飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
特点
“海沟”
技术
极低的通态电阻
快速开关
稳定的关闭状态特性
高的热循环性能
低热阻
PHP65N06LT , PHB65N06LT
符号
d
快速参考数据
V
DSS
= 55 V
I
D
= 63 A
g
s
R
DS ( ON)
≤
18毫欧(V
GS
= 5 V)
R
DS ( ON)
≤
16毫欧(V
GS
= 10 V)
概述
N沟道增强模式下,逻辑电平,在使用“沟槽”技术的塑料封套场效应功率晶体管。
该装置具有非常低的导通状态电阻。它是为使用在直流 - 直流转换器和通用切换
应用程序。
该PHP65N06LT是在SOT78 ( TO220AB )传统的含铅封装。
该PHB65N06LT是在SOT404表面安装封装。
钉扎
针
1
2
3
TAB
门
漏
1
来源
漏
描述
SOT78 ( TO220AB )
TAB
SOT404
TAB
2
1 23
1
3
极限值
按照绝对最大系统( IEC 134 )极限值
符号参数
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
工作结
储存温度
条件
T
j
= 25 °C至175℃下
T
j
= 25 °C至175℃ ;
GS
= 20 k
T
mb
= 25 C
T
mb
= 100 C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
55
55
±
13
63
44
240
150
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
1
这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。
1998年1月
1
启1.300
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
PHP65N06LT , PHB65N06LT
SOAX518
1000
ID / A
25
RDS ( ON) /毫欧
VGS / V =
3.6
4
RDS ( ON)= VDS / ID
100
TP =
1美国
10我们
100美
20
4.2
4.4
4.6
5
10
DC
1毫秒
10毫秒
100毫秒
15
1
1
10
VDS / V
100
10
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 95 100
ID / A
如图3所示。安全工作区。牛逼
mb
= 25 C
I
D
&放大器;我
DM
= F(V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
第i个J- MB / (K / W)
BUKx55-lv
图6 。典型通态电阻,T
j
= 25 C.
R
DS ( ON)
= F(我
D
) ;参数V
GS
100
ID / A
80
10
1
D=
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
1E+01
60
0.1
40
0.01
20
TJ / C = 175
0
25
0.001
1E-07
T
1E-05
1E-03
T / S
1E-01
0
1
2
3
VGS / V
4
5
6
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F(T) ;参数D = T
p
/T
漏极电流ID ( A)
100
10
5
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F(V
GS
) ;条件: V
DS
= 25 V ;参数T
j
跨导, GFS ( S)
60
VGS = 4.0 V
3.8
3.6
50
40
30
20
10
0
80
60
3.4
40
3.2
3.0
20
2.8
2.6
2.4
0
0
2
4
6
8
漏 - 源电压, VDS (V )
10
0
20
40
60
漏极电流ID ( A)
80
100
图5 。典型的输出特性,T
j
= 25 C.
I
D
= F(V
DS
) ;参数V
GS
图8 。典型的跨导,T
j
= 25 C.
g
fs
= F(我
D
) ;条件: V
DS
= 25 V
1998年1月
4
启1.300