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飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道的TrenchMOS 晶体管

PHX3055E

特点

“海沟”

技术

低通态电阻

快速开关

隔离安装标签

符号

d

快速参考数据

V

DSS

= 55 V

I

D

= 9 A

g

R

DS （ ON）

≤

150毫欧（V

GS

= 10 V)

s

概述

N沟道增强模式，

在场效应功率晶体管

塑料外壳有电

隔离安装标签。该装置

使用“地沟”技术来实现

低通态电阻。

应用： -

直流以直流转换器

开关模式电源

该PHX3055E在所提供的

SOT186A （隔离TO220AB ）

传统的引线封装。

钉扎

针

1

2

3

TAB

门

漏

来源

隔离

描述

SOT186A

例

1 2 3

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号参数

V

DSS

V

DGR

V

GS

I

D

I

DM

P

D

T

j

, T

英镑

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

工作结

储存温度

条件

T

j

= 25 °C至150°C

T

j

= 25 °C至150°C ;

GS

= 20 k

T

hs

= 25 C

T

hs

= 100 C

T

hs

= 25 C

T

hs

= 25 C

分钟。

-

-

-

-

-

-

-

- 55

马克斯。

55

55

±

20

9

5.6

36

21

150

单位

V

V

V

A

A

A

W

C

隔离限值&特性

T

hs

= 25 C除非另有说明

符号

V

ISOL

参数

均方根所有隔离电压

三个端子的外部

散热器

条件

F = 50-60赫兹;正弦

波形;

相对湿度

≤

65 ％ ;干净无尘

分钟。

-

典型值。

马克斯。

2500

单位

V

C

ISOL

电容从T2到外部F = 1 MHz的

散热器

-

10

-

pF

1999年8月

1

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道的TrenchMOS 晶体管

PHX3055E

雪崩能量极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号参数

E

AS

非重复性雪崩

能源

峰值不重复

雪崩电流

条件

非钳位感性负载时，我

AS

= 3.3 A;

t

p

= 220

s;

T

j

雪崩= 25之前;

V

DD

≤

25 V ;

GS

= 50

;

V

GS

= 10 V ;参考

图： 15

分钟。

-

马克斯。

25

单位

mJ

I

AS

-

9

A

热阻

符号参数

R

日J- HS

R

日J-一

热阻结

散热器来

热阻结

到环境

条件

典型值。

-

55

马克斯。

6

-

单位

K / W

K / W

电气特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TO ）

R

DS （ ON）

g

fs

I

GSS

I

DSS

Q

G（ TOT ）

Q

gs

Q

gd

t

D ON

t

r

t

D OFF

t

f

L

d

L

s

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

漏极 - 源极导通状态

阻力

正向跨导

门源漏电流

零栅压漏

当前

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反馈电容

条件

V

GS

= 0 V ;我

D

= 0.25毫安;

T

j

= -55C

V

DS

= V

GS

; I

D

= 1毫安

T

j

= 150C

T

j

= -55C

V

GS

= 10 V ;我

D

= 5.5 A

T

j

= 150C

V

DS

= 25 V ;我

D

= 5.5 A

V

GS

=

±10

V; V

DS

= 0 V

V

DS

= 55 V; V

GS

= 0 V;

T

j

= 150C

I

D

= 10 A; V

DD

= 44 V; V

GS

= 10 V

分钟。

55

50

2.0

1.1

-

-

-

1.5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。马克斯。单位

-

-

3.0

-

-

120

210

3.2

10

0.05

-

5.8

1.5

3.2

3

26

8

10

4.5

7.5

190

55

40

-

-

4.0

-

6

150

263

-

100

10

100

-

-

-

10

35

15

20

-

-

250

80

50

V

V

V

V

V

m

m

S

nA

A

A

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

nH

nH

pF

pF

pF

V

DD

= 30 V ;

D

= 2.7

;

R

G

= 5.6

;

V

GS

= 10 V

阻性负载

从测得的漏导致的模具中心

从源铅源测量

焊盘

V

GS

= 0 V; V

DS

= 25 V ; F = 1 MHz的

1999年8月

2

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道的TrenchMOS 晶体管

PHX3055E

反向二极管极限值和特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

连续源电流

（体二极管）

脉冲电流源（体

二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

分钟。

-

-

I

F

= 10 A; V

GS

= 0 V

I

F

= 10 A; -dI

F

/ DT = 100 A / μs的;

V

GS

= 0 V; V

R

= 30 V

-

-

-

典型值。马克斯。单位

-

-

1.1

32

50

9

36

1.5

-

-

A

A

V

ns

nC

1999年8月

3

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道的TrenchMOS 晶体管

PHX3055E

归一化功率降额， PD （％）

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

0

25

50

75

100

散热片的温度，三（ C）

125

150

10

瞬态热阻抗，第Z J- HS （K / W）

D = 0.5

0.2

1

0.1

0.05

0.02

单脉冲

0.1

1E-06

T

1E-03

1E-02

1E-01

1E+00

1E+01

P

D

tp

D = TP / T

1E-05

1E-04

脉冲宽度TP （多个）

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

P

D

/P

D 25 C

= F （T

hs

)

图4 。瞬态热阻抗。

Z

日J- HS

= F（T） ;参数D = T

p

/T

漏极电流ID （ A）

TJ = 25℃

VGS = 10V

8V

7V

6.5 V

6V

5.5 V

5V

4.5 V

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

1.4

漏 - 源电压， VDS （V ）

1.6

1.8

2

归一化电流降额， ID （％）

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

0

25

50

75

100

散热片的温度，三（ C）

125

150

15

14

13

12

11

10

9

8

7

6

5

4

3

2

1

0

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

I

D

/I

D 25 C

= F （T

hs

） ;条件： V

GS

≥

10 V

峰值漏电流脉冲， IDM （ A）

图5 。典型的输出特性，T

j

= 25 C.

I

D

= F（V

DS

)

100

0.5

RDS （ ON）= VDS / ID

TP = 10我们

0.45

0.4

10

0.35

0.3

100美

1

特区

100毫秒

1毫秒

10毫秒

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

0.1

1

10

漏 - 源电压， VDS （V ）

100

0

漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON）（欧姆）

5V

5.5V

6V

TJ = 25℃

6.5 V

7V

8V

VGS = 10V

0

1

2

3

4

5

6

漏极电流ID （ A）

7

8

9

10

如图3所示。安全工作区。牛逼

mb

= 25 C

I

D

＆放大器;我

DM

= F（V

DS

); I

DM

单脉冲;参数t

p

图6 。典型通态电阻，T

j

= 25 C.

R

DS （ ON）

= F（我

D

)

1999年8月

4

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道的TrenchMOS 晶体管

PHX3055E

漏极电流ID （ A）

10

9

8

7

6

5

4

3

2

1

0

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

栅 - 源电压，V GS （V）的

TJ = 25℃

VDS > ID X RDS （ ON）

4.5

4

3.5

3

2.5

2

1.5

175 C

阈值电压VGS （ TO ）（V ）

最大

典型

最低

1

0.5

0

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

100 120 140 160 180

结温TJ（ C）

图7 。典型的传输特性。

I

D

= F（V

GS

)

跨导， GFS （ S）

VDS > ID X RDS （ ON）

3.5

3

2.5

2

1.5

1

0.5

0

0

1

2

3

4

5

6

漏极电流ID （ A）

7

8

9

10

175 C

TJ = 25℃

图10 。栅极阈值电压。

V

GS （ TO ）

= F （T

j

） ;条件：我

D

= 1毫安; V

DS

= V

GS

漏极电流ID （ A）

4

1.0E-01

1.0E-02

最低

典型

1.0E-04

最大

1.0E-05

1.0E-03

1.0E-06

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

栅 - 源电压，V GS （V）的

4

4.5

5

图8 。典型的跨导，T

j

= 25 C.

g

fs

= F（我

D

)

正规化的导通状态电阻

2.4

2.2

2

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

-60

-40

-20

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

结温TJ（ C）

图11 。亚阈值漏电流。

I

D

= F（V

GS ）

;条件：T已

j

= 25 ℃; V

DS

= V

GS

1000

电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）

西塞

100

科斯

CRSS

10

0.1

1

10

漏 - 源电压， VDS （V ）

100

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

R

DS （ ON）

/R

DS （ ON） 25 C

= F （T

j

)

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

.

C = F（V

DS

） ;条件： V

GS

= 0 V ; F = 1 MHz的

1999年8月

5

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