飞利浦半导体可编程逻辑器件
产品speci fi cation
可编程逻辑阵列
(16
×
48
×
8)
PLS100/PLS101
工作原理图
I0
典型连接
I1
I15
典型连接
S
0
F0
S
6
F6
S
7
F7
P
0
P
1
P
47
CE
绝对最大额定值
1
符号
V
CC
V
IN
V
O
I
IN
I
OUT
T
AMB
T
英镑
参数
电源电压
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
评级
+7.0
+5.5
+5.5
±30
+100
0至+75
-65到+150
单位
V
DC
V
DC
V
DC
mA
mA
°C
°C
注意：
1.强调上面列出的那些可能会导致故障或永久损坏设备。
这是一个额定值。在这些或以上的任何其他条件功能操作
那些在该装置的操作和编程规范表示不
暗示。
热额定值
温度
最大结
最高环境
允许温升
环境温度到结
150°C
75°C
75°C
该PLS100设备也被处理，以
对军队的要求进行操作
军用温度范围。对于规格
和订购信息，请咨询飞利浦
半导体军事数据手册。
1993年10月22日
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飞利浦半导体可编程逻辑器件
产品speci fi cation
可编程逻辑阵列
(16
×
48
×
8)
PLS100/PLS101
DC电气特性
0°C
≤
T
AMB
≤
+ 75 ° C， 4.75V
≤
V
CC
≤
5.25V
范围
符号
参数
测试条件
民
典型值
1
最大
单位
输入电压
2
V
IH
V
IL
V
IC
高
低
钳
3
V
CC
=最大
V
CC
=分钟
V
CC
=最小，我
IN
= -12mA
–0.8
2.0
0.8
–1.2
V
V
V
输出电压
2
V
CC
=分钟
V
OH
V
OL
高（ PLS100 ）
4
低
5
I
OH
= -2mA
I
OL
= 9.6毫安
2.4
0.35
0.45
V
V
输入电流
I
IH
I
IL
高
低
V
IN
= 5.5V
V
IN
= 0.45V
<1
–10
25
–100
A
A
输出电流
I
O（关）
Hi-Z状态（ PLS100 ）
CE =高，V
CC
=最大
V
OUT
= 5.5V
V
OUT
= 0.45V
I
OS
I
CC
电容
CE =高，V
CC
= 5.0V
C
IN
C
OUT
输入
产量
V
IN
= 2.0V
V
OUT
= 2.0V
8
17
pF
pF
短路（ PLS100 ）
3, 6
V
CC
电源电流
7
CE =低，V
OUT
= 0V
V
CC
=最大
–15
120
1
–1
40
–40
–70
170
A
A
mA
mA
注意事项：
1.所有典型值是在V
CC
= 5V ，T
AMB
= +25°C.
2.所有的电压值是相对于网络的接地端子。
3.测试一个销的时间。
4.测得V
IL
应用到CE和逻辑高存储。
5.测量用编程的逻辑条件的量，输出的测试是在一个低逻辑电平。输出灌电流通过电阻应用
到V
CC
.
短路6.持续时间应不超过1秒。
7. I
CC
是衡量芯片使能输入接地，所有其它输入在4.5V ，输出开路。
1993年10月22日
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飞利浦半导体可编程逻辑器件
产品speci fi cation
可编程逻辑阵列
(16
×
48
×
8)
PLS100/PLS101
AC电气特性
0° ℃下牛逼
AMB
< + 75 ° C， 4.75 < V
CC
< 5.25V ，R
1
= 470, R
2
= 1k
范围
符号
传播延迟
2
t
PD
t
CE
禁止时间
t
CD
芯片被禁止
3
产量
芯片使能
15
30
ns
输入
芯片使能
3
产量
产量
输入
芯片使能
35
15
50
30
ns
ns
参数
TO
从
民
典型值
1
最大
单位
注意事项：
1.所有典型值是在V
CC
= 5V 。牛逼
AMB
= +25°C.
2.所有的传播延迟被测量，并且最坏情况的条件下指定。
3.三态输出;输出使能时间是用C测试
L
= 30pF的到1.5V电平，和S
1
为您开放，高阻抗高测试和
关闭高阻抗低的测试。输出禁用时间是用C测试
L
= 5pF的。高到高阻抗的测试是由一个输出
V的电压
T
= (V
OH
- 0.5V ）带S
1
开，并且由低到高阻抗的测试都是为了在V
T
= (V
OL
+ 0.5V ）级带S
1
封闭。
电压波形
+3.0V
90%
测试负载电路
V
CC
10%
+5V
S
1
0V
5ns
+3.0V
90%
t
R
t
F
5ns
C
1
C
2
I
0
F
0
R
1
输入
10%
0V
5ns
5ns
I
15
DUT
R
2
C
L
CE
GND
F
7
输出
测量：
所有的电路延迟在IN-的+ 1.5V电平测量
放和输出的，除非另有规定。
输入脉冲
注意：
C
1
和C
2
要绕过V
CC
到GND 。
时序定义
符号
t
CE
参数
的开始之间的延迟
芯片使能低（与输入
有效的），并且当数据输出
变为有效。
当芯片之间的延迟
使变高和
数据输出处于关闭状态
（高阻或高） 。
的开始之间的延迟
有效的输入（带芯片使能
低），并且当数据输出
变为有效。
时序图
+3.0V
输入
1.5V
0V
+3.0V
t
CD
F0 – F7
t
PD
1993年10月22日
53
t
CE
t
PD
CE
1.5V
1.5V
0V
t
CD
V
OH
1.5V
1.5V
V
OL
读周期
QQ：2881677436 复制
