TR1 （ PNP ） ：从结点到环境作为脉冲时间的函数的瞬态热阻抗;典型
值
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10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
δ
=1
0.75
0.5
0.33
0.2
0.1
0.05
10
0.02
0.01
0
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
006aaa463
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4印刷电路板，安装板集热1厘米
2
图3 。
TR1 （ PNP ） ：从结点到环境作为脉冲时间的函数的瞬态热阻抗;典型
值
006aaa464
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
δ
= 1
0.75
0.5
10
2
0.33
0.2
0.1
0.05
10
0.02
0.01
0
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
陶瓷电路板，铝
2
O
3
，标准的足迹
图4 。
TR1 （ PNP ） ：从结点到环境作为脉冲时间的函数的瞬态热阻抗;典型
值
PBLS2003D_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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