【飞利浦半导体产品speci fi cation的TrenchMOS 晶体管逻辑电平FET特点“海沟”】,IC型号PHP65N06LT,PHP65N06LT PDF资料,PHP65N06LT经销商,ic,电子元器件-51电子网

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

特点

“海沟”

技术

极低的通态电阻

快速开关

稳定的关闭状态特性

高的热循环性能

低热阻

PHP65N06LT ， PHB65N06LT

符号

快速参考数据

DSS

= 55 V

= 63 A

DS （ ON）

≤

18毫欧（V

= 5 V)

DS （ ON）

≤

16毫欧（V

= 10 V)

概述

N沟道增强模式下，逻辑电平，在使用“沟槽”技术的塑料封套场效应功率晶体管。

该装置具有非常低的导通状态电阻。它是为使用在直流 - 直流转换器和通用切换

应用程序。

该PHP65N06LT是在SOT78 （ TO220AB ）传统的含铅封装。

该PHB65N06LT是在SOT404表面安装封装。

钉扎

针

TAB

门

漏

来源

漏

描述

SOT78 （ TO220AB ）

TAB

SOT404

TAB

1 23

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号参数

DSS

DGR

, T

英镑

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

工作结

储存温度

条件

= 25 °C至175℃下

= 25 °C至175℃ ;

= 20 k

= 25 C

= 100 C

= 25 C

分钟。

- 55

马克斯。

240

150

175

单位

这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。

1998年1月

启1.300

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

热阻

符号参数

日J- MB

日J-一

热阻结

安装基座

热阻结

到环境

条件

PHP65N06LT ， PHB65N06LT

典型值。

马克斯。

1.0

单位

K / W

SOT78封装，在自由空气

SOT404封装，PCB安装，最小值

脚印

ESD限值

符号参数

静电放电

电容电压，所有引脚

条件

人体模型（ 100 pF的， 1.5千欧）

分钟。

马克斯。

单位

电气特性

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

GS （ TO ）

DS （ ON）

GSS

DSS

G（ TOT ）

D ON

D OFF

国际空间站

OSS

RSS

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

栅极阈值电压

漏极 - 源极导通状态

阻力

条件

= 0 V ;我

= 0.25毫安;

±1

毫安;

= V

; I

= 1毫安

= 175C

= -55C

= 5 V ;我

= 25 A

= 10 V ;我

= 25 A

= 175C

正向跨导

= 25 V ;我

= 25 A

门源漏电流V

±5

V; V

= 0 V

= 175C

零栅压漏

当前

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反馈电容

= 55 V; V

= 0 V;

= 175C

= 50 A; V

= 44 V; V

= 5 V

= -55C

分钟。

1.0

0.5

典型值。马克斯。单位

1.5

0.02

0.05

100

3.5

4.5

7.5

2000

390

200

2.0

2.3

500

130

140

2600

490

290

= 30 V ;我

= 25 A;

= 5 V ;

= 10

阻性负载

从测得的标签，模具中心

从测得的漏导致的模具中心

（ SOT78封装）

从源铅源测量

焊盘

= 0 V; V

= 25 V ; F = 1 MHz的

1998年1月

启1.300

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

PHP65N06LT ， PHB65N06LT

反向二极管极限值和特性

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲电流源（体

二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

分钟。

= 25 A; V

= 0 V

= 50 A; V

= 0 V

= 50 A; - 二

/ DT = 100 A / μs的;

= -10 V; V

= 30 V

典型值。马克斯。单位

0.95

1.0

0.1

240

1.2

雪崩限值

符号参数

DSS

条件

分钟。

马克斯。

125

单位

漏源不重复的我

= 50 A; V

≤

25 V; V

= 5 V;

非钳位感应关关R

= 50

;

= 25 C

能源

120

110

100

PD ％

归一化功率降额

120

110

100

ID％

归一化电流降额

80 100

TMB / C

120

140

160

180

80 100

TMB / C

120

140

160

180

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

D 25 C

= F （T

)

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

D 25 C

= F （T

） ;条件： V

≥

5 V

1998年1月

启1.300

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

PHP65N06LT ， PHB65N06LT

SOAX518

1000

ID / A

RDS （ ON） /毫欧

VGS / V =

3.6

RDS （ ON）= VDS / ID

100

TP =

1美国

10我们

100美

4.2

4.4

4.6

1毫秒

10毫秒

100毫秒

VDS / V

100

10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 95 100

ID / A

如图3所示。安全工作区。牛逼

= 25 C

＆放大器;我

= F（V

); I

单脉冲;参数t

第i个J- MB / （K / W）

BUKx55-lv

图6 。典型通态电阻，T

= 25 C.

DS （ ON）

= F（我

） ;参数V

100

ID / A

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

1E+01

0.1

0.01

TJ / C = 175

0.001

1E-07

1E-05

1E-03

T / S

1E-01

VGS / V

图4 。瞬态热阻抗。

日J- MB

= F（T） ;参数D = T

漏极电流ID （ A）

100

图7 。典型的传输特性。

= F（V

） ;条件： V

= 25 V ;参数T

跨导， GFS （ S）

VGS = 4.0 V

3.8

3.6

3.4

3.2

3.0

2.8

2.6

2.4

漏 - 源电压， VDS （V ）

漏极电流ID （ A）

100

图5 。典型的输出特性，T

= 25 C.

= F（V

） ;参数V

图8 。典型的跨导，T

= 25 C.

= F（我

） ;条件： V

= 25 V

1998年1月

启1.300

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

PHP65N06LT ， PHB65N06LT

2.5

BUK959-60

RDS（ON） normlised到25degC

数千pF的

1.5

西塞

0.5

-100

-50

TMB /摄氏度

100

150

200

0.01

0.1

VDS / V

科斯

CRSS

100

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

一 - R的

DS （ ON）

DS （ ON） 25 C

= F （T

); I

= 25 A; V

= 5 V

VGS （ TO ） / V

马克斯。

典型值。

1.5

BUK959-60

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

C = F（V

） ;条件： V

= 0 V ; F = 1 MHz的

VGS / V

VDS = 14V

VDS = 44V

2.5

分钟。

0.5

-100

-50

TJ / C

100

150

200

QG / NC

图10 。栅极阈值电压。

GS （ TO ）

= F （T

） ;条件：我

= 1毫安; V

= V

亚阈值传导

图13 。典型导通栅极电荷特性。

= F （Q

） ;条件：我

= 50 A;参数V

100

IF / A

1E-01

1E-02

典型值

98%

1E-03

1E-04

TJ / C =

175

1E-05

0.5

1.5

2.5

0.5

VSDS / V

1.5

图11 。亚阈值漏电流。

= F（V

GS ）

;条件：T已

= 25 ℃; V

= V

图14 。典型的反向二极管电流。

= F（V

SDS

） ;条件： V

= 0 V ;参数T

1998年1月

启1.300