飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道音响场效晶体管
特点
高速开关
漏极和源极连接的互换性
高阻抗。
应用
模拟开关
砍砸器，多路复用器和换向器
音频放大器。
描述
在一个N沟道对称的结型场效应晶体管
SOT23封装。
小心
此产品是在防静电包装供应，以防止
期间因静电放电损坏
运输和处理。欲了解更多信息，请参阅
飞利浦规格： SNW -EQ- 608 SNW - FQ- 302A和
SNW-FQ-302B.
PMBFJ210 ; PMBFJ211 ; PMBFJ212
钉扎 - SOT23
针
1
2
3
符号
s
d
g
漏
门
描述
来源
手册， halfpage
3
d
s
g
1
顶视图
2
MAM385
标记代码：
PMBFJ210 ： M68 。
PMBFJ211 ： M69 。
PMBFJ212 ： M70 。
Fig.1简化外形和符号。
快速参考数据
符号
V
DS
V
GSoff
参数
漏源电压
栅极 - 源极截止电压
PMBFJ210
PMBFJ211
PMBFJ212
I
DSS
漏电流
PMBFJ210
PMBFJ211
PMBFJ212
P
合计
y
fs
总功耗
共源转移导纳
PMBFJ210
PMBFJ211
PMBFJ212
T
AMB
≤
25
°C
V
GS
= 0; V
DS
= 15 V
4
6
7
12
12
12
mS
mS
mS
V
GS
= 0; V
DS
= 15 V
2
7
15
15
20
40
250
mA
mA
mA
mW
I
D
= 1 nA的; V
DS
= 15 V
1
2.5
4
3
4.5
6
V
V
V
条件
分钟。
马克斯。
±25
单位
V
1997年12月1日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道音响场效晶体管
PMBFJ210 ; PMBFJ211 ; PMBFJ212
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
DS
V
GSO
V
DGO
I
G
P
合计
T
英镑
T
j
记
1.装置安装在一FR4印刷电路板。
热特性
符号
R
日J-一
记
1.装置安装在一FR4印刷电路板。
参数
从结点到环境的热阻;注1
价值
500
单位
K / W
参数
漏源电压
栅源电压
漏极 - 栅极电压
正向栅极电流（DC）的
总功耗
储存温度
工作结温
T
AMB
≤
25
°C;
注意1 ;见图13
漏极开路
开源
条件
65
分钟。
马克斯。
±25
25
25
10
250
150
150
V
V
V
mA
mW
°C
°C
单位
1997年12月1日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道音响场效晶体管
静态特性
T
j
= 25
°C.
符号
V
（ BR ） GSS
V
GSoff
参数
栅源击穿电压
栅极 - 源极截止电压
PMBFJ210
PMBFJ211
PMBFJ212
V
GSS
I
DSS
门源正向电压
漏电流
PMBFJ10
PMBFJ11
PMBFJ12
I
GSS
y
fs
反向栅极漏电流
共源转移导纳
PMBFJ210
PMBFJ211
PMBFJ212
y
os
共源输出导纳
PMBFJ210
PMBFJ211
PMBFJ212
动态特性
T
AMB
= 25
°C.
符号
C
is
C
os
C
rs
g
is
g
fs
g
rs
g
os
V
n
参数
输入电容
输出电容
反馈电容
共源输入电导
共源传导率
共源反馈电导
共源输出电导
等效输入噪声电压
PMBFJ210 ; PMBFJ211 ; PMBFJ212
条件
I
G
=
1 A;
V
DS
= 0
I
D
= 1 nA的; V
DS
= 15 V
分钟。
马克斯。
25
3
4.5
6
1
15
20
40
100
12
12
12
150
200
200
V
V
V
V
V
单位
1
2.5
4
I
G
= 0; V
DS
= 0
V
GS
= 0; V
DS
= 15 V
2
7
15
V
GS
=
15
V; V
DS
= 0
V
GS
= 0; V
DS
= 15 V
4
6
7
V
GS
= 0; V
DS
= 15 V
mA
mA
mA
pA
mS
mS
mS
S
S
S
条件
V
DS
= 15 V; V
GS
=
10
V ; F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V; V
GS
=
10
V ; F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V; V
GS
=
10
V ; F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; F = 100 MHz的
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; F = 450 MHz的
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; F = 100 MHz的
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; F = 450 MHz的
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; F = 100 MHz的
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; F = 450 MHz的
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; F = 100 MHz的
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; F = 450 MHz的
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; F = 1千赫
2
4
典型值。
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
S
mS
mS
mS
S
S
S
S
纳伏/赫兹÷
0.8
2
0.8
0.9
70
1.1
7.5
7.5
8
90
95
200
5
1997年12月1日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道音响场效晶体管
PMBFJ210 ; PMBFJ211 ; PMBFJ212
手册， halfpage
40
MGM277
手册， halfpage
12
MGM278
IDSS
（MA ）
30
YFS
（女士）
8
20
4
10
0
0
2
4
V
6
GSoff （ V）
0
0
2
4
V
6
GSoff （ V）
V
DS
= 15 V ;牛逼
j
= 25
°C.
V
DS
= 15 V ;牛逼
j
= 25
°C.
Fig.3
Fig.2
漏电流的栅源极间的函数
截止电压;典型值。
共源转移导纳为
栅极 - 源极截止电压的函数;
典型值。
手册， halfpage
80
MGM279
手册， halfpage
8
MGM280
GOS
(S)
60
ID
（MA ）
6
VGS = 0 V
200
mV
40
4
400
mV
600
mV
20
2
800
mV
1.4
V
1
V
1.2
V
8
10
VDS （ V）
0
0
2
4
V
6
GSoff （ V）
0
0
2
4
6
V
DS
= 15 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.4
共源输出电导为
栅极 - 源极截止电压的函数;
典型值。
PMBFJ210.
T
j
= 25
°C.
图5输出特性;典型值。
1997年12月1日
5
QQ：2881677436 复制
