PBSS5160K
60 V ，1 A PNP低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
牧师02 - 二零零五年六月三十日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
PNP低V
CESAT
突破性小信号（ BISS ）晶体管在SOT346 （ SC- 59A ）
表面贴装器件（ SMD ）塑料封装。
NPN补充： PBSS4160K 。
1.2产品特点
s
s
s
s
s
低集电极 - 发射极饱和电压V
CESAT
高集电极电流能力：我
C
我
CM
高集电极电流增益（H
FE
）在高I
C
高英法fi效率由于较少的热量产生
较小的所需的印刷电路板（ PCB）面积比传统的晶体管
1.3应用
s
s
s
s
s
高电压的DC- DC变换
高压MOSFET栅极驱动
高压电机控制
高压功率开关（如电机，风机）
汽车应用
1.4快速参考数据
表1：
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
R
CESAT
[1]
[2]
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
集电极 - 发射极饱和
阻力
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
I
C
=
1
A;
I
B
=
100
mA
[2]
条件
开基
[1]
民
-
-
-
-
典型值
-
-
-
255
最大
60
1
2
340
单位
V
A
A
m
设备安装在陶瓷板，铝
2
O
3
，标准的足迹。
脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
飞利浦半导体
PBSS5160K
60 V ，1 A PNP低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
2.管脚信息
表2：
针
1
2
3
钉扎
描述
BASE
辐射源
集热器
1
2
3
1
2
sym013
简化的轮廓
符号
3
3.订购信息
表3：
订购信息
包
名字
PBSS5160K
SC-59A
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT346
类型编号
4.标记
表4：
标记代码
标识代码
XA
类型编号
PBSS5160K
5.极限值
表5：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
参数
集电极 - 发射极
电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
条件
开基
集电极开路
[1]
[2]
[3]
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
[1]
[2]
[3]
最大
80
60
5
0.7
0.86
1
2
300
1
250
350
425
单位
V
V
V
A
A
A
A
mA
A
mW
mW
mW
集电极 - 基极电压发射极开路
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
峰值集电极电流
基极电流（DC）的
峰值电流基地
单脉冲;吨
p
≤
1毫秒
单脉冲;吨
p
≤
1毫秒
总功率耗散T
AMB
≤
25
°C
-
-
-
9397 750 15185
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
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飞利浦半导体
PBSS5160K
60 V ，1 A PNP低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
表5：
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
参数
结温
环境温度
储存温度
条件
民
-
65
65
最大
150
+150
+150
单位
°C
°C
°C
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热1厘米
2
.
设备安装在陶瓷板，铝
2
O
3
，标准的足迹。
0.5
P
合计
(W)
0.4
(2)
(1)
006aaa497
0.3
(3)
0.2
0.1
0
0
40
80
120
160
T
AMB
(°C)
（ 1）陶瓷电路板，铝
2
O
3
，标准的足迹
（ 2 ） FR4印刷电路板，安装板集热1厘米
2
（ 3 ） FR4 PCB，标准的足迹
图1.功率降额曲线
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（ BISS ）晶体管
6.热特性
表6：
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
条件
在自由空气
[1]
[2]
[3]
民
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
500
357
294
150
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
[3]
从热阻
结点到焊点
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热1厘米
2
.
设备安装在陶瓷板，铝
2
O
3
，标准的足迹。
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
δ
=1
0.50
0.20
0.10
0.05
10
0.02
0.01
0
1
0.75
0.33
006aaa498
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，标准的足迹
图2.瞬态结点的热阻抗到环境作为脉冲时间的函数;典型值
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PBSS5160K
60 V ，1 A PNP低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
δ
=1
0.75
0.50
0.20
0.10
0.05
10
0.02
0.01
0
1
0.33
006aaa499
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4印刷电路板，安装板集热1厘米
2
图3.瞬态结点的热阻抗到环境作为脉冲时间的函数;典型值
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
δ
=1
0.50
0.20
0.05
10
0.02
0.01
0
1
0.75
0.33
0.10
006aaa500
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
陶瓷电路板，铝
2
O
3
，标准的足迹
图4.瞬态结点的热阻抗到环境作为脉冲时间的函数;典型值
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60 V ，1 A PNP低V
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（ BISS ）晶体管
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产品数据表
1.产品廓
1.1概述
PNP低V
CESAT
突破性小信号（ BISS ）在一个小的晶体管
SOT346 （ SC - 59A ）表面贴装器件（ SMD ）塑料封装。
NPN补充： PBSS4160K 。
1.2产品特点
I
I
I
I
I
低集电极 - 发射极饱和电压V
CESAT
高集电极电流能力我
C
我
CM
高集电极电流增益（H
FE
）在高I
C
高英法fi效率由于较少的热量产生
较小的所需的印刷电路板（ PCB）面积比传统的晶体管
1.3应用
I
I
I
I
I
高电压的DC- DC变换
高压MOSFET栅极驱动
高压电机控制
高压功率开关（如电机，风机）
汽车应用
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
R
CESAT
[1]
[2]
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极 - 发射极饱和
阻力
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
I
C
=
1
A;
I
B
=
100
mA
[2]
条件
开基
[1]
民
-
-
-
-
典型值
-
-
-
255
最大
60
1
2
340
单位
V
A
A
m
设备安装在陶瓷板，铝
2
O
3
，标准的足迹。
脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
恩智浦半导体
PBSS5160K
60 V ，1 A PNP低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
钉扎
描述
BASE
辐射源
集热器
1
2
3
1
2
sym013
简化的轮廓
图形符号
3
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PBSS5160K
SC-59A
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT346
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
XA
类型编号
PBSS5160K
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
参数
集电极 - 发射极
电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
条件
开基
集电极开路
[1]
[2]
[3]
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
[1]
[2]
[3]
最大
80
60
5
0.7
0.86
1
2
300
1
250
350
425
单位
V
V
V
A
A
A
A
mA
A
mW
mW
mW
集电极 - 基极电压发射极开路
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
峰值集电极电流单脉冲;吨
p
≤
1毫秒
基极电流
峰值电流基地
单脉冲;吨
p
≤
1毫秒
总功率耗散T
AMB
≤
25
°C
-
-
-
PBSS5160K_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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恩智浦半导体
PBSS5160K
60 V ，1 A PNP低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
表5 。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
参数
结温
环境温度
储存温度
条件
民
-
65
65
最大
150
+150
+150
单位
°C
°C
°C
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热1厘米
2
.
设备安装在陶瓷板，铝
2
O
3
，标准的足迹。
0.5
P
合计
(W)
0.4
(2)
(1)
006aaa497
0.3
(3)
0.2
0.1
0
0
40
80
120
160
T
AMB
(°C)
（ 1）陶瓷电路板，铝
2
O
3
，标准的足迹
（ 2 ） FR4印刷电路板，安装板集热1厘米
2
（ 3 ） FR4 PCB，标准的足迹
图1 。
功率降额曲线
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恩智浦半导体
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60 V ，1 A PNP低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
6.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
条件
在自由空气
[1]
[2]
[3]
民
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
500
357
294
150
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
[3]
从热阻
结点到焊点
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热1厘米
2
.
设备安装在陶瓷板，铝
2
O
3
，标准的足迹。
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
δ
=1
0.50
0.20
0.10
0.05
10
0.02
0.01
0
1
0.75
0.33
006aaa498
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，标准的足迹
图2 。
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
PBSS5160K_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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恩智浦半导体
PBSS5160K
60 V ，1 A PNP低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
δ
=1
0.75
0.50
0.20
0.10
0.05
10
0.02
0.01
0
1
0.33
006aaa499
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4印刷电路板，安装板集热1厘米
2
图3 。
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
006aaa500
δ
=1
0.50
0.20
0.05
0.75
0.33
0.10
10
0.02
0.01
0
1
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
陶瓷电路板，铝
2
O
3
，标准的足迹
图4 。
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
PBSS5160K_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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